研究生第一次参加导师的项目，想做一个两路交错反激后端是mosfet采用SPWM的全桥逆变微逆。dcdc侧输入16-50V左右波动，mppt电压大概是31V，输出电压是800W，每个反激变压器需要传变的功率就是200W左右，硬性条件就这些。
目前我需要确定开关管工作频率，变压器铁芯型号诸如此类。老师意思是变压器能设计的越小越好，但是随着工作频率的升高，伴随的损耗也会随之增大。目前根据AP法计算，300kHz就能够使用PQ2016之类的铁芯了，但是看到电源网前辈们之前的设计，我觉得PQ2016是不是有点太纸上谈兵了。。
除此之外，由于工作频率我还不是很确定，所以现在设计的方案大概是，fs确定原边电感，然后设计原边电流和纹波电流，然后用原边电感、电流、暂时选定的窗口系数、工作磁通来计算AP，接着确定型号计算大概损耗，最后在损耗和变压器体积中权衡。但是不太清楚自己做的是否正确。。
最后一点是，我真没见过PQ变压器只看到是个罐装的铁芯，不太能想象这个是怎么绕制的，是原副边都绕在中间那个圆柱上面吗？那6+6的引出线的走线到底是怎么走的，又是如何设计的呢？
希望前辈们给点建议。谢谢！
