有关逆变桥上MOSFET爆炸的问题

不会是耐压问题,除非管子质量太次.

是不是因为我在后面接的LC滤波网络导致的?也就是说,由于LC的阻抗太小,导致MOSFET的过电流太大损毁管子,参数为:C为40uF,L为0.7mH.还有个可能,会不会是因为我得直流(310V)电源不稳的原因?因为我在单相整流桥的输出端仅用一个10uF的电容进行滤波,这样是不是会使得逆变桥的电源不稳?但是我在示波器上看到的是稳定的.

40uF的电容?你用的是什么类型的?若为方波/50Hz,你的这个LC回路不加也罢,没有多大的实际意义.反而震荡会使FET发烫严重,烧管.

贴出你的主电路图,控制模式,输出功率,等等.还有,你的LC太大了吧!

弱弱的问,你是第一次实验就爆了,还是做了很多次实验,后来才暴的呀?

你说:"都是在器件的3脚(漏极)形成一个孔"
我就不解了,3脚不应该是S端(源极)吗?大哥,是我搞错了,还是你说错了怎么的,不然要是你把MOSFET的三个管脚都接错了,那爆的几率应该是蛮大的吧!

我最初用的是低压直流35V稳压电源,后来做的高压310V,一上电就爆炸了,第一次爆炸了 一个,我以为是管子的质量有问题,就换上了一个好的,继续作,结果第二次全爆炸了!这里是我得电路图的示意,请大家看看.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122707117.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

是否考虑一下温升问题.

估计是门极信号干扰,导致上下管直通.简易观察门极信号在同臂管通断时刻时候会导致门极干扰.

若只烧左边或右边怎么回事

不好意思,我把烧坏的管脚弄错了,是3脚,源极.

还有,我的整流桥的输出并没有用大的电容进行滤波,而是用的一般的无极性的10UF的滤波电容,是不是与这个也有关系?

像你这种情况桥臂直通的可能性比较大,你的工作频率是多少呢

工、作频率为24KHZ,您所说的直通的现象经过检查已经排除,现在觉得最大的可能就是滤波电路的电容过大,导致无功电流大,从而烧坏器件,请各位指教!

我也正打算用同样的电桥做工频220v逆变,你的滤波电容电感怎么选的.

变压器不会有问题吧,如果漏感太大也有可能

没有使用变压器,我现在怀疑是由于MOSFET的反并联二极管的续流能力不够,不知道是不是.

这个可能性很小,那你在MOSFET上面接的什么呀

在逆变桥的输出接的是LC低通滤波网络

i不知你的信号,有没有问题

发表愚见:
所上二种原因都不可能.
1.吸收场管DS两端吸收,310两端CBB电容2UF/500VDC即可.
2.振荡问题,系统不稳定很容易炸机.
3.反馈回路不当,波形没有收窄.

个人感觉,是过压击穿.
1 整流后的电压由于滤波电容太小,所以纹波很大.(不知能否看到整流后的电压波形)
2 mos 管没有加吸收,会有很高的spike.