惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，性价比高，量产稳定成熟，提供方案及技术支持。
惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
惠海半导体中低压场效率管（MOSFET）
【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
【惠海MOS管常规型号】17N06 30N06 50N06 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400
【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管 3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管 SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管更多型号如下：
型号：HG160N10LS N沟道场效应管 丝印HC310 100V3A 3N10 SOT23-3封装 内阻200mR SGT工艺
型号：HG021N10L N沟道场效应管 丝印 HG25N10 100V25A T0-252封装 内阻25mR SGT工艺
型号：HG160N10LS N沟道场应管 丝印HC510 100V5A (5N10)SOT23-3封装 内阻155mR
型号：HG085N10L N沟道场效应管 100V15A SOT89 封装 内阻70mR
型号：HG160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装 内阻145mR
30V 10A MOS管TO-252封装10N50 MOS原厂库存现货TO252 89-5 SOT-23
HG10N30 30V 10A TO-252 N沟道 MOS管-场效率管
HG15N10 15A 100V N沟道 MOS管-场效率管
HG35N06 35A 60V N沟道 MOS管-场效率管
HG50N06 50A 60V N沟道 MOS管-场效率管
HG10N50 30V 10A TO-252 N沟道 MOS管-场效率管
20V MOS N沟道
HG05N20:20V 5.2A SOT-23 N沟道 MOS管
30V MOS N沟道
HG02N03： 30V 5.8A SOT23 N沟道 MOS管
HG02N03002N04： 30V 20A SOT-89 N沟道 MOS管
HG02N03002NL： 30V 10A TO-252 N沟道 MOS管
HG02N032N03L： 30V 85A TO-252 N沟道 MOS管
40V MOS N沟道
HG02N03002N3： 40V 10A SOP8 N沟道 MOS管
60V MOS N沟道
HG02N03002N5L: 60V 3A SOT23 N沟道 MOS管
HG02N0305N03L： 60V 50A TO-252 N沟道 MOS管
100V MOS N沟道
HG02N035N03L: 100V 5A SOT-23 N沟道 MOS管
HG02N039N03L: 100V 8A SOT-89 N沟道MOS管
HG02N0300803L: 100V 3A SOT-23S N沟道MOS管
HG02N03:100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管
HG02N0312N03L:100V 15A TO-252 N沟道 MOS管
