500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/577761246891620.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">IGBT开通时集电极和发射级电压为3左右伏不变(不过流的情况下),看来是错的.
全桥串联逆变,调频调功.当上臂截止后,电流从下臂的二极管流过,此时集电极电压为负值.经死区后,下臂开始导通,但此时电压为负值.电流开始换向后,此时IGBT起了导通作用,理论上,IGBT集电极和发射级电压维持饱和压降不变,事实上,IGBT刚留过电流时,饱和压降最高,测量结果为证.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/577761246891620.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/577761246891620.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">全部回复(56)
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@wangjinchao
再附上一段网上介绍片段:在绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开通过程中,从断态到通态(即饱和态)的过程中要经过一个准饱和区.因为结的准饱和状态而增加的压降与直流线电压几乎没有任何关系.尽管该压降值比直流线电压小得多,但是因为对于高压快速IGB了来说,其时间常数相当大,所以造成的损耗也比较大.标准的零电流开关(ZCS)或零电压开关(ZVS)电路不能避免这些损耗.我们将对穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT在电感负载硬开关时的电压尾部进行仔细分析.解析化的结果将与2D(维)模拟及测量的结果进行对比,并进一步探讨电压拖尾与结附近掺杂分布的关系.为了使电感和变压器的体积和重量最小化,就必须提高开关频率.这一点对于高电压尤其重要.下面表明当开关频率超过数千赫兹时,通态压降将不再是静态时的值,通态损耗也将比所预想之值大出许多
从来没有碰到你这样的情况.
看看我们机器的VCE波形吧,只要看电压波形就可以知道是否工作在ZCS状态下,当然要凭经验来看.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/606791247013976.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
看看我们机器的VCE波形吧,只要看电压波形就可以知道是否工作在ZCS状态下,当然要凭经验来看.
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