一款船机电路原理
本人利用业余时间,设计了这款电路.对于其中的保护电路,由于本人水平有限,难免有所错漏.欢迎各位指导指教!
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再此,特别感谢hbzjcjw,有劳他帮我的原理图做格式转换.还有xzszrs版主,战鹰大虾等等各位,感谢他们对我的指导.由于本人水平有限,先要请大家对原理中的错漏多多批评指正.其次也通过这次发帖向大家学习.
现在外面,不能转换成PDF,图片500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/907691245495247.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@hbzjcjw
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版主帮忙转一下
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我也来谈谈我个人的看法:
1:不要用NE555,好多朋友都爱用它,事实上555最大的毛病是占空比受频率影响
2:风扇根本不用控制电路,一般的风扇电流都在500MA内,就算是背机也不在意这点耗电量,相反可能引起不工作的后果,一直在吹,既可做电源指示,又可以让机器处于低温状态
3:单端机最大的问题是逆程高压击穿开关管,你的设计是有道理的,别人电磁炉上也设计的有此项保护功能.事实上,只要把保护点设计的低一点,不但能选用低压大流MOS管,更能处于“自控”状态.比某垃圾自控机科学的多
4:过流保护不必象推挽那样锁死,处于恒流状态应该不怕
综上所述:用一片LM339轻松搞定,用A做三角波,调频率,B做方波输出,兼调占空比,C做峰值保护,D做过流保护.LM339用7812稳压,后面接图腾柱,电流要大一点,最好用2SC2073和2SA940做.LM339的C/D输出与B输出接到一起,不用二极管隔离,上拉电阻不要用的太大,不然图腾柱工作会不良.
这几天忙着赶几台机,没时间画图.
大家多提意见,等电路成熟了,我来画图打板,
凡是提过建设性意见的,送PCB!
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1:不要用NE555,好多朋友都爱用它,事实上555最大的毛病是占空比受频率影响
2:风扇根本不用控制电路,一般的风扇电流都在500MA内,就算是背机也不在意这点耗电量,相反可能引起不工作的后果,一直在吹,既可做电源指示,又可以让机器处于低温状态
3:单端机最大的问题是逆程高压击穿开关管,你的设计是有道理的,别人电磁炉上也设计的有此项保护功能.事实上,只要把保护点设计的低一点,不但能选用低压大流MOS管,更能处于“自控”状态.比某垃圾自控机科学的多
4:过流保护不必象推挽那样锁死,处于恒流状态应该不怕
综上所述:用一片LM339轻松搞定,用A做三角波,调频率,B做方波输出,兼调占空比,C做峰值保护,D做过流保护.LM339用7812稳压,后面接图腾柱,电流要大一点,最好用2SC2073和2SA940做.LM339的C/D输出与B输出接到一起,不用二极管隔离,上拉电阻不要用的太大,不然图腾柱工作会不良.
这几天忙着赶几台机,没时间画图.
大家多提意见,等电路成熟了,我来画图打板,
凡是提过建设性意见的,送PCB!
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@hbzjcjw
我也来谈谈我个人的看法:1:不要用NE555,好多朋友都爱用它,事实上555最大的毛病是占空比受频率影响2:风扇根本不用控制电路,一般的风扇电流都在500MA内,就算是背机也不在意这点耗电量,相反可能引起不工作的后果,一直在吹,既可做电源指示,又可以让机器处于低温状态3:单端机最大的问题是逆程高压击穿开关管,你的设计是有道理的,别人电磁炉上也设计的有此项保护功能.事实上,只要把保护点设计的低一点,不但能选用低压大流MOS管,更能处于“自控”状态.比某垃圾自控机科学的多4:过流保护不必象推挽那样锁死,处于恒流状态应该不怕综上所述:用一片LM339轻松搞定,用A做三角波,调频率,B做方波输出,兼调占空比,C做峰值保护,D做过流保护.LM339用7812稳压,后面接图腾柱,电流要大一点,最好用2SC2073和2SA940做.LM339的C/D输出与B输出接到一起,不用二极管隔离,上拉电阻不要用的太大,不然图腾柱工作会不良.这几天忙着赶几台机,没时间画图.大家多提意见,等电路成熟了,我来画图打板,凡是提过建设性意见的,送PCB!/
建议:
有条件的可用MCU做,保护采样用光耦,调节方便,保护好做,电路简洁;
空载反峰必须加限制(可加回馈线圈抑制反峰电压),保护MOS管及过高电压的
人身安全;
加上铁芯剩磁检测保护,防止短路过载时铁芯过饱和冲磁;回避大电流保护MOS;
大功率24V以上供电时;管子应耐压超过400V较好,此时用IGBT比用MOS管好;
400V以上的MOS管内阻大电流小而IGBT中的SGH80N60才7元,比较比较吧!
我是JUNIS老师的“学生”,大家不会介意吧!我崇拜他,我认为他是个电子技术
高手,不比这里任何人差.这方面我和他探讨过.
有条件的可用MCU做,保护采样用光耦,调节方便,保护好做,电路简洁;
空载反峰必须加限制(可加回馈线圈抑制反峰电压),保护MOS管及过高电压的
人身安全;
加上铁芯剩磁检测保护,防止短路过载时铁芯过饱和冲磁;回避大电流保护MOS;
大功率24V以上供电时;管子应耐压超过400V较好,此时用IGBT比用MOS管好;
400V以上的MOS管内阻大电流小而IGBT中的SGH80N60才7元,比较比较吧!
我是JUNIS老师的“学生”,大家不会介意吧!我崇拜他,我认为他是个电子技术
高手,不比这里任何人差.这方面我和他探讨过.
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@初哥菜鸟
建议:有条件的可用MCU做,保护采样用光耦,调节方便,保护好做,电路简洁;空载反峰必须加限制(可加回馈线圈抑制反峰电压),保护MOS管及过高电压的人身安全;加上铁芯剩磁检测保护,防止短路过载时铁芯过饱和冲磁;回避大电流保护MOS;大功率24V以上供电时;管子应耐压超过400V较好,此时用IGBT比用MOS管好;400V以上的MOS管内阻大电流小而IGBT中的SGH80N60才7元,比较比较吧!我是JUNIS老师的“学生”,大家不会介意吧!我崇拜他,我认为他是个电子技术高手,不比这里任何人差.这方面我和他探讨过.
看到"光耦"就有种想吐的感觉.
我是单片机盲
你发个图来看看,学习一下
我是单片机盲
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@初哥菜鸟
建议:有条件的可用MCU做,保护采样用光耦,调节方便,保护好做,电路简洁;空载反峰必须加限制(可加回馈线圈抑制反峰电压),保护MOS管及过高电压的人身安全;加上铁芯剩磁检测保护,防止短路过载时铁芯过饱和冲磁;回避大电流保护MOS;大功率24V以上供电时;管子应耐压超过400V较好,此时用IGBT比用MOS管好;400V以上的MOS管内阻大电流小而IGBT中的SGH80N60才7元,比较比较吧!我是JUNIS老师的“学生”,大家不会介意吧!我崇拜他,我认为他是个电子技术高手,不比这里任何人差.这方面我和他探讨过.
哦,忘记开个玩笑,我是胡爷爷和温爷爷的子民
但我不崇拜他们
你知道IGBT的正向压降多大吗?2-4V自己去算算功耗
另,请你指导一下省磁的检测方法,谢谢
但我不崇拜他们
你知道IGBT的正向压降多大吗?2-4V自己去算算功耗
另,请你指导一下省磁的检测方法,谢谢
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