ONSEMI NCP1271 的同步整流电路方案达到 LEVEL V

想做一个全电压输入的12V 4A带1.8m 18AWG输出的adaper,用传统的输出肖特基二极管整流,但是平均效率离标准(近87%)始终差2~3%.有朋友建议用电路图中的同步整流电路来作,做过以下动作驱动绕着同输出绕着4TS,
1. 用75A/100V IR的MOSFET,但是很容易损坏
2. 用33A/150V IR的MOSFET,待机功耗大约3W,平均效率82.5%左右
3. 用33A/150V IR的MOSFET,减少驱动绕组2ts,待机功耗大约1W,平均效率83.7%左右
4. 用33A/150V IR的MOSFET,减少驱动绕组1ts,待机功耗大约0.3W,平均效率83.2%左右
5. 在上方案3的基础上,并接一个肖特基二极管,效率更低.
请问各路高手和专家,有何高招可以改善和提高平均效率? 30341248952318.pdf

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lussh

LV.4

2009-07-30 19:13

30341248952377.pdf

t.q.c

LV.2

2009-08-03 12:53

加油,你的效率太低了.

lussh

LV.4

2009-08-03 17:05

@t.q.c

加油,你的效率太低了.

有何高见?

heibaihao

LV.4

2009-10-27 11:33

@lussh

有何高见?

用擎力的同步整流ICSP6019工作在CCM,平均效率绝对能满足LEV v,已经有很多大客户在用我们的方案,最重要的是CCM的方案在成本上绝对是最有优势的.

lussh

LV.4

2009-10-29 23:28

@heibaihao

用擎力的同步整流ICSP6019工作在CCM,平均效率绝对能满足LEVv,已经有很多大客户在用我们的方案,最重要的是CCM的方案在成本上绝对是最有优势的.

IC (SP6019) + MOS (SPN8080)
I out output (W) input (W) effi % Average
4A 46.73 54.55 85.66%
3A 35.35 40.89 86.45%
2A 23.75 27.41 86.65%
1A 11.98 14.16 84.60% 85.84%
0A 0.36-0.44
4A 46.68 53.81 86.75%
3A 35.33 40.85 86.49%
2A 23.75 27.74 85.62%
1A 11.98 14.64 81.83% 85.17%
0A 0.32
参考这些测试数据: 用该方案平均效率仅仅达到85.84% 和85.17% 待机功率超过0.3W. 并且是通过(原厂)非常优化的数据.还有妙计?

heibaihao

LV.4

2009-11-02 14:49

@lussh

IC(SP6019)+MOS(SPN8080)Ioutoutput(W)input(W)effi%Average4A46.7354.5585.66%3A35.3540.8986.45%2A23.7527.4186.65%1A11.9814.1684.60%85.84%0A0.36-0.444A46.6853.8186.75%3A35.3340.8586.49%2A23.7527.7485.62%1A11.9814.6481.83%85.17%0A0.32参考这些测试数据:用该方案平均效率仅仅达到85.84%和85.17%待机功率超过0.3W.并且是通过(原厂)非常优化的数据.还有妙计?

您测试的结果是什么时候测的,能否给出您的具体参数:
PWM ic ?
变压器规格?
原边MOS?
我很奇怪您的电源在1A的情况下怎么效率那么低?应该是SR没打开,这跟你的IC周边的参数有关,我们的客户轻松能过LEV V,除非你还有特别的要求.
希望能跟您直接交流.