L6561MOS管发热大怎么办
L6561MOS管发热大怎么办?我是新手,该调哪些部分?
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从仅有的几个参数来看,G,S极间的电阻明显过小,这样会减小门极充电电流,从而增加开通时间,使得开通损耗大大增加,建议取数十k的电阻.
另外,可以在门极电阻上反向并联一个4148,这样可以加速FET门极电荷的泄放,减小关断时间,从而减小关断损耗.
另外请关注MOSFET的Coss这个参数,它与开通损耗也有很大的关系,建议取Coss小的FET.你这个PFC功率不大,通态损耗占不了很大的比例,与Coss存储电荷相关的损耗应该占了比较大的比例.
另外,在PFC Choke磁芯不饱和的前提下,感值越大越好,因为开关频率会随着感值的增加线性降低,从而可以大体上线性降低FET的开关损耗.而且对EMI也有好处.减小感值的办法是完全错误的,只能增加损耗,决不可取.
如果还不行,可以考虑加一个RCD Snubber,这样可以软化FET关断电压波形,从而降低其关断损耗,但是这样总的损耗并没有减小,只是转移到了 RCD 的 R 上.一般来说,你这个功率等级基本上不需要加这个东西.
另外,可以在门极电阻上反向并联一个4148,这样可以加速FET门极电荷的泄放,减小关断时间,从而减小关断损耗.
另外请关注MOSFET的Coss这个参数,它与开通损耗也有很大的关系,建议取Coss小的FET.你这个PFC功率不大,通态损耗占不了很大的比例,与Coss存储电荷相关的损耗应该占了比较大的比例.
另外,在PFC Choke磁芯不饱和的前提下,感值越大越好,因为开关频率会随着感值的增加线性降低,从而可以大体上线性降低FET的开关损耗.而且对EMI也有好处.减小感值的办法是完全错误的,只能增加损耗,决不可取.
如果还不行,可以考虑加一个RCD Snubber,这样可以软化FET关断电压波形,从而降低其关断损耗,但是这样总的损耗并没有减小,只是转移到了 RCD 的 R 上.一般来说,你这个功率等级基本上不需要加这个东西.
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@非是藉秋风
从仅有的几个参数来看,G,S极间的电阻明显过小,这样会减小门极充电电流,从而增加开通时间,使得开通损耗大大增加,建议取数十k的电阻.另外,可以在门极电阻上反向并联一个4148,这样可以加速FET门极电荷的泄放,减小关断时间,从而减小关断损耗.另外请关注MOSFET的Coss这个参数,它与开通损耗也有很大的关系,建议取Coss小的FET.你这个PFC功率不大,通态损耗占不了很大的比例,与Coss存储电荷相关的损耗应该占了比较大的比例.另外,在PFCChoke磁芯不饱和的前提下,感值越大越好,因为开关频率会随着感值的增加线性降低,从而可以大体上线性降低FET的开关损耗.而且对EMI也有好处.减小感值的办法是完全错误的,只能增加损耗,决不可取.如果还不行,可以考虑加一个RCDSnubber,这样可以软化FET关断电压波形,从而降低其关断损耗,但是这样总的损耗并没有减小,只是转移到了RCD的R上.一般来说,你这个功率等级基本上不需要加这个东西.
YES,说的太对了.顶死你.
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