本人做了一个LLC,输入260~280dc,输出270Vdc,1A.效果还行.
设计步骤如下:
No.1、0.5Vin-nom/Vout=a, 即a=0.5
No.2、依经验取Q为0.5~1.5,这里取为0.81,取K=5
No.3、设定谐振频率为100Khz,
Xmin=0.88,(见下图的公式)
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/1819021245909935.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
其中2aMmax=2a*Vout/Vinmin,
依经验Qs/Qmax1=0.9
所以,fmin=0.88*100Khz=88Khz
只设计最低工作频率,最高工作频率通过具体调试设计.
No.4
Re=8*a*a*Rout/(pi*pi)=54.769Ω
ZR=Re*Qs=54.769*0.810Ω=44.363Ω
No.5
Cr=1/(2*pi*fr*ZR)=35.800n
Lr=ZR/(2*pi*fr)=70.537uH
Lp=K*Lr=356.000uH
调试发现,最重要的是设置光耦和431的偏置,如果偏置设计不合理,会出现因为5脚撞击1.25v的平台而出现的打嗝或者说自激.
测试第五脚的电压V5,R1采用10k可调电阻,R2采用50K可调电阻,R1初值为7.5k,R2初直为10k.R3=1K.
(1)如果随着输入电压上升,V5低于1.25v而撞击平台,说明R2过大,使得光耦接受端饱和,应小R2,但是幅度不应过大.
(2)如果随着输入电压上升,V5不撞击平台,而输出开始不能稳压,说明光耦初级电流不够,应减小R1.
如此交替进行,就可以设定好正确的偏置.
总结
(1) 由于控制芯片L6599的第四脚电压只有2V,光耦的非线性又特别强,所以个人感觉LLC电路不适合做宽输入电压的电源,输入电压偏差最好不要超过±5%
(2) 光耦对该电路的调节也有较大影响,原来用ps2501效果一直不好,改用ps357后效果明显改善.
(3) 采用两个可调电阻设置偏置是一个不错的方法.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/1819021245909462.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
LLC电路设计经验谈,欢迎大家批评指正!
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@007luchuang
想请教楼主一个问题呀.LLC谐振上管要实现ZVS,首先是下管结电容COSS2充电,上管的结电容COSS1放电,只要当COSS1充电到VIN+0.7V左右,上管体内二极管放可以导通,此时才可以实现ZVS.这样理解对?如果是对的那么下管COSS2上面的电压怎么充到那么高的电压?如果是错的还望楼主详细讲解一下.
给结电容充电的电流就是Lr与Lp串联的电流,电感的电流在短时间内不会突变,可以看成恒流,该恒流给开关管的结电容Coss(一般小于1n)充电,其电位会迅速变化,从而实现上管的软开启. 在轻载下,充电的电流会比较小, 通过合理的设计K可以使轻载下也得到ZVS
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@l003zi
给结电容充电的电流就是Lr与Lp串联的电流,电感的电流在短时间内不会突变,可以看成恒流,该恒流给开关管的结电容Coss(一般小于1n)充电,其电位会迅速变化,从而实现上管的软开启. 在轻载下,充电的电流会比较小,通过合理的设计K可以使轻载下也得到ZVS
谢谢,大侠指点..我搞不懂的是,HB点的电压怎么能上升那么高.谐振时候,漏感和谐振电容上面的电压几乎为0,初级电感上面的电压又被输出反射为NV0.还希望你多多指点?我个人认为是结电容很小,可以在小于死区时间能内充到很高的值,正是由于VIN的存在,有个乾位的作用,使HB点的电压被充到VIN+0.7不知道是否正确.
你说的恒流源的意思是,恒流源上面的电压是不固定的,可以变化的,随着负载电阻的变化而变化.电阻越大电压越高,对吧.一开始下管的COSS2上面电压为O且电阻很小,根据电容上面的电压U=I*t/C,如果I很大,而C很小,如果T足够大的话恒流源是可以把U充到足够高的电压.对?
还希望楼主指点
你说的恒流源的意思是,恒流源上面的电压是不固定的,可以变化的,随着负载电阻的变化而变化.电阻越大电压越高,对吧.一开始下管的COSS2上面电压为O且电阻很小,根据电容上面的电压U=I*t/C,如果I很大,而C很小,如果T足够大的话恒流源是可以把U充到足够高的电压.对?
还希望楼主指点
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@007luchuang
谢谢,大侠指点..我搞不懂的是,HB点的电压怎么能上升那么高.谐振时候,漏感和谐振电容上面的电压几乎为0,初级电感上面的电压又被输出反射为NV0.还希望你多多指点?我个人认为是结电容很小,可以在小于死区时间能内充到很高的值,正是由于VIN的存在,有个乾位的作用,使HB点的电压被充到VIN+0.7不知道是否正确.你说的恒流源的意思是,恒流源上面的电压是不固定的,可以变化的,随着负载电阻的变化而变化.电阻越大电压越高,对吧.一开始下管的COSS2上面电压为O且电阻很小,根据电容上面的电压U=I*t/C,如果I很大,而C很小,如果T足够大的话恒流源是可以把U充到足够高的电压.对?还希望楼主指点
你的分析是对的,因为电感上电压是可以突变的,
而且可以看成电感的电压是被动的,是被外部电路状态决定的.
而结电容上点位的上升是被充电的自然结果
而且可以看成电感的电压是被动的,是被外部电路状态决定的.
而结电容上点位的上升是被充电的自然结果
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@l003zi
你的分析是对的,因为电感上电压是可以突变的,而且可以看成电感的电压是被动的,是被外部电路状态决定的.而结电容上点位的上升是被充电的自然结果
谢谢,大侠指点. 3167721246839884.pdf
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