怎样提高OB2269的效率?

老兄,效率已经很高了

90V是太热了,当把效率提高到87%时温度就可以过了,DX们有什么办法吗?

就是要减少2-3W左右损耗?不知道你150V耐压的管子能不能顶得住?

150v顶不住,从示波器上看已到150V了.我现在用的MOS是2SK2996(10A600V),RDSon=0.95,想找到RDSon小于0.75的管子试一下(2sk2843就是这个值,听说此管不生产了,不知有无此事?),价格又跟2SK2996相当,不知七公有无良策?

是的现在已经不产那 ,,,都用2SK3569或者用大一点2SK3451

用CoolMOS看一下,这种管子RDSon很小,我就帮用它做了一款24V5A的效率可以达到90%.

CoolMOS固然好,但价格贵了,成本就上去了.你的90%的效率用什么拓朴做的?交流下好吗?

反激式

MOS驱动能力是不是不足?

加双管推动,功率高了,效率又要高,关键元器件是不能省的.

我很想知道你的90%效率元器件是什么组合?真心向您请教!再问一下,加大负载时变压器会吱吱的叫,问题出在哪里?

如果你舍得,用800V的MOS,占空比调大,去掉变压器的所有屏蔽,更快速的MOS管驱动,做88%的效率一点问题都没有.

反激的效率能做這么高阿?我一般高壓才做到82%,是不是我變壓器沒做好?

变压器一般会有2%的效率损耗.如果加屏蔽,工艺,铜线,磁芯不好,那么损耗更大

用COOLMOS加IR的肖特基,变压器用PQ3225,把占空比加宽一点,MOS管的耐压加到700V,肖特基耐压放低一点,前级电容加大一点是可以做得到的.

至于你说的加大负载有响声的问题,建议你将PCB图还有原理图出来让大家帮你分析,人多力量大嘛,呵呵.

这是PCB 1960101236432196.rar

把MOS散热片接地,IC第三脚的供电怎么没经过整流的,变压器有没有真空含浸,具体的电路参数还不知道.

散热片接大地,没有接一次侧的负端.供电端可以这样接,电源可以启动.变压器有没有真空含浸也不会有吱吱的叫声,只会有咝咝声.

热敏电阻拿掉呢?
无损吸收不知道专利保护到期没有.

我不知道无损吸收的电路,贴出来让我开开眼界,看能否把这效率提上去?多谢楚天兄!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/75/37621236600684.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
你参考一下吧.这个电路介绍的挺多的,可能你一时没想起来吧.
一般C决定Vds最大值,L与C的谐振时间为T/3-T/5左右吧.
注意,这个电路是有专利保护的……具体专利号我不知道:(

这么结构简单又有效的电路都有专利保护,那不是很阻碍技术进步啊?

正激复位绕组都是有专利的……

这样的话D1要用到很大才行,是吗?

不用.D1的RMS电流并不大的.L也可以很小,用很细的铜丝就可以.
这个电路在反激中是处理漏感的,在正激中才是处理激磁电流以及漏感能量的.
武汉洲际电源的24V50A的双管正激无风扇电源就是采用这样的复位方式.两只二极管不过是用3A的并联而已(增大散热面积).或者用一个220封装的足矣.

这个电路对瞬态的吸收效果不好,开关冲击时MOS的VDS电压很高.

我试了一下这个电路,L1分别用不同的电感量,效果不理想.用示波器观察MOS源极波形,发现变压器有饱和现象.电容也从102-103中替换来替换去,还是不行.可能是我用的材料问题,就不知道电感,电容,变压器3者之间怎样配合.还望DX们指点.

DD

把热敏电阻拿掉,效率86.8%-89.3%,但是这只能做做试验,没人敢拿去生产.郁闷啊!这该怎么办呢?哪位DX给我出点招?