INN5396最大的特点就是采用了无需有源钳位开关的零电压开关（ZVS）操作，同时更加精准的SR FET控制技术，进而可以实现更高的效率及整体方案极低的元件数目。使用的是氮化镓（GaN）的功率开关和零电压开关，因此可以降低开关损耗，使变换效率超过95%。这样的设计可以省去热管理所需的散热片、导热片和灌封材料，从而进一步减小尺寸，降低元件成本和制造复杂性。
该产品高效率反激电源设计的拓扑结构
主控IC可以优化紧凑型、高效率单口或多口USB PD适配器的设计和制造，还能方便用户实时掌握电源的工作状态，包括电源的故障情况等
创新地将ZVS反激式拓扑与GaN互相结合，让原本普通的电源器件拥有了神奇的功效——开关损耗几乎为零，并且可以利用GaN低导通电阻的优势来降低导通损耗。随着器件温升的降低，可以实现更加紧凑的适配器布局，其元件数量远远少于非对称半桥（AHB）电路或有源钳位的方案设计。
