INN3670C 内部集成了一个750V GaN开关,开关控制使用准谐振技术以及输出端使用同步整流技术,使得电源的发热量大大减小,该芯片可以实现无散热器设计,依靠大面积PCB铜箔即可完成散热,节省了电源的空间尺寸和成本。得益于GaN器件良好的高频开关特性,在高频率下可以进一步的缩减磁器件的体积,进一步减小了电源的尺寸。
下图为电源的设计参考图,该设计可以实现85~265V全范围内的交流输入,同时输出20V/65W的功率,由于芯片内部集成了隔离反馈部分,因此,单芯片无需外部光耦即可完成高精度的隔离电源输出。