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INN3629开发电源

PI为了进一步提高开关电源的效率和可靠性,全新开发了一款单管氮化镓电源芯片innoswitch3-ep系列的1250V产品,旨在满足工业用电的更高需求和期望。1250V的PowiGaN具有更高的电压裕量,以及更出色的耐用性和可靠性,适用于很多更高输入电压的应用,而即使在输入电压不稳定的情况下,也能对其提供保护,保证整体电源的可靠运行。

氮化镓具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持更高环境温度工作等特点,能够在更高的电压下提供更低的损耗,并且在开关切换时使用的能量更少。氮化镓开关器件的体积也相对较小,电源设计人员能够在很宽的输入输出电压范围内实现更高的开关频率,同时在较小的物理尺寸上达到期望的设计效率。

不同耐压的产品效率曲线如下,其中1250V的耐压效率高出1%,性能出色。

1250V的绝对最大值可以满足80%的行业降额标准,这为工业应用提供了巨大的裕量,特别是对那些具有挑战性电网环境的应用尤其重要。因为在这种环境下,耐用性是抵御电网波动、浪涌,以及其他电力扰动的重要防御手段。而inn3629芯片就具有很高的耐压,满足复杂工况应用。产品设计的尺寸体积也小,开发的电源PCB设计如下图

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11-04 19:08

氮化镓开关器件的体积也相对较小,电源设计人员能够在很宽的输入输出电压范围内实现更高的开关频率,同时在较小的物理尺寸上达到期望的设计效率。

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cwm4610
LV.6
3
11-14 15:28

高功率 高电压的控制,输出效率也是很关键的因素

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飞翔2004
LV.10
4
11-18 13:06
@奋斗的青春
氮化镓开关器件的体积也相对较小,电源设计人员能够在很宽的输入输出电压范围内实现更高的开关频率,同时在较小的物理尺寸上达到期望的设计效率。

PowiGaN技术可提供实现900V耐压所需的可靠性和耐用性。同时还能提高功率和效率。

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11-19 13:03
@飞翔2004
PowiGaN技术可提供实现900V耐压所需的可靠性和耐用性。同时还能提高功率和效率。

InnoSwitch3-EP也有PowiGaN技术的型号,输出功率高,效率也高,在空间有限的应用中无需使用散热片。

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spowergg
LV.10
6
11-21 09:18
@大海的儿子
InnoSwitch3-EP也有PowiGaN技术的型号,输出功率高,效率也高,在空间有限的应用中无需使用散热片。

初级MOSFET具有900V击穿电压,可以为市电电压较高或不稳的地区提供更大的安全裕量,比较稳定。

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11-23 00:12

1250V的绝对最大值可以满足80%的行业降额标准,这为工业应用提供了巨大的裕量,这个余量如何变大?

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only one
LV.7
8
11-23 00:24

氮化镓具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持更高环境温度工作等特点,能够在更高的电压下提供更低的损耗,损耗如何控制

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11-23 07:29

1250V的PowiGaN具有更高的电压裕量,那么尖峰电压还需要缓冲电路抑制吗

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trllgh
LV.9
10
11-23 13:48
@疯狂的西红柿
1250V的绝对最大值可以满足80%的行业降额标准,这为工业应用提供了巨大的裕量,这个余量如何变大?

同时也有725V和750V的击穿电压, InnoSwitch3-EP器件的引脚相兼容,可以在不改变设计的情况下增加输出功率,比较有优势。

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dy-TMelSvc9
LV.8
11
11-23 17:19

输出功耗会因为开关频率的变动而发生变化么

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dy-mb2U9pBf
LV.8
12
11-24 18:25

innoswitch3-ep系列的1250V产品,可以满足工业用电的高需求和期望,具有更高的电压裕量,以及更出色的耐用性和可靠性,适用于很多更高输入电压的应用。

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XHH9062
LV.9
13
11-25 22:44

氮化镓方案,现在应用的状况如何

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听听1234
LV.4
14
11-26 14:22

氮化镓具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持更高环境温度工作等特点,能够在更高的电压下提供更低的损耗,并且在开关切换时使用的能量更少。

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沈夜
LV.8
15
11-27 01:33

Innoswitch3-ep系列1250V电源芯片如何提升可靠性?

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千影
LV.5
16
11-27 20:48

如何优化开关电源以提高效率和可靠性?

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xxbw6868
LV.9
17
12-03 13:10

PowiGaN开关替代了初级侧的传统硅晶体管,从而可以大幅降低开关损耗。

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trllgh
LV.9
18
12-05 13:13
@xxbw6868
PowiGaN开关替代了初级侧的传统硅晶体管,从而可以大幅降低开关损耗。

与硅器件相比,PowiGaN™产品可以实现体积更小、重量更轻、效率更高的充电器、适配器和敞开式电源设计。

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12-12 13:23
@trllgh
与硅器件相比,PowiGaN™产品可以实现体积更小、重量更轻、效率更高的充电器、适配器和敞开式电源设计。

使用 GaN 设计需要仔细考虑电路板布局以及与高速开关有关的其他问题。

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spowergg
LV.10
20
12-21 17:33

INN3629为同步整流、波谷开通的非连续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)的反激式控制器。

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