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聊聊反激电源的EMI设计

下面是PI经典的inno反激电源，应用比较广泛。对于市电产品，如何通过传导EMI测试呢，该如何改进呢，这里提供几种方法可以尝试下。

噪声来自哪里？下面是反激开关器件的实际波形：

噪声源头:开关动点变化的电压信号(等效电压源)；

噪声强度:频率与幅值(包含开关和振铃两重信号)。

VDS波形，关断时存在高频振铃，这里存在高次谐波影响RE测试。

增大MOS的开通电阻可以降低原边VDS的dV/dt， 但是PI这款反激电源开关管是集成在了芯片内部，无法直接调整。因此在供电源VCC去耦电容和内部驱动器之间串入电阻也是可以调整开通速度的，可以降低VDS斜率。

另一种方法是开关管漏源之间并联电容，在一定程度上可以降低VDS的dv/dt以及改变频点，但效率会降低，尤其是硬开关电源。这里不建议使用。

再有一种方法是使用RCD缓冲电路，可以抑制VDS尖峰电压。

最后是Layout调整，原边副边功率回路应保证最小环路面积。

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htwdb
LV.7
2
01-16 16:05

反激电源EMI的抑制可以在电源中加入适当的电阻、电容和电感等元件，可以有效吸收和衰减高频噪声。

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旻旻旻
LV.7
3
01-16 22:13

合理设计接地系统，确保设备各部分的电位一致，降低电磁干扰的影响

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听听1234
LV.5
4
01-17 11:55

反激电源的EMI设计关键在于优化布局、选择合适的元件和设计有效的滤波器。通过确保短路径布局并使用地平面，可以降低电流回路的电感，从而减少EMI。此外，使用低EMI的开关元件和高质量的磁性元件能进一步降低电磁干扰，而设计输入和输出的LC滤波器则可以有效抑制高频噪声。同时，加装金属屏蔽对敏感电路部分进行保护也是降低EMI的重要措施。

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疯狂的西红柿
LV.6
5
01-19 00:34

再有一种方法是使用RCD缓冲电路，可以抑制VDS尖峰电压。

最后是Layout调整，原边副边功率回路应保证最小环路面积。PCB设计很关键

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tanb006
LV.10
6
01-19 13:27

两个桥堆并联也是我经常使用的方式，可以扩大散热面积，降低二极管应力。

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快乐的小天使
LV.8
7
01-22 11:09
@htwdb
反激电源EMI的抑制可以在电源中加入适当的电阻、电容和电感等元件，可以有效吸收和衰减高频噪声。

这些有一些效果，一方面在源头降低，一方面添加吸收

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快乐的小天使
LV.8
8
01-22 11:09
@旻旻旻
合理设计接地系统，确保设备各部分的电位一致，降低电磁干扰的影响

接地设计很重要，尤其是对于EMI测试

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快乐的小天使
LV.8
9
01-22 11:11
@听听1234
反激电源的EMI设计关键在于优化布局、选择合适的元件和设计有效的滤波器。通过确保短路径布局并使用地平面，可以降低电流回路的电感，从而减少EMI。此外，使用低EMI的开关元件和高质量的磁性元件能进一步降低电磁干扰，而设计输入和输出的LC滤波器则可以有效抑制高频噪声。同时，加装金属屏蔽对敏感电路部分进行保护也是降低EMI的重要措施。

EMI关联的因素比较多，要考虑成本综合评估

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快乐的小天使
LV.8
10
01-22 11:11
@疯狂的西红柿
再有一种方法是使用RCD缓冲电路，可以抑制VDS尖峰电压。最后是Layout调整，原边副边功率回路应保证最小环路面积。PCB设计很关键

是的，最小环路面积这个很关键，很多拓扑电路都要这样设计

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快乐的小天使
LV.8
11
01-22 11:13
@tanb006
两个桥堆并联也是我经常使用的方式，可以扩大散热面积，降低二极管应力。

是的，并联有好处，均流方面有没有经验分享下

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地瓜patch
LV.8
12
01-23 21:17

EMI太难搞了，有时莫名其妙

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地瓜patch
LV.8
13
01-23 21:29
@听听1234
反激电源的EMI设计关键在于优化布局、选择合适的元件和设计有效的滤波器。通过确保短路径布局并使用地平面，可以降低电流回路的电感，从而减少EMI。此外，使用低EMI的开关元件和高质量的磁性元件能进一步降低电磁干扰，而设计输入和输出的LC滤波器则可以有效抑制高频噪声。同时，加装金属屏蔽对敏感电路部分进行保护也是降低EMI的重要措施。

确保短路径布局确保最短的地回路

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追魂幡℃
LV.8
14
01-27 00:36

EMI在开关电源中非常重要

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旻旻旻
LV.7
15
02-16 14:50

可以采用频率抖动技术，使开关频率在一定范围内随机变化，从而降低特定频率下的电磁干扰

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疯狂的西红柿
LV.6
16
02-20 00:15

增大MOS的开通电阻可以降低原边VDS的dV/dt， 但是PI这款反激电源开关管是集成在了芯片内部，无法直接调整，为什么无法调整？

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only one
LV.7
17
02-21 00:11

增大MOS的开通电阻可以降低原边VDS的dV/dt， 但是PI这款反激电源开关管是集成在了芯片内部，无法直接调整。那有什么好的办法

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dy-XU5vrphW
LV.7
18
02-21 08:37

反击电源的信号传输会一直稳定么

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dy-nmLUWFNr
LV.8
19
02-21 09:44

如何有效降低系统电源的EMI

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疯狂的西红柿
LV.6
20
02-23 01:21

另一种方法是开关管漏源之间并联电容，在一定程度上可以降低VDS的dv/dt以及改变频点，但效率会降低，效率提高才行。

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dy-StTIVH1p
LV.8
21
02-23 15:45

反激电源的EMI设计有利于平衡信号传输

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