Inno 反激控制器内置了功率器件，不需要外部选型和布局布线了，控制也得到了优化。
VOR是指次级导通时初级绕组上的反射输出电压。VBUS是连接变压器初级绕组一端的直流电压。除VBUS+VOR外，漏极在关断时还会出现较大的电压尖峰，这是由存储在初级绕组漏感中的能量引起的。为防止漏极电压超过额定最大连续漏极电压，初级绕组两端需要一个钳位电路，钳位二极管的正向恢复将在初级开关关断的一瞬间增加一个尖峰。
下面是使用750V PowiGaN开关时264VAC输入电压下的峰值漏极电压，初级开关的峰值漏极电压为VBUS、VOR与VCLM的总和。仍能提供150V的安全裕量。
产品设计时应注意考虑以下因素：
1）较高的VOR允许在最低电压VMIN时获得更高的输出功率，这会降低输入电容值和提高给定PowiGaN器件的输出功率能力。
2）较高的VOR还可以降低输出二极管和SR FET的电压应力。
3）较高的VOR会增加漏感，从而降低电源效率。
4）较高的VOR会增大次级侧的峰值电流及RMS电流，从而增加次级侧的铜损和二极管损耗。
