inn5396在笔记本充电器中应用

FluxLink技术可安全地越过隔离层，提供非常大的通讯带宽，实现极快的负载瞬态响应，并省去光耦器，具有极高的可靠性

ZVS反激式拓扑本身就减少了一些传统反激式拓扑中需要的元件，如钳位电路和额外的驱动电路。

ZVS反激式拓扑与GaN互相结合是一个很好的思路，但是具体问题需要具体分析的

采用 InnoSwitch-3 IC 的设计很容易满足所有全球能效法规，并且具有低散热的特点。

零电压开关设计值得思考和反思。

由于集成了 SR FET 栅极驱动器，它还配备了先进的直通和交叉传导防止机制。

INN5396最大的特点就是采用了无需有源钳位开关的零电压开关（ZVS）操作，同时更加精准的SR FET控制技术，，这种技术有优势吗？

INN5396最大的特点就是采用了无需有源钳位开关的零电压开关（ZVS）操作，同时更加精准的SR FET控制技术，这种控制是如何操作的？

随着器件温升的降低，可以实现更加紧凑的适配器布局，其元件数量远远少于非对称半桥（AHB）电路或有源钳位的方案设计。有源钳位比较难理解

无需有源钳位开关的零电压开关操作，那ZVS是如何实现的呢

InnoSwitch3对同步整流的开关时序进行了优化，确保实现对初级侧的功率开关管和次级侧的同步整流开关管的开关时序更加精准。

非常不错的设计，拓扑结构非常有利于传输效率的提高

非常不错的设计使信号传输效率一直维持在较高水平

使用的是氮化镓（GaN）的功率开关和零电压开关，因此可以降低开关损耗，使变换效率超过95%，可用输出多大功率？

使用的是氮化镓（GaN）的功率开关和零电压开关，因此可以降低开关损耗，使变换效率超过95%。这样的设计可以省去热管理所需的散热片、导热片和灌封材料，从而进一步减小尺寸，降低元件成本和制造复杂性。

笔记本现在也都是大功率GAN了

如何通过ZVS和GaN提高反激电源的效率？

INN5396如何在保证高效率的同时实现器件小型化和成本降低？

笔记本充电器一般都是啥拓扑结构？

尽量延长次级侧SR整流管的导通时间，从而充分利用次级侧同步整流高效的特性，实现整体效率的提升。

根据干扰电压幅值优化变压器屏蔽圈数，通过改变寄生电容进而减小共模电压。

InnoSwith3同时集成了很多保护功能，其中增加了次级整流管短路保护功能。