• 34
    回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

INN3279设计的最大输出15V/3A充电器

    在设计充电器时，充电器的成本与其额定功率成正比，但电池最佳快充所需的电压及电流取决于电池大小、化学电荷电平及热环境等因素。因为电源的效率很难提升，造成了大量的热损耗，不得不增加散热片来导热，造成了适配器体积无法缩减，而innoswitch3在这方面的性能有很大的提高，具有高功率密度和高效率优势.InnoSwitch-CP通过提供恒功率输出特性，使得电池供电的设备在任何既定输出电压条件下均可从充电器获取最大功率，从而节省充电时间并降低成本。

    INN3279C 作为 InnoSwitch3-CP 系列产品，内置 750V GaN 功率器件，在宽电压输入时支持 65W 输出，该芯片内部集成准谐振反激控制器和集成的主开关管，同步整流控制器和内置反馈，以及恒功率输出， 该款新器件采用恒功率输出技术，当搭配QC3.0或USB-PD等自适应电压协议使用时，可让智能移动设备制造商缩短众多产品的充电时间。输入电源90~265Vac，5V/6.5A或者9V/5A或者15V/3A输出，空载损耗小于30mW，带USB TYPE-A/C接口，额定输入电压时平均效率大于91%，具备输入欠/过电压掉电保护功能，输出过压保护功能。

全部回复(34)
正序查看
倒序查看
大海的儿子
LV.10
2
2023-10-14 19:02

PowiGaN是PI专有的氮化镓技术。与硅相比，它大大降低了开关损耗，使设计出的电源更小、更轻、更高效。

0
回复
k6666
LV.9
3
2023-10-16 13:32

PowiGaN开关以及驱动器通过满足隔离要求的内置的磁感耦合反馈机制，将初级侧和次级侧的控制器链接起来

0
回复
奋斗的青春
LV.10
4
2023-10-16 15:35
@大海的儿子
PowiGaN是PI专有的氮化镓技术。与硅相比，它大大降低了开关损耗，使设计出的电源更小、更轻、更高效。

功率电子元件高速通断下的导通损耗是设计中热管理的核心。当采用了导通电阻很低的氮化镓开关后，可以大幅减小导通损耗

0
回复
spowergg
LV.10
5
2023-10-19 17:16
@大海的儿子
PowiGaN是PI专有的氮化镓技术。与硅相比，它大大降低了开关损耗，使设计出的电源更小、更轻、更高效。

新设计可实现高达90％的效率，空载输入功耗低于70 mW,性能有很大的提升。

0
回复
ehi763
LV.6
6
2023-10-21 12:37

InnoSwitch3 产品还得益于 FluxLink 通信技术，可以在不使用光耦合器的情况下跨越隔离栅传递准确的驱动信息。

0
回复
trllgh
LV.9
7
2023-10-23 08:57
@spowergg
新设计可实现高达90％的效率，空载输入功耗低于70mW,性能有很大的提升。

小型化、集成化、高效率都是未来趋势， 相较于传统的Si MOSFET，氮化镓开关管在RDS(ON) 、开关损耗、总损耗等方面的性能更好。

0
回复
htwdb
LV.7
8
2023-10-23 16:22

INN3279设计的充电器电源，在无负载时功率低于 30 mW，蛮小的，作为充电器应用这样在空载输出是电源更安全

0
回复
xxbw6868
LV.9
9
2023-10-24 13:01
@ehi763
InnoSwitch3产品还得益于FluxLink通信技术，可以在不使用光耦合器的情况下跨越隔离栅传递准确的驱动信息。

FluxLink可取代光耦器和电容性或硅基方案，显著提高可靠性并提供1200V加强绝缘，提供快速通信，可对负载瞬变提供几乎瞬时的响应。

0
回复
dy-mb2U9pBf
LV.8
10
2023-10-24 21:44

INN3279C 设计的电源输入电电压可以做到90~265V，输出可以是5V/6.5A或者9V/5A或者15V/3A，空载损耗小于30mW。

0
回复
dy-StTIVH1p
LV.8
11
2023-10-25 06:33

空载会导致传输效率下降么

0
回复
dy-TMelSvc9
LV.8
12
2023-10-25 06:37

怎么样确保传输效率一直维持在91%较高水平

0
回复
dy-nmLUWFNr
LV.8
13
2023-10-25 07:58

怎么样有效降低能量损耗

0
回复
飞翔2004
LV.10
14
2023-10-25 12:58
@xxbw6868
FluxLink可取代光耦器和电容性或硅基方案，显著提高可靠性并提供1200V加强绝缘，提供快速通信，可对负载瞬变提供几乎瞬时的响应。

