为什么PFET允许100%打开工作,而NFET通常不允许这样?请高手解释一下

多半是驱动部分的问题.

请进一步解释下,P-MOSFET是低电平驱动,N-MOSFET是高电平驱动.这点差别如何允许P-MOSFET能100%打开?能从结构工艺上解释一下吗?谢谢!

1.要把高电平把它当低电平看2.原则上MOS的DS极就是一个电阻.我是这样认为的.

请你自己举个例子说明一下你的认识.

例如国半的一颗DC/DC controller LM3485, 外接的开关管是PFET,并在DS中说明可以在100%占空比下工作,使得输出电压等于输入电压(接近).您可以到国半的网站上下载这个DS.当然有很多DC/DC regulator是用的NFET,并有最大占空比的限制.现在的问题依然回到开始,怎么解释PFET可以常开?补充:一般PFET的Rdson是比NFET要大.

PMOS导通的条件是Vg比Vs小;NMOS导通的条件是Vg比Vs大;
一般的FET是接高位电压部分(Vin+),所以PMOS导通条件容易实现,可达100%占空比
如果你把NMOS接到低位电压部分,又能控制它正常开关的话,NMOS做到100%的占空比也可以
一般的开关电源电路里,有人这么用么?

楼上的说法我赞同,在High side的位置上用PFET,的确方便驱动电路设计.PFET的S极接到Vin,驱动电压能做到比S极电压低即可实现驱动;如果在High side的位置上用NFET,需要Boot电容做自举,让G极电压高于NFET的S极.如果此时NFET常开,无法保证Boot电容电压维持,失去了电容充放电的条件,因此无法保证NFET常开.
如果有不妥的地方请大虾们指点.
谢谢!