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用INN3265C设计的QC充电器

  InnoSwitch3由于采用数字反馈的Fluxlink技术，InnoSwitch3的方案具有极佳的动态响应特性，电源的负载即使从空载至满载之间进行阶跃跳变，在输出端也不会感觉到明显的电压变化与其他产品相比，它还有极低的空载功耗和非常高的待机效率.而PI的PowiGaN技术的晶体管效率高 ，在任何输入电压和负载条件下效率均可高达94％，其极高的可靠性能够保证电源在市电电压不稳的地区使用时耐受输入浪涌和电压浮动的冲击。

有了InnoSwitch3-CP这样一颗电源管理芯片做后盾，只需要搭配上一颗控制接口CHY103，就能够形成一个完整的QC3.0的快充解决方案了。该充电器采用INN3265C芯片设计的低成本、高效率快速充电适配器。充电器可提供5 V/3 A、9 V/2 A和12V/1.5 A输出，就是相对于现在的手机电池容量来说，输出功率偏小了，INN3265C最大输出25W的功率。为了提高效率，还必须选择具有较低传导损耗的有源器件。在InnoSwitch3-CP系列控制器中，支持同步整流，对于次级整流器（SR），选择MOSFET而不是肖特基二极管，只要外接的mos开关管选择最低的RDS（on）可大大提高电源的效率。

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飞翔2004
LV.10
2
2023-09-18 22:31

INN3265 IC适用于通用输入电压范围的充电器和适配器应用，而最大型号的INN3270C在同类应用中可提供最大100W的输出功率.

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k6666
LV.9
3
2023-09-19 13:19

INN3265将初级、次级和反馈电路同时集成到一个表面贴装中，性能卓越。

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奋斗的青春
LV.10
4
2023-09-19 15:33
@飞翔2004
INN3265IC适用于通用输入电压范围的充电器和适配器应用，而最大型号的INN3270C在同类应用中可提供最大100W的输出功率.

FluxLink专有技术能满足全球所有的噪声抗扰性标准，在安全方面，符合UL和TUV全球隔离标准

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大海的儿子
LV.10
5
2023-09-19 22:04
@飞翔2004
INN3265IC适用于通用输入电压范围的充电器和适配器应用，而最大型号的INN3270C在同类应用中可提供最大100W的输出功率.

InnoSwitch3-CP专门应对QC3.0开发。CP是指输出电压在6V-12V之间，输出功率始终是18W.

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XHH9062
LV.9
6
2023-09-23 16:04

同时多口输出的话，能有多高的效率

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trllgh
LV.9
7
2023-09-23 21:32
@XHH9062
同时多口输出的话，能有多高的效率

在空载条件下，辅助偏置电压的选择范围为8V至10V，这有助于改善无负载消耗以及轻负载效率。

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ehi763
LV.6
8
2023-09-23 21:59
@trllgh
在空载条件下，辅助偏置电压的选择范围为8V至10V，这有助于改善无负载消耗以及轻负载效率。

对于变压器设计，最好将反射电压（VOR）保持在较低水平，以降低次级侧的RMS电流。

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cmdz002
LV.5
9
2023-09-23 23:02

外接的mos开关管选择最低的RDS（on）可大大提高电源的效率

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沈夜
LV.8
10
2023-09-24 11:08

InnoSwitch3采用哪种技术实现数字反馈？这种技术有什么优点？

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沈夜
LV.8
11
2023-09-24 11:24

为什么能够实现从空载至满载之间进行阶跃跳变而不会感觉到明显的电压变化？

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tanb006
LV.10
12
2023-09-25 08:52

输出电压精度能再提高吗？如果使用外部稳压，这芯片应该如何修改电路？

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yangweiping
LV.5
13
2023-09-25 11:04

InnoSwitch3-CP系列集成度高，最大满足100W PD充电输出，空载30mW功耗。要是有集成充电协议那就更完美了。

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denyuiwen
LV.7
14
2023-09-25 11:09

专利的开关和控制技术，CCM和准谐振开关，优化了效率。

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XHH9062
LV.9
15
2023-09-25 11:58

负载调整率如何？

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天晴朗
LV.6
16
2023-09-25 13:08

如何能够在市电电压不稳的地区使用时耐受输入浪涌和电压浮动的冲击呢

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天晴朗
LV.6
17
2023-09-25 14:03

对于次级整流器（SR），是用MOSFET做同步整流，选择最低的RDS（on）可大大提高电源的效率

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spowergg
LV.10
18
2023-09-25 18:04

较低的VOR还意味着初级侧MOSFET上的漏极到源极电压较低，可以有效降低开关损耗。

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dy-mb2U9pBf
LV.8
19
2023-09-25 18:59

InnoSwitch3的方案动态响应特性好，在电源的负载发生跳变时输出端不会有明显的电压变化，同时空载功耗也很低。

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天晴朗
LV.6
20
2023-09-25 20:20

选择具有较低传导损耗的有源器件可以提高效率

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追魂幡℃
LV.7
21
2023-09-27 20:09

InnoSwitch3可以把充电器做到特别小

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飞翔2004
LV.10
22
2023-10-01 17:24
@XHH9062
同时多口输出的话，能有多高的效率

选择快速充电器优先考虑支持GaN氮化镓技术，支持多种快充协议，满足不同数码设备充电需求。

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大海的儿子
LV.10
23
2023-10-01 18:28
@飞翔2004
选择快速充电器优先考虑支持GaN氮化镓技术，支持多种快充协议，满足不同数码设备充电需求。

氮化镓 (GaN) 具有高频率特性在高电压大电流传输方面具有优势，这意味着可以达到更高的效率，更低的发热量和更小的体积。

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奋斗的青春
LV.10
24
2023-11-17 09:02
@trllgh
在空载条件下，辅助偏置电压的选择范围为8V至10V，这有助于改善无负载消耗以及轻负载效率。

该款芯片开发的电源待机功耗很小，产品的性能出色，电压支持多种输出。

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opingss88
LV.10
25
01-18 22:10

回路走线不得与有可能在浪涌期间产生大返回电流的其他回路走线共用线路

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快乐的小天使
LV.8
26
01-18 23:07

在市电电压不稳的地区使用时耐受输入浪涌和电压浮动的冲击硬件设计是如何做到的

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新月GG
LV.10
27
01-22 20:04
@XHH9062
负载调整率如何？

负载调整率和别的芯片没有差别吧，一般都能满足要求的。

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ehi763
LV.6
28
02-03 13:11
@大海的儿子
氮化镓(GaN)具有高频率特性在高电压大电流传输方面具有优势，这意味着可以达到更高的效率，更低的发热量和更小的体积。

PowiGaN技术，也就是内置了GaN氮化镓功率器件，相比传统MOSFET可以输出更大功率。

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spowergg
LV.10
29
02-03 13:39
@ehi763
PowiGaN技术，也就是内置了GaN氮化镓功率器件，相比传统MOSFET可以输出更大功率。

InnoSwitch3提供更低的导阻和更先进的封装,更加适应大功率高功率密度电源应用。

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奋斗的青春
LV.10
30
02-06 10:29
@k6666
INN3265将初级、次级和反馈电路同时集成到一个表面贴装中，性能卓越。

在启动时，主控制器被限制为fSW的最大开关频率和最大编程电流限制的75%

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opingss88
LV.10
31
04-09 20:29

控制技术只需检测变压器绕组电压和输出电压，无需检测 MOSFET的电流

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