请教触发管的问题???

测试两边电压不要相差0.5伏.

请问你,拿那一种的测试仪器测试好呢?

晶体管直流测试仪表

用QT-2(晶体管特性分析仪)可以测,DB3回扫电压不低于2V就可以了.

直接用万用表,调到电阻20/200M,测两端阻值,有阻值的不行,请注意此问题.

6楼的用你的方法可以吗?你试过没有呀?

当然,我去年曾经有一批产品出现线路有时工作有时不工作,花了很大力气才找到最终的原因,就是这个原因.后来一直用这个办法检测DB3,到现在差不多一年了,没有再出现过了.不过此问题很容易被人忽视...

呵呵!DB3的问题可多着呢!HECHANGLIANG兄,你见过DB3开路没有呀,你的方法可行吗?

当然,这只是检测db3的一道工序

呵呵,谢谢各位大哥的指点,小弟收到了
现在用触发电路多数是触发管出现问题的,所以现在很烦,现在经过各位大哥的指点心情好多了,谢谢!

关于DB3几个参数的说明
一、 VBO—最大转折电压,即DB3在导通前可以施加在两端的最大电压.作为本器件最重要的一项参数, VBO是电路设计人员首要考虑的问题.在不同的电路中对VBO的要求也是不一样的,举例说明:
A) 图2的调光灯电路的工作原理为:打开开关K,即开始了对电容C的充电,当电容C上的电压达到2CTS(DB3)的最大转折电压VBO后,DB3迅速导通进入负阻区,电容上的电能通过DB3对电阻R2放电,形成电压,则触发可控硅3CT进入导通.电容C上的充电速度取决于时间常数T,T=(R+W)*C,所以改变W的电阻值,即可改变触发可控硅早晚,即改变其导通角.VBO的大小同样也影响导通角.故在此电路中对VBO的对称性要求应该要高一些.
B) 图3是典型的节能灯电路:当电容C2上的电压充至DB3的最大转折电压VBO时,DB3迅速导通进入负阻区,电容上的电能通过DB3、V2的发射结对电阻放电,将V2迅速带入饱和状态,并将灯管点亮.值得注意的是,由于V1、V2的振荡频率远远高于电容C2的充电时间常数,所以在电路此后的工作中电容C2上的电压被二极管1N4007泻放,即DB3将不再参加其中的工作.
C) 两个电路比较:对于图2电路,由于DB3在使用时是不分极性的,所以对于对称性的概念其实就是一个整批一致性的概念.VBO的大小和对称性将影响着可控硅的导通角,影响着整批电路的一致性.对于图3电路来说,需要的仅仅是一个有效的触发脉冲,而DB3的VBO大小对电路的工作并无直接影响.
二、 IBO和IB—分别为和VBO和VBO/2下的漏电流:在以上两个电路中IBO和IB都影响着电容C上的充电速度以及能否成功触发DB3.若两项漏电流都较大,则电容在充电的同时电能也被渐进地泻放,造成的结果是充电时间加长了数倍或根本不能超越VBO.所以对IBO和的IB的要求应该是越小越好.
三、 ΔV—电压回差:在DB3以恒定电流IF导通后的压降VF和VBO的差值,即VBO- VF.由于在以上两个电路中均有电容对回路中的电阻进行放电,而放电电流的大小和脉冲的波形则为成功出发后面电路的关键所在.由于各公司DB3的生产工艺不同,所以其在电路中的触发波形也相差很大.我们用美国Tektronix公司的TDS3012B型示波器捕捉了图3中V2发射极的电压,便可以清楚地看到不同的DB3触发电流波形图.
图4为选用我公司JF DB3,其中ΔV1=7V(IF1=0.5mA)的触发电流波形.
图5为选用我公司JF DB3,其中ΔV1=2V(IF1=0.5mA)的触发电流波形.
图6、图7为选用其他公司×× DB3,其中ΔV1=6V(IF1=0.5mA)的触发电流波形.
     由四个图比较可以看出JF DB3的波形比较大,而且上升时间很短约100ns,而其他产品则波形平坦,上升时间约200 ns.两种波形比较的话,平坦的、上升时间长的不易触发,反之则易欲触发.再拿我公司的两种来比较,由图可以看出:其中ΔV1的差异并不能明显改变波形的形状和大小.主要是我公司的JF DB3经过工艺改进后将上升时间T大幅度缩小,从而削弱了ΔV1对触发波形的影响.若上升时间T过大,则波形的高度不能保证,不易触发,只有通过增加ΔV1和ΔV2来保证.我们在工艺上减小了T提高了ΔV2,使得触发更加容易,实践证明采用新工艺后ΔV2>2V便可以成功触发节能灯电路.
四、 国际通用的DB3参数标准:
项目 参数值 测试条件
VBO 32±4V
│+VBO│-│-VBO│ 3V
IBO 100μA
IB 10μA VBO/2
│±ΔV│ >5V
Tr <1.5μS
以上为我公司技术人员的分析结论,由于水平有限,错误在所难免,请批评指正.

说的好.可是产品批次的一致性不好的话,不是也麻烦,呵呵

您能告诉我您的联系电话吗?我也遇到你说的问题,想请教怎么解决,谢谢!!!