单端正激能否不使用复位绕组?
当开关管关闭时,让变压器初级电感里面的电流流入MOS的DS电容(或并联一个小电容),直到磁芯复位并且承受反向伏秒数,等MOS的DS电压又降下来,再打开开关管,像QR反激一样?
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@tanknet
NCP1205,OB2203?还有一种想法,就是复位绕组放在次级,用反激的接法接次级输出电容,复位的时候磁芯能量不是返回输入电容,而是进入输出电容
NCP1205的Demag脚内部电路不知道,故此对于它是如何判断电感电流过零的机理不能确知.估计是通过检测辅助绕组的耦合电压,当这个电压为零时,就认为电感电流完全断续.如果这样,初步看来恐怕不能很好的应用在正激电路中.
因为正激拓扑复位的目的是使得激磁电流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重复磁化.而反激电路却并不需要单独的复位过程.因为在副边二极管导通的时候实际上就是在是磁芯复位.
就源边来看,正激电路要处理的问题有二,一是磁芯复位,二是漏感能量泄放.而反激拓扑则主要处理漏感能量就可以了.磁芯复位过程实际上就是能量传递的过程.反射电压其实就是正激电路里边的磁芯复位电压.
至于复位绕组能量释放到副边,这样做可能会面临一点点不变.那就是对于确定的输出电压会将复位电压钳位.这样会进一步限制占空比,尤其是输入电压变化比较大的时候.如果输出电压变化也比较大,那问题还会恶化.
实际上,某些ZVT电路就是利用一个小的反激变压器来将并联在开关管两端的电容里边的能量(漏感能量,可能还有激磁能量)传递出去.这里边既可以是源边,也可以是副边,或者辅助电源.
据说,(网上检索到的资料,可能为同一出处)第三代有源钳位的专利就包括这样的改进,将复位能量耦合到副边,提高效率.
不过我并没有见到专利的原文.也没有见到确切的电路图,甚至第二三代有源钳位的具体描述也没有.这个代的划分依据也不清楚.
因为正激拓扑复位的目的是使得激磁电流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重复磁化.而反激电路却并不需要单独的复位过程.因为在副边二极管导通的时候实际上就是在是磁芯复位.
就源边来看,正激电路要处理的问题有二,一是磁芯复位,二是漏感能量泄放.而反激拓扑则主要处理漏感能量就可以了.磁芯复位过程实际上就是能量传递的过程.反射电压其实就是正激电路里边的磁芯复位电压.
至于复位绕组能量释放到副边,这样做可能会面临一点点不变.那就是对于确定的输出电压会将复位电压钳位.这样会进一步限制占空比,尤其是输入电压变化比较大的时候.如果输出电压变化也比较大,那问题还会恶化.
实际上,某些ZVT电路就是利用一个小的反激变压器来将并联在开关管两端的电容里边的能量(漏感能量,可能还有激磁能量)传递出去.这里边既可以是源边,也可以是副边,或者辅助电源.
据说,(网上检索到的资料,可能为同一出处)第三代有源钳位的专利就包括这样的改进,将复位能量耦合到副边,提高效率.
不过我并没有见到专利的原文.也没有见到确切的电路图,甚至第二三代有源钳位的具体描述也没有.这个代的划分依据也不清楚.
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@楚天?
NCP1205的Demag脚内部电路不知道,故此对于它是如何判断电感电流过零的机理不能确知.估计是通过检测辅助绕组的耦合电压,当这个电压为零时,就认为电感电流完全断续.如果这样,初步看来恐怕不能很好的应用在正激电路中.因为正激拓扑复位的目的是使得激磁电流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重复磁化.而反激电路却并不需要单独的复位过程.因为在副边二极管导通的时候实际上就是在是磁芯复位.就源边来看,正激电路要处理的问题有二,一是磁芯复位,二是漏感能量泄放.而反激拓扑则主要处理漏感能量就可以了.磁芯复位过程实际上就是能量传递的过程.反射电压其实就是正激电路里边的磁芯复位电压.至于复位绕组能量释放到副边,这样做可能会面临一点点不变.那就是对于确定的输出电压会将复位电压钳位.这样会进一步限制占空比,尤其是输入电压变化比较大的时候.如果输出电压变化也比较大,那问题还会恶化.实际上,某些ZVT电路就是利用一个小的反激变压器来将并联在开关管两端的电容里边的能量(漏感能量,可能还有激磁能量)传递出去.这里边既可以是源边,也可以是副边,或者辅助电源.据说,(网上检索到的资料,可能为同一出处)第三代有源钳位的专利就包括这样的改进,将复位能量耦合到副边,提高效率.不过我并没有见到专利的原文.也没有见到确切的电路图,甚至第二三代有源钳位的具体描述也没有.这个代的划分依据也不清楚.
