• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

IGBT或BJT三极管 ZCS完全谐振半桥变换器

好长时间之前就有人问我IGBT做LLC 为什么效率没法像MOS的那么高.

这是因为IGBT的开关损耗主要是“拖尾电流”损耗,如果是在管子上有大电流的情况下拉低栅极电压将其关断,并且关断之后管子上承受高压,则在刚开始承受高压的时候管子会有一些电流漏出来,就是这些电流产生了很大的损耗,并且有可能导致热失效.BJT也一样.

欲知详情,google搜索igbt tail current即可.

市面上的LLC芯片都是为MOS设计的,设计目标是避免MOS的硬开通(在两端承受高电压时开通,会引起DS电容损耗),而IGBT的CE电容相比MOS低得多,这一点损耗无所谓.

IGBT应该工作在谐振峰曲线的左侧,即频率低于谐振频率,此时半桥右端的电路表现为容性.当管子电流降到0时就将其关断.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/73/2217781231638117.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

如图是一个大功率IGBT半桥,假定输入电压380V.
它的时序是:
上管Q1导通,谐振电容的电压为190V(这个电压在运行过程中并不保持190v左右) 于是190V电压加在漏感、变压器初级励磁电感上,此时次级输出电容被充电.

随着谐振电容渐渐被充电,谐振电容上的电压渐渐达到电源电压.因为励磁电感和漏感中电流尚未归0,它们中的电流冲到谐振电容里,将电容上的电压充到2倍电源电压以上.终于,电感电流归0,之后电流开始沿IGBT的反并联二极管(图中未画出)反向流动,在这一刻,IGBT的CE电压为-1V左右,电流为0. 这时关闭上管Q1.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/73/2217781231640020.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">


上管Q1关闭后, 等待反向电流过0.当电流再次过0,即可开通下管Q2. (也可以加大两管开通的间隔,以实现反馈调整输出电压)
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/73/2217781231639978.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

这个拓扑的优势在于以便宜的价格实现了超大功率.380V输入时,用8元左右的40A 500V IGBT就可以做到4kW的功率,或用1.5元的12A BJT可以做到800W的功率.由于工作频率低(磁芯100K左右,使用PC40/30磁料),一片普通的TL494就可以控制.
全部回复(17)
正序查看
倒序查看
tanknet
LV.7
2
2009-01-11 13:39
以前这种电源是用可控硅做的,遇到的一个主要困难就是低负载时会有音频干扰

现在是IGBT,可以把最低频率控制在20Khz,如果输出电压还过高就转变成调宽(此时丢失ZCS,但此时电流也小,拖尾电流损耗小) 就不会导致音频干扰.

BJT也同理! 这个拓扑的好处还在于有充足的关断时间(从一个管子关断到另外一个管子开通有一定的时间间隔,而且适合关断的时机很长(整个反并联二极管导通时期都可关管),极其适合有着不固定的存储时间的BJT,可以在正向电流下降到某个小值时,基极加负压抽取载流子,然后在反并联二极管导通时期完全关闭.

