PI产品内部集成了高压MOSFET，适合不同的电源开发案例，其中包括725V硅开关、1700V碳化硅（SiC）开关及其他衍生的750V、900V产品，现在又增加了1250V耐压的最新成员INN3629。因此成为唯独一家全面覆盖MOS管到不同耐压的GaN和SiC的公司。
为了进一步提高开关电源的效率和可靠性，又全新开发了一款单管氮化镓电源IC，innoswitch3系列的inn3629芯片内部耐压达到了 1250V，旨在满足工业用电的更高需求和期望。PI基于自行研发的氮化镓技术——PowiGaN，总共开发了5个系列的芯片产品，包括InnoSwitch3-CP、EP、Pro、MX和LYTSwitch-6。凭借高集成、高效率、高可靠性等特点。
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质和强的抗辐照能力。氮化镓的较宽能隙（约3.4eV）使得它在可见光区域具有较高的透明度，这对于LED和激光器等光电子器件至关重要。宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料都是宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料。
PI的Inn3629芯片耐压高，具有很多优势特点
1250V耐压的Inn3629芯片比耐压650V的inn3167效率高出1%，意味着工作温度降低20%，损耗也是传统硅芯片的一半。
PowiGaN功率变换的效率可以达到93%，不仅能使工作温度大幅降低，有助于实现高紧凑度的反激式电源设计。在高达85W输出功率的情况下，也无需金属散热片。
