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反激电源上电过程MOS过应力

下面是PI反激电源的原理图。

反激式转换器开始运作初期，输出尚未建立，电压为零。电流侦测电阻上之电压下降斜率趋近于零， 而控制 IC于每个周期皆至少有最小导通时间(TON_Min)，致使电感电流持续增加， 即开关管上之尖峰电流持续增加，电流侦测电阻上之电压不断上升。当开关管关闭瞬间，累加的尖峰电流、变压器之漏电感和开关管之寄生电容产生高频振荡，于开关管之漏极D与源极S间感应出极大之电压尖峰Vpk， 将可能衍生出开关管之过应力问题。  

反激电源上电过程MOS过应力

加入软启动可以抑制上电尖峰电流。

为了有效抑制启动尖峰电流， 一般都会将软启动功能内嵌于控制 IC 中，它在控制 IC 开始运作时会先被启动，透过阶梯式的电流限制信号，逐步将输出电压慢慢建立起来。

当电流侦测电阻上之电压超过电流门坎电压时，控制IC会触发跳周期模式，延长电感电压反相重置磁通时间， 使磁能能够有效地转移至输出端，加速输出电压之建立过程，同时达到降低开关管上之电流幅度的效果。

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XHH9062
LV.9
2
03-19 17:22

可以增加RCD吸收电路

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tanb006
LV.10
3
03-21 22:57

软启动？怎么个方法？

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tanb006
LV.10
4
03-21 23:00

还有个方法，在开机的时候，mos的驱动电阻用100--200欧姆，让MOS工作在放大状态一段时间。

电源正常以后，驱动电阻切换为普通的20--100欧姆，充分发挥MOS的性能。

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dy-XU5vrphW
LV.7
5
03-22 07:21

怎么样有效过应力产生的毛刺

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dy-XU5vrphW
LV.7
6
03-22 07:39

过应力产生是否会导致系统传输效率发生突变

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dy-nmLUWFNr
LV.8
7
03-22 07:45

MOS的过应力是否会破坏信号传输结构

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dy-mb2U9pBf
LV.8
8
03-23 15:22

软启动能有效抑制上电瞬间的尖峰电流，从而减少mos管的瞬间应力，学习一下这个知识点。

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dy-nmLUWFNr
LV.8
9
03-23 21:47

上电过程的过应力会导致系统传输效率的受损失么

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dy-TMelSvc9
LV.8
10
03-23 22:24

过应力的产生会导致信号电位的突变么

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htwdb
LV.7
11
03-24 12:09

通过反激式控制器 IC 的软启动功能，系统级——电源系统的反馈稳定性补偿，

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新月GG
LV.10
12
03-25 19:56
@tanb006
软启动？怎么个方法？

一般主控芯片都有软启动功能，根据芯片资料设计合理的软启动时间即可。

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沈夜
LV.7
13
03-26 00:18

如何有效抑制反激电源启动时的过应力问题？

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方笑尘MK
LV.7
14
03-26 09:53

当Mos管的过应力超过了器件所能承受的极限，器件很容易降低性能，甚至缩短寿命

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旻旻旻
LV.7
15
03-26 11:08

应该在电路中增加一个适当的电容。可以吸收尖峰，避免对mos的冲击

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AhChen
LV.1
16
03-26 12:07
@tanb006
还有个方法，在开机的时候，mos的驱动电阻用100--200欧姆，让MOS工作在放大状态一段时间。电源正常以后，驱动电阻切换为普通的20--100欧姆，充分发挥MOS的性能。

这个怎么实现转换？

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denyuiwen
LV.7
17
03-26 16:40

加个软启动，对MOS肯定有好处，但是MOS肯定能受住，增加软启动会增加成本的。

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旻旻旻
LV.7
18
05-07 14:43

在上电瞬间，如果电源电压迅速上升，可能会导致MOSFET的电压应力超过其最大额定值

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奋斗的青春
LV.10
19
05-17 13:32
@tanb006
还有个方法，在开机的时候，mos的驱动电阻用100--200欧姆，让MOS工作在放大状态一段时间。电源正常以后，驱动电阻切换为普通的20--100欧姆，充分发挥MOS的性能。

大幅简化电源设计，内部保护功能齐全，有效保护电源可靠工作。

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快乐的小天使
LV.8
20
05-18 21:49

原来缓启动是通过阶梯式的电流限制信号，逐步将输出电压慢慢建立起来的

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