背景：
在光伏逆变器、PCS、工业电源、UPS等三相的中大功率开关电源中辅助电源通常是自己设计，使用分立器件搭建的，由于母线通常采用双母线，并且可能存在高压电池供电的情况，因此辅助电源的供电通常高达600~1000V，那么如果反激辅助电源的主管用Si器件MOS通常只能设计为双管，因为Si器件的高压MOS成本高，使用IGBT又受限于开关频率低。而随着SiC MOS的成本降低，以及各个厂家推出了高压SiC MOS，比如1700V、Rds(on)低于1Ω并且不需要负压驱动的高压器件，并且可以提高开关频率，使用单管设计反激电路原边主管即可，从整体成本上来说会越来越接近于传统的双管反激。本设计的构想就是基于1700V的SiC MOS设计适用于高压供电工况下的单管辅助电源的验证。
相比较双管反激，单管反激从设计上就天然的降低了很多的难度：
1.主管用单个SiCMOS，可提供=高开关频率到100kHz以上，降低变压器体积，SiCMOS开关损耗低；
2.只需要设计一个电流采样电路即可；
3.反激变压器原边只有一个绕组；
4.反激变换器原边电压高，电流小，可选择较细的铜线；
5.只需要原边一个管子的散热器，降低整体PCB器件占用面积。
当然单管反激也不是完美的，还存在以下需要注意事项：
选择控制IC的VO不能太低，可能会导致SiC MOS无法完全开通而烧管子；1700V的SiC MOS应力肯定会比较高的，需要设计RCD吸收以及管子上并联吸收电路，比如DS上 加RC；目前来看生产1700V的SiC MOS的厂商有限，选择器件上会有点受限；频率提高后，可能存在EMI的风险，需要进一步实际验证了进行调整和屏蔽。
构想的主要参数：
1.满载功率100W；
2.输入电压Vin范围：300Vdc~900Vdc，原边和幅边加强绝缘；
3.输出电压主路是+24V，另外几路-12V，+12V，Vcc，Vcan；
4.磁芯暂时选EER35；
5.DEMO板体积预计设计为10*15cm；
6.控制IC准备用UC284X系列，那就需要在Vout脚加一个推挽放大电流的电路；
7.暂时不加上EMI电路，只设计DC-DC电路本身。