缺点是有效占空比较小.对于IGBT和BJT,这应该不会增加损耗.
0
回复
swithken
LV.5
3
2009-02-02 13:35
正在考虑LLC的ZCS的状态问题,谢谢你的好帖!
0
回复
zjqjl
LV.6
4
2009-02-02 20:44
@tanknet
以前这种电源是用可控硅做的,遇到的一个主要困难就是低负载时会有音频干扰现在是IGBT,可以把最低频率控制在20Khz,如果输出电压还过高就转变成调宽(此时丢失ZCS,但此时电流也小,拖尾电流损耗小)就不会导致音频干扰.BJT也同理!这个拓扑的好处还在于有充足的关断时间(从一个管子关断到另外一个管子开通有一定的时间间隔,而且适合关断的时机很长(整个反并联二极管导通时期都可关管),极其适合有着不固定的存储时间的BJT,可以在正向电流下降到某个小值时,基极加负压抽取载流子,然后在反并联二极管导通时期完全关闭.缺点是有效占空比较小.对于IGBT和BJT,这应该不会增加损耗.
顶!
0
回复
h168
LV.3
5
2009-04-10 22:20
@tanknet
以前这种电源是用可控硅做的,遇到的一个主要困难就是低负载时会有音频干扰现在是IGBT,可以把最低频率控制在20Khz,如果输出电压还过高就转变成调宽(此时丢失ZCS,但此时电流也小,拖尾电流损耗小)就不会导致音频干扰.BJT也同理!这个拓扑的好处还在于有充足的关断时间(从一个管子关断到另外一个管子开通有一定的时间间隔,而且适合关断的时机很长(整个反并联二极管导通时期都可关管),极其适合有着不固定的存储时间的BJT,可以在正向电流下降到某个小值时,基极加负压抽取载流子,然后在反并联二极管导通时期完全关闭.缺点是有效占空比较小.对于IGBT和BJT,这应该不会增加损耗.
你的想法是很好,但实现起来可能不易.
运行在谐振频率高端的LLC是以接近50%的占空比工作的,这才是它能获得高效率的主要原因.当然由于开关损耗的减少也使效率得到了少量的提升.
如果工作在谐振频率低端,则是ZCS模式.看了一些相关资料,这种状态下一般是固定导通时间,关断时间可变,负载越轻,频率越低,实时占空比越小,因此不能在全负载范围内以50%占空比工作,尤其是频率低于1/2fs后,峰值电流很大,如此一来,必须选用电流定额很高的IGBT,咱们所期望的采用普通IGBT就能输出大功率的想法无法达成.
0
回复
tanknet
LV.7
6
2009-04-11 10:02
@h168
你的想法是很好,但实现起来可能不易.运行在谐振频率高端的LLC是以接近50%的占空比工作的,这才是它能获得高效率的主要原因.当然由于开关损耗的减少也使效率得到了少量的提升.如果工作在谐振频率低端,则是ZCS模式.看了一些相关资料,这种状态下一般是固定导通时间,关断时间可变,负载越轻,频率越低,实时占空比越小,因此不能在全负载范围内以50%占空比工作,尤其是频率低于1/2fs后,峰值电流很大,如此一来,必须选用电流定额很高的IGBT,咱们所期望的采用普通IGBT就能输出大功率的想法无法达成.
可以运行在深度连续模式(通过加大输出电感)
负载最高的时候每管占空比到50%就够了,IGBT选型是根据最高功率来选的
0
回复
2009-04-11 10:59
个人认为还存在一个工程上的难题——软启动问题.
ZVS模式因为是工作在感性模式,启动时工作频率从高频端向低频端扫频.MOS中的电流是逐渐增加的.
而ZCS是工作在容性模式,如何软启动呢?从高向低扫频肯定是不合适的了.从低往高扫频呢?好像并不能解决启动时峰值电流很大的问题.
请问楼主对这个问题怎么看待?
0
回复
tanknet
LV.7
8
2009-04-11 11:40
@斯振电子
个人认为还存在一个工程上的难题——软启动问题.ZVS模式因为是工作在感性模式,启动时工作频率从高频端向低频端扫频.MOS中的电流是逐渐增加的.而ZCS是工作在容性模式,如何软启动呢?从高向低扫频肯定是不合适的了.从低往高扫频呢?好像并不能解决启动时峰值电流很大的问题.请问楼主对这个问题怎么看待?
以硬开关+小占空比的模式启动,就跟TL494的那个SS一样
可以迅速烧热IGBT,让它达到平均工作温度(70度左右)
0
回复
2009-04-11 15:36
@tanknet
以硬开关+小占空比的模式启动,就跟TL494的那个SS一样可以迅速烧热IGBT,让它达到平均工作温度(70度左右)
用PWM模式启动的话,就存在一个非ZCS的过程,IGBT会存在大电流关断的状态,此时杂散电感会产生很高的Vce尖峰.特别是IGBT和BJT的CE结电容小,这个尖峰会比MOS的硬关断尖峰还要高.
问题这就来了,这么高的尖峰,会不会导致IGBT或BJT被击穿?如果为了消除尖峰而加吸收电路的话,那么启动完成后,这个吸收电路却又变成多余的了......
0
回复
discussant
LV.6
10
2009-05-06 18:45
请教一个问题,工作在容性会有硬开通问题吗?电磁加热是要工作在弱感性的,这个和电磁加热有什么不同?
0
回复
tanknet
LV.7
11
2009-05-11 00:37
@discussant
请教一个问题,工作在容性会有硬开通问题吗?电磁加热是要工作在弱感性的,这个和电磁加热有什么不同?
会.但对于IGBT、BJT,大电流关断比高电压开通损耗大一些,对于MOS则相反.
0
回复
lesonlee
LV.5
12
2009-09-20 13:43
@tanknet
以前这种电源是用可控硅做的,遇到的一个主要困难就是低负载时会有音频干扰现在是IGBT,可以把最低频率控制在20Khz,如果输出电压还过高就转变成调宽(此时丢失ZCS,但此时电流也小,拖尾电流损耗小)就不会导致音频干扰.BJT也同理!这个拓扑的好处还在于有充足的关断时间(从一个管子关断到另外一个管子开通有一定的时间间隔,而且适合关断的时机很长(整个反并联二极管导通时期都可关管),极其适合有着不固定的存储时间的BJT,可以在正向电流下降到某个小值时,基极加负压抽取载流子,然后在反并联二极管导通时期完全关闭.缺点是有效占空比较小.对于IGBT和BJT,这应该不会增加损耗.
..如果输出电压还过高就转变成调宽(此时丢失ZCS,但此时电流也小,拖尾电流损耗小) ..