OB的东西我对他没有好印象.起因是我之前在论坛看到有人谈论某OB芯片,比较意动,兴致勃勃的去找datasheet,却发现那里都找不到.好像厂家不提供,或者只提供给大客户.所以对于你上面提及的芯片我就不说什么了.
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@楚天?
正激ZVS软开关就是酱紫滴……电压应力比较大,变频控制.轻载软布下来,重载电压严重飙升.谐振时间随负载变化较大(ds间并联较大电容时能有所改善).你可以自己搭一个玩玩.用3845就可以.在3845的利用drive脚额外驱动一个小MOS来钳位住震荡器,调整DS电容或震荡器周期,使之相互匹配.效率不错,就是电压太高.折腾不起.反激也可以试试.
没错用变频来做,电容应并在绕组两端,谐震复位,DS DG电容也参加了这个过程,轻载可以软下来,只是要牺牲功率因素,做一下拉氏变换看得很清楚,管子关断后绕组回路电流使电容充到高负压然后谐震回到电源电压,这里有一个回路最小初始电流条件,这个条件必须保证,否则软不下来,重载时初始电流变的较大,电容负压变大,管子的耐压3倍以上电源电压可以,2倍电压复磁,快!B也可取的较大.空载和重载的频率从交流阻抗的角度理解会无穷大,但实际上是可以控制的,5/1 3/1 都可以做到,当然比值越小越难做,这些都不是关键性的问题.关键问题是控制电路,电路要自己搭,麻烦!IC业是滞后的!
还有一类做法是C并的较小,快速复磁后管子上保持一平台残余电压,半软半硬,捡占空比的便宜.
还有一类做法是C并的较小,快速复磁后管子上保持一平台残余电压,半软半硬,捡占空比的便宜.
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@楚天?
NCP1205的Demag脚内部电路不知道,故此对于它是如何判断电感电流过零的机理不能确知.估计是通过检测辅助绕组的耦合电压,当这个电压为零时,就认为电感电流完全断续.如果这样,初步看来恐怕不能很好的应用在正激电路中.因为正激拓扑复位的目的是使得激磁电流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重复磁化.而反激电路却并不需要单独的复位过程.因为在副边二极管导通的时候实际上就是在是磁芯复位.就源边来看,正激电路要处理的问题有二,一是磁芯复位,二是漏感能量泄放.而反激拓扑则主要处理漏感能量就可以了.磁芯复位过程实际上就是能量传递的过程.反射电压其实就是正激电路里边的磁芯复位电压.至于复位绕组能量释放到副边,这样做可能会面临一点点不变.那就是对于确定的输出电压会将复位电压钳位.这样会进一步限制占空比,尤其是输入电压变化比较大的时候.如果输出电压变化也比较大,那问题还会恶化.实际上,某些ZVT电路就是利用一个小的反激变压器来将并联在开关管两端的电容里边的能量(漏感能量,可能还有激磁能量)传递出去.这里边既可以是源边,也可以是副边,或者辅助电源.据说,(网上检索到的资料,可能为同一出处)第三代有源钳位的专利就包括这样的改进,将复位能量耦合到副边,提高效率.不过我并没有见到专利的原文.也没有见到确切的电路图,甚至第二三代有源钳位的具体描述也没有.这个代的划分依据也不清楚.
在正激电路中直接在MOS端加电容是不可取的,小了没用,大了有害.如果能将复位能量引到次级而提高效率倒是不错的选择.
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