用INN3279一颗芯片完成氮化镓功率器件、PWM控制、驱动、保护等功能，既能够提升整体方案的性能，同时也能减少PCB板的占用，缩小尺寸并减少物料成本。

0
回复
追魂幡℃
LV.8
15
2023-10-25 22:07

750V能做什么？

0
回复
yangweiping
LV.5
16
2023-10-26 09:37

高功率密度还得靠GaN，INN3279C内置 750V GaN 功率器件，满足了全电压输入。

0
回复
Marcia
LV.6
17
2023-10-26 21:59

稳定性如何

0
回复
沈夜
LV.8
18
2023-10-26 22:48

小型化、集成化、高效率都是未来趋势

0
回复
XHH9062
LV.9
19
2023-10-26 23:13

功率密度可以的

0
回复
tanb006
LV.10
20
2023-10-27 16:19

占用面积太大，与分立贴片器件比，这只是集成了而已。并不一定与分立贴片零件有灵活性的优势。

0
回复
大海的儿子
LV.10
21
2023-11-04 16:44
@trllgh
小型化、集成化、高效率都是未来趋势，相较于传统的SiMOSFET，氮化镓开关管在RDS(ON)、开关损耗、总损耗等方面的性能更好。

在整个满载范围内的效率高达 94％，在密封式转换器实作中效率高达 100 W，且无需散热器。

0
回复
电子灵魂
LV.2
22
2023-12-08 14:21

InnoSwitch-CP通过提供恒功率输出特性，使得电池供电的设备在任何既定输出电压条件下均可从充电器获取最大功率，具有高效率和高功率密度优势，可缩短充电时间并降低成本。

0
回复
方笑尘MK
LV.7
23
2023-12-09 10:12

要想缩小适配器体积，又想提高功率，只能把它的损耗降低。减少热量

0
回复
快乐的小天使
LV.8
24
2023-12-09 12:41

innoswitch3在效率方面有很大的提高，不需要增加散热片来导热，减小了适配器体积

0
回复
k6666
LV.9
25
2023-12-19 10:33
@ehi763
InnoSwitch3产品还得益于FluxLink通信技术，可以在不使用光耦合器的情况下跨越隔离栅传递准确的驱动信息。

通过变压器把钳位电容内部储存的能量传输到次级输出，提升电源的转换效率。

0
回复
xxbw6868
LV.9
26
10-05 22:29
@快乐的小天使
innoswitch3在效率方面有很大的提高，不需要增加散热片来导热，减小了适配器体积

氮化镓器件与硅器件相比效率更高，PowiGaN的功率更大，因而在封装不变的情况下，可以输出更高的功率。

0
回复
方笑尘MK
LV.7
27
10-11 09:53

GaN器件在导通和开关过程中的损耗更低，从而提高了整体的能效，作为充电器器件很合适

0
回复
快乐的小天使
LV.8
28
10-23 22:34

PI这个效率高，损耗小，可以省去散热片吧，缩小产品尺寸

0
回复
小燕纸
LV.5
29
10-24 22:24

额定输入电压时平均效率大于91%，比较高了

0
回复
大海的儿子
LV.10
30
11-02 18:50
@方笑尘MK
GaN器件在导通和开关过程中的损耗更低，从而提高了整体的能效，作为充电器器件很合适

 在大电流时,如果将并联的GaN运用在电路中,那么,导通损耗将会较小。

0
回复
trllgh
LV.9
31
11-12 17:00
@大海的儿子
 在大电流时,如果将并联的GaN运用在电路中,那么,导通损耗将会较小。

输出电容将会增大,开关损耗会随之增大，所以在大电流时,使用同步并联要注意这个问题。

0
回复
立
即
发
帖