• 13
    回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

INN3370C设计的双路65W快充

       InnoSwitch3-Pro系列包含了三款芯片,相比CP系列而言,Pro系列还支持PPS快充电源应用。 INN3370C属于InnoSwitch3-Pro家族,是一颗集成了高压开关、同步整流和FluxLink反馈功能的数控恒压/恒流离线反激式准谐振开关IC,INN3370C使用PowiGaN技术,内置750V耐压GaN开关管,最大支持100W输出,在I2C数传动态高精度控制的同时,INN3370C还内置一路3.6V输出为外置协议IC供电。

       电源用InnoSwitch3-Pro的INN3370C芯片设计的,内含 PowiGaN氮化镓开关,双 C 口输出,具备均流功能,拥有100 – 132VAC 输入,两个 C 输出口均可输出 65W 输出功率,基于PowiGaN技术的器件可实现外形紧凑的设计,无需散热片或DC-DC变换器,端到端效率达到92%,两个输出口均支持 5V/9V/15V/20V 输出,50°C 环境下元件温度低于 110°C。该系列开关IC可提供电源输出电压及电流的数字化微调(10mV, 50mA),实现对电池充电的精确控制,使这款设计符合PPS快充协议,平均能效超过90%,待机功耗低于30 mW,符合最新的能效标准。

全部回复(13)
正序查看
倒序查看
k6666
LV.9
2
09-03 18:37

芯片采用PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管,从而降低开关损耗

0
回复
09-04 14:10

在空载条件下,辅助偏置电压的选择范围为8V至10V,这有助于改善无负载消耗以及轻负载效率。

0
回复
飞翔2004
LV.10
4
09-14 13:06

现在很多采用PI的InnoSwitch3-Pro系列的主控芯片,协议芯片采用英集芯IP2726,负责双口协议识别。

0
回复
#回复内容已被删除#
5
09-15 18:16

GaN和SiC器件比硅元件性能更好、效率更高。GaN元件在USB PD快充电源上得到全面应用。

0
回复
trllgh
LV.9
7
09-18 14:02
@飞翔2004
现在很多采用PI的InnoSwitch3-Pro系列的主控芯片,协议芯片采用英集芯IP2726,负责双口协议识别。

PRO则带有数字接口,支持USB PD+PPS模式,可以使得适配器的输出更加精准。

0
回复
xxbw6868
LV.9
8
09-20 13:21
@大海的儿子
GaN和SiC器件比硅元件性能更好、效率更高。GaN元件在USBPD快充电源上得到全面应用。

有高频率低损耗的优势,能够提高充电器的功率密度,减小体积和重量,更加便于携带。

0
回复
spowergg
LV.10
9
09-25 13:25
@xxbw6868
有高频率低损耗的优势,能够提高充电器的功率密度,减小体积和重量,更加便于携带。

无需外围元件即可提供精确的恒压/恒流/恒功率,并轻松与外接快充协议接口IC协同工作。

0
回复
xxbw6868
LV.9
10
09-25 19:52

初级侧可以实现更精准、高效的控制,空载功耗<30mW,InnoSwitch3-Pro的输出功率高达65W。

0
回复
沈夜
LV.7
11
09-25 22:03

InnoSwitch3-Pro系列芯片如何实现高效率且精准的电量显示?

0
回复
dy-nmLUWFNr
LV.8
12
09-25 23:27

双路快充信号间会发生干扰么

0
回复
dy-TMelSvc9
LV.8
13
09-25 23:43

双路传输的信号损耗应该怎么样计算

0
回复
dy-nmLUWFNr
LV.8
14
22小时前

双路快充对信号系统的预制电压有哪些要求

0
回复