拖尾电流不仅不小,而且还会增加很多,只是占空比小了而已.

我的方法是断续工作
0
回复
剑心
LV.8
13
2009-09-21 19:32
@斯振电子
用PWM模式启动的话,就存在一个非ZCS的过程,IGBT会存在大电流关断的状态,此时杂散电感会产生很高的Vce尖峰.特别是IGBT和BJT的CE结电容小,这个尖峰会比MOS的硬关断尖峰还要高.问题这就来了,这么高的尖峰,会不会导致IGBT或BJT被击穿?如果为了消除尖峰而加吸收电路的话,那么启动完成后,这个吸收电路却又变成多余的了......
这个东西输出可以短路,不存在启动浪涌电流
0
回复
tanknet
LV.7
14
2009-09-24 01:44
@lesonlee
..如果输出电压还过高就转变成调宽(此时丢失ZCS,但此时电流也小,拖尾电流损耗小)..拖尾电流不仅不小,而且还会增加很多,只是占空比小了而已.我的方法是断续工作
如果在对音频干扰不敏感的情况下,断续工作也是一种很好的方法
0
回复
2009-11-26 18:57
@剑心
这个东西输出可以短路,不存在启动浪涌电流
什么东西输出可以短路?我感觉你好象没有明白我的意思.......
0
回复
剑心
LV.8
16
2009-11-26 21:01
@斯振电子
什么东西输出可以短路?我感觉你好象没有明白我的意思.......
ZCS变换器自身可以限制输出短路电流,见1楼的图
0
回复
tanknet
LV.7
17
2009-12-01 07:46
@斯振电子
用PWM模式启动的话,就存在一个非ZCS的过程,IGBT会存在大电流关断的状态,此时杂散电感会产生很高的Vce尖峰.特别是IGBT和BJT的CE结电容小,这个尖峰会比MOS的硬关断尖峰还要高.问题这就来了,这么高的尖峰,会不会导致IGBT或BJT被击穿?如果为了消除尖峰而加吸收电路的话,那么启动完成后,这个吸收电路却又变成多余的了......
半桥不会出现超过输入电压的Vce尖峰的,假设是上管Vce尖峰超过输入电压,则下管反并联二极管开通,把Vce钳制住.

你说的Vce尖峰只在推挽和单端拓扑中出现.
0
回复
2009-12-01 09:14
学习中.......谢谢!
0
回复