SIC1181KQ和SIC1182KQ是适合SiC MOSFET的单通道门极驱动器。该器件利用Power Integrations革命性的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达±8A，可直接驱动600A/800A（典型值）以下的开关器件。
该器件还具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性，可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。
此外，这款门极驱动器IC还具有AAC高级有源钳位（关断时）特性，可通过一个检测管脚同时提供短路保护（开通时和开通过程中）和过压限制。 对于具有电流检测端子的SIC MOSFET，可实现可调过流检测。
单通道SCALE-iDriver"系列的SIC118xKQ可驱动耐压在1200 V以内的SIC MOSFET半导体器件，并在控制器与半导体器件之间提供加强绝缘。IN管脚施加的逻辑输入(PWM)指令信号与VCC管脚提供的原方电源电压，均以GND管脚为参考点。半导体器件和SCALE-iDriver的工作状态通过SO管脚监控。指令信号通过FluxLink绝缘技术从原方(IN)传输至副方。
GH管脚在开通过程中提供正门极电压并对半导体门极充电。GL管脚在关断过程中提供负门极电压并对门极放电。在SNS管脚和半导体器件的漏极端子之间连接一个网络，可以实现短路保护和过压限制。开通时，SNS管脚可检查到短路故障，驱动器将启动关断，保护半导体器件免受短路损坏。关断时，SNS管脚可检测到关断过压，并对电压限制(通过AAC高级有源钳位)到低于半导体器件耐压的安全值。
如果半导体器件提供电流检测端子，则可作为短路监控的备选方案实现可调过流检测。电源SIC118xKQ配有集成的功率和电源故障管理。这些特性可控制IC的功率和电压。该器件也可以生成和调整副方双极电源电压。需要使用两个电源电压。其中一个是原方电源(Vc)，为原方逻辑电路以及与副方(绝缘)的通信供电。另一个电源电压(Vr)用作副方单电源供电电压。V-oT施加在VISO和COM之间。V-o-必须与原方绝缘，并且至少应具有与SCALE-iDriver相同的绝缘能力。V-ū与原方或任何其他副方的耦合电容应当非常低。
正门极-源极电压由V提供，该电压在内部生成并稳定至15 V(典型值)，以VEE管脚为参考点。负门极-源极电压由Vv提供，以COM管脚为参考点。由于VEE管脚提供的拉/灌电流能力有限，任何额外负载需要连接在VISO与COM管脚之间，WISO与VEE管脚之间或者VEE与COM管脚之间不允许连接任何额外负载。
