MOS/IGBT的保护方案

咋没人D呢?自己顶一下吧

对成本要求很严吗?直接用现成的驱动器最好.

若果有进度要求,应该直接用驱动版,是大功率IGBT还是小功率的?

谢谢大侠的回复!IGBT在应用中,如何做好过压、过流和热保护,提高电路的稳定性、可靠性,怎样才能做得更好,我们共同学习、探讨.

方法很多,简单又复杂.

劳你大驾谈谈吧,同时也是为迷茫者指点迷津.谢谢了!

不好意思,我也只是知道点皮毛.

电源设计师应该了解和基本掌握驱动保护的技术,但在实际应用上,最好采取拿来主义,以减少麻烦,提高效率.君意如何?有需求的话,具体谈谈,我们也许能提供合适的.

落木源兄,我会向你讨教的,现在太忙了,空了再找你,不好意思了.

现在正在摸索、学习、总结中...

落木源你好!如果你有IGBT保护的良策不妨贴出让俺们多长点见识!辛苦你了.

sunsusie老弟,很抱歉,我没有IGBT保护的良策.我认为,所有IGBT保护的良策都只能是个案,通用的都不可能是良策.上次短信中我提的几点也都是通用的注意事项.如果你的电源还有问题,可具体谈谈,论坛里有不少有经验的人.

唉.

莫叹息,啥东西不是学出来的,摸不到石头而已,过河就慢点了,莫怪.

此乃真理也!也祝早日过了大河.

我们专注于场效应管的研发、生产和销售,引进国外先进的设计、制成及检测设备,采用元胞结构的VDMOS技术,在全国率先推出自有品牌——SAMWIN系列场效应管产品.在产品品质方面达到FAIRCHILD、ST、PHILIPS等国际知名产品的质量标准,在场效应管技术参数方面,如内阻和关断时间上甚至优于国外同类同质产品.我们采用国际一流的芯片生产线和封装线,严格执行ISO9001:2000质量管理体系,在节省成本的同时,有效保证了产品质量的国际水准,并与全球OEM和ODM知名厂商建立了紧密的合作关系.
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