Microsemi cooperation ,作为半导体产业和电子器件的先行者,全球最大POE输电端解决方案供应商之一,全球性的电源管理、电源调理、瞬态抑制和射频/微波半导体器件供应商,是全球最大POE供应商之一, 拥有优秀的PWM 控制IGBT．POE输电端解决方案、CCFL、LED Backlight driver显示器驱动器等.占据着POE模块电源的大部分市场份额．据Microsemi亚洲区域经理Steven Hemmah介绍,"Microsemi产品主要有IGBT,PWM控制器、LED显示器驱动等,主要应用两大领域:工业和消费电子,包括通讯、高速公路、汽车、大功率电源、UPS等,为电子产品提供半导体解决设计方案．"
该公司生产的高可靠模拟IC和分立半导体器件,被应用于卫星、远程通讯、计算机/外围、军事/航空、工业/商业、医疗等领域.
Microsemi公司在美国拥有多个制造厂,另外在加州、德州、爱尔兰、墨西哥、香港、印度等国家和地区提供生产支持.公司的销售网络遍布全球.
一、封装形式.
1. 陶瓷双列直插封装Ceramic Dual-In-Line (DIP),
“Y”型: 8 引脚
“J”型: 14, 16 and 18引脚
陶瓷扁平封装( Cerpac ) , “ F ”型: 10 , 14 , 16 , 20和24引脚
2. 无铅陶瓷芯片载体
(寿命周期) , “ L ” : 20针
3. 金属罐装(Metal Cans)
低电流 (500ma)
TO-39, “T”型: 3 pin
TO-99, “T”型: 8 pin
TO-100, “T”型: 10 pin
中级电流(1A)
TO-66, “R”型: 3 and 5 pin
高电流 (>1.5A)
TO-3, “K”型: 3 pin
(500ma)
4. Metal Case with mounting tab,
TO-257: 3 pin
隔热材质, “IG” 型
非隔热材质, “G”型
一、整流桥产品分为以下三类:
1单相整流桥:可提供电流额定值0.5~50A,电压额定值200~1000V的各种不同封装的产品.
2三相整流桥:可提供电流额定值30~35A,电压额定值600~1600V的各种不同封装的产品.
3整流桥模块:可提供电流额定值30~200A,电压额定值800~1600V的单相、三相整流桥模块.
二、功率模块分为以下三类
1MOSFET模块:各种不同拓扑结构的MOSFET/FREDFET/COOLMOS模块,包括半桥、全桥、单开关、三相桥、不对称桥、升压斩波、降压斩波、双升压斩波、双降压斩波、双共源极,三—双共源极,三—半桥等拓扑结构.最大额定电压/电流可达到1200V/126A(80度电流).
2IGBT模块:各种不同拓扑结构的GF/GN系列IGBT模块,包括半桥、全桥、单开关、三相桥、不对称桥、升压斩波、降压斩波、双升压斩波、双降压斩波、双共发射极,三—双共发射极,三—半桥等拓扑结构.
3FRED模块:各种不同拓扑结构的FRED/标准整流器模块,包括单二极管、半桥、共阳、共阴、全桥、三相整流桥等结构.
三、RF功率MOSFET分为下面几类
1高电压RF功率MOSFