求教:IGBT的问题
我有一个问题想请诸位高手.我对IGBT模块不了解,为了选择一款IGBT,费劲了脑筋.这个IGBT模块用于一款自制的变频电源上.该变频电源输出电压可变(0~500v),电流随负载 而变化(0~5A).输出频率可调(10~10kHz),利用80c51控制IGBT输出方波电压.以前是拿三极管当功放的可是总烧它,现在我想换IGBT接大电源直接接负载,请问我该选择什么型号的IGBT模块和驱动模块.
求教:IGBT的问题
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型号:
西门子标准系列IGBT模块 型 号 技
术
资
料 VCES
Volts
IC
Tc=80°C
Amps. IC
Tc=25°C
Amps. Ptot
@
Tc=25°C
Watts VCEsat
Ic
Tc=25°C
typ. (V) 外形
BSM35GB120DN2 1,200 35 50 280 2,7
BSM50GB120DN2 1,200 50 78 400 2,5
BSM75GB120DN2 1,200 75 105 625 2,5
BSM100GB120DN2K 1,200 100 145 700 2,5
BSM100GB120DN2 1,200 100 150 800 2,5
BSM150GB120DN2 1,200 150 210 1,250 2,5
BSM200GB120DN2 1,200 200 290 1,400 2,5
BSM200GA120DN2 1,200 200 300 1,550 2,5
BSM300GA120DN2 1,200 300 430 2,500 2,5
BSM400GA120DN2 1,200 400 550 2,800 2,5
西门子标准系列IGBT模块 型 号 技
术
资
料 VCES
Volts
IC
Tc=80°C
Amps. IC
Tc=25°C
Amps. Ptot
@
Tc=25°C
Watts VCEsat
Ic
Tc=25°C
typ. (V) 外形
BSM35GB120DN2 1,200 35 50 280 2,7
BSM50GB120DN2 1,200 50 78 400 2,5
BSM75GB120DN2 1,200 75 105 625 2,5
BSM100GB120DN2K 1,200 100 145 700 2,5
BSM100GB120DN2 1,200 100 150 800 2,5
BSM150GB120DN2 1,200 150 210 1,250 2,5
BSM200GB120DN2 1,200 200 290 1,400 2,5
BSM200GA120DN2 1,200 200 300 1,550 2,5
BSM300GA120DN2 1,200 300 430 2,500 2,5
BSM400GA120DN2 1,200 400 550 2,800 2,5
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提示
西门康 IGBT 1200V
SKM 200 GA 123D 1.62Mb 200 25 2,8 1,380
SKM 300 GA 123D 1.76Mb 300 25 3,0 1,660
SKM 400 GA 123D 1.59Mb 400 25 2,8 2,750
SKM500GA123D(S) 2.72Mb 500 25 2,8 3,000
SKM 50 GB 123D 2.23Mb 50 25 2,7 310
SKM 75 GB 123D 1.52Mb 75 25 3,0 460
SKM 100 GB 123D 948kb 100 25 2,8 700
SKM 145 GB 123D 2.94Mb 145 25 3,0 830
SKM 150 GB 123D 1.63Mb 150 25 3,0 830
SKM 200 GB 123D 1.62Mb 200 25 2,8 1,380
SKM 300 GB 123D 4.29Mb 300 25 3,0 1,660
SKM 400 GB 123D 198kb 400 25 2,8 2,500
SKM 22 GD 123D 1.32Mb 22 25 3,0 145
SKM 40 GD 123D 1.39Mb 40 25 3,1 220
SKM 75 GD 123D 1.80Mb 75 25 3,0 390
SKM 50 GAL 123D 2.23Mb 50 25 2,7 310
SKM 75 GAL 123D 1.52Mb 75 25 3,0 460
SKM 100 GAL 123D 948kb 100 25 2,8 700
SKM 145 GAL 123D 2.94Mb 145 25 3,0 830
SKM 150 GAL 123D 1.63Mb 150 25 3,0 830
SKM 200 GAL 123D 1.63Mb 200 25 2,8 1,380
SKM 300 GAL 123D 4.29Mb 300 25 3,0 1,660
SKM 100 GAR 123D 948kb 100 25 2,8 700
SKM 145 GAR 123D 2.94Mb 145 25 3,0 830
SKM 150 GAR 123D 1.63Mb 150 25 3,0 830
SKM 200 GAR 123D 1.62Mb 200 25 2,8 1,380
SKM 300 GAR 123D 4.29Mb 300 25 3,0 1,660
SKM 200 GA 123D 1.62Mb 200 25 2,8 1,380
SKM 300 GA 123D 1.76Mb 300 25 3,0 1,660
SKM 400 GA 123D 1.59Mb 400 25 2,8 2,750
SKM500GA123D(S) 2.72Mb 500 25 2,8 3,000
SKM 50 GB 123D 2.23Mb 50 25 2,7 310
SKM 75 GB 123D 1.52Mb 75 25 3,0 460
SKM 100 GB 123D 948kb 100 25 2,8 700
SKM 145 GB 123D 2.94Mb 145 25 3,0 830
SKM 150 GB 123D 1.63Mb 150 25 3,0 830
SKM 200 GB 123D 1.62Mb 200 25 2,8 1,380
SKM 300 GB 123D 4.29Mb 300 25 3,0 1,660
SKM 400 GB 123D 198kb 400 25 2,8 2,500
SKM 22 GD 123D 1.32Mb 22 25 3,0 145
SKM 40 GD 123D 1.39Mb 40 25 3,1 220
SKM 75 GD 123D 1.80Mb 75 25 3,0 390
SKM 50 GAL 123D 2.23Mb 50 25 2,7 310
SKM 75 GAL 123D 1.52Mb 75 25 3,0 460
SKM 100 GAL 123D 948kb 100 25 2,8 700
SKM 145 GAL 123D 2.94Mb 145 25 3,0 830
SKM 150 GAL 123D 1.63Mb 150 25 3,0 830
SKM 200 GAL 123D 1.63Mb 200 25 2,8 1,380
SKM 300 GAL 123D 4.29Mb 300 25 3,0 1,660
SKM 100 GAR 123D 948kb 100 25 2,8 700
SKM 145 GAR 123D 2.94Mb 145 25 3,0 830
SKM 150 GAR 123D 1.63Mb 150 25 3,0 830
SKM 200 GAR 123D 1.62Mb 200 25 2,8 1,380
SKM 300 GAR 123D 4.29Mb 300 25 3,0 1,660
0
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提示
日本富士电机功率半导体中国代理
富士电机UPS专用600V IGBT单管
型号 技术资料 封装 VCES
Volts IC
TC=25°C
cont.
Amps. IC
TC=100°C
cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)
1MBK30D-060S TO247 600 50 30 150 2.9
1MBK50D-060S TO247 600 75 50 230 2.9
1MBH50D-060S TO-3PL 600 65 50 200 2.9
1MBH75D-060S TO-3PL 600 83 75 310 2.9
富士电机IGBT单管 型号 技术资料 封装 VCES
Volts IC
TC=25°C
cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)
1MBH60-100 81kb TO-3PL 1,000 60 260 3.2
1MBH60D-100* TO-3PL 1,000 60 260 3.2
富士电机增强型IGBT单管 型号 技术资料 封装 VCES
Volts IC
TC=25°C
cont.
Amps. IC
TC=100°C
cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)
1MBH50-060 227kb TO-3PL 600 82 50 310 3.0
1MBH50D-060* TO-3PL 600 82 50 310 3.0
1MBH15-120 254kb TO-3PL 1,200 26 15 245 3.5
1MBH15D-120* TO-3PL 1,200 26 15 245 3.5
1MBH25-120 247kb TO-3PL 1,200 38 25 310 3.5
1MBH25D-120* TO-3PL 1,200 38 25 310 3.5
*注:型号中“D”表示带反向二极管.
增强型中的反向二极管的额定电流与IGBT标称一致,安全区为矩形.
富士电机UPS专用600V IGBT单管
型号 技术资料 封装 VCES
Volts IC
TC=25°C
cont.
Amps. IC
TC=100°C
cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)
1MBK30D-060S TO247 600 50 30 150 2.9
1MBK50D-060S TO247 600 75 50 230 2.9
1MBH50D-060S TO-3PL 600 65 50 200 2.9
1MBH75D-060S TO-3PL 600 83 75 310 2.9
富士电机IGBT单管 型号 技术资料 封装 VCES
Volts IC
TC=25°C
cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)
1MBH60-100 81kb TO-3PL 1,000 60 260 3.2
1MBH60D-100* TO-3PL 1,000 60 260 3.2
富士电机增强型IGBT单管 型号 技术资料 封装 VCES
Volts IC
TC=25°C
cont.
Amps. IC
TC=100°C
cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)
1MBH50-060 227kb TO-3PL 600 82 50 310 3.0
1MBH50D-060* TO-3PL 600 82 50 310 3.0
1MBH15-120 254kb TO-3PL 1,200 26 15 245 3.5
1MBH15D-120* TO-3PL 1,200 26 15 245 3.5
1MBH25-120 247kb TO-3PL 1,200 38 25 310 3.5
1MBH25D-120* TO-3PL 1,200 38 25 310 3.5
*注:型号中“D”表示带反向二极管.
增强型中的反向二极管的额定电流与IGBT标称一致,安全区为矩形.
0
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提示
西门康IGBT和MOSFET驱动器
型 号 技术
资料 电源
电压
Vs
Volts 输入
信号
电压
ViH
Volts 绝缘电压
(AC;rms;
1min)/H4
Visol
k Volts VCEmax
(sense)
VCE
Volts
输出电
流最大
平均值
Iout
m Amps. 输出峰
值电流
最大值
IGp
Amps. 可驱
动单
元数
SKHI10/12,10/17 274kb 15 5/15 2,5/4 1200/17001) 100 8 1
SKHI21A 354kb 15 15 2,5 1200 40 8 2
SKHI22 A, A H4 / SKHI 22B, B H4 15 15 2,5/4 1200/1700 40 8 2
SKHI23/12, 23/17 735kb 15 5/15 2,5/4 1200/17001) 50 8 2
SKHI24 213kb 15 5/15 4 1200 80 15 2
SKHI26W/26F 214kb 15 5/15 2,5 1200 100 8 2
SKHI27W/27F 102kb 15 15 4 1700 150 30 2
SKHI61 124kb 15 5/15 2,5 850 20 2 6
SKHI71 15 5/15 2,5 850 20 2 7
SKHIBS01 1.27Mb 15 5/15 2,5 1,200 15 1 6/7
公共特性:驱动器介绍资料(316KB);新型驱动器SKHI24/61/71简介(75KB)
CMOS 输入
短路监控和关断
电源低电压监测 Vs < 13 V
初、次级由脉冲变压器绝缘
输出信号错误锁定和监控
内部独立电源
型 号 技术
资料 电源
电压
Vs
Volts 输入
信号
电压
ViH
Volts 绝缘电压
(AC;rms;
1min)/H4
Visol
k Volts VCEmax
(sense)
VCE
Volts
输出电
流最大
平均值
Iout
m Amps. 输出峰
值电流
最大值
IGp
Amps. 可驱
动单
元数
SKHI10/12,10/17 274kb 15 5/15 2,5/4 1200/17001) 100 8 1
SKHI21A 354kb 15 15 2,5 1200 40 8 2
SKHI22 A, A H4 / SKHI 22B, B H4 15 15 2,5/4 1200/1700 40 8 2
SKHI23/12, 23/17 735kb 15 5/15 2,5/4 1200/17001) 50 8 2
SKHI24 213kb 15 5/15 4 1200 80 15 2
SKHI26W/26F 214kb 15 5/15 2,5 1200 100 8 2
SKHI27W/27F 102kb 15 15 4 1700 150 30 2
SKHI61 124kb 15 5/15 2,5 850 20 2 6
SKHI71 15 5/15 2,5 850 20 2 7
SKHIBS01 1.27Mb 15 5/15 2,5 1,200 15 1 6/7
公共特性:驱动器介绍资料(316KB);新型驱动器SKHI24/61/71简介(75KB)
CMOS 输入
短路监控和关断
电源低电压监测 Vs < 13 V
初、次级由脉冲变压器绝缘
输出信号错误锁定和监控
内部独立电源
0
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提示