展日hid全桥MOS容易坏,何解?

技术方面不太懂,不知桥MOS管容易损坏是否与桥MOS管的耐压和RSD(ON)有一定的关系;另外推荐给大家两款不错的MOS管;英飞凌的COOLMOS:SPD04N60C3,SPD07N60C3;同样是DPAK(TO252)封装,更高的耐压,只有普通MOS管一半左右的导通电阻值.降低整机的损耗!

SPD07N60C3:
518961242356735.pdf

SPD04N60C3:
518961242357058.pdf

公司最近主推超薄HID产品上用的器件:
1.MOS管         TR5N50   5A  500V  TO-252
2.快恢复二极管   MUR860   8A  600V  TO-252
品质部分高于仙童,价格有一定的竞争力.
黄锃明 13616281628

1.5ke91是瞬态抑制二极管,和4.7uF电解共同起到吸收高压包\变压器所产生的电压尖峰的作用.所以去掉肯定会有影响,但也不是绝对,现在很多工厂为降成本改为用压敏电阻,调节得当也能把返修率控制得很低.
    烧全桥管MOS和高压包\变压器匝数比,漏感,MOS驱动电路,保护电路都可能有关系,要具体问题具体分析.
    HID全桥MOS的工作条件和一般开关电源不同,选择也有技巧,不能只看标称耐压和电流,DV/DT,DI/DT能力很重要,同时也要关心是哪种工艺制造的MOS,并不是用了大牌子的就好,大牌子也有不同的工艺,是分别对应不同的应用条件优化的.

我公司是专业的HID行业MOSFET供应商,在HID行业有近50%的市场占有率,欢迎有兴趣者来电交流心得,互通有无.同时无偿提供全数字单芯片HID方案(9V-32V输入,效率85%以上,成本50元以下).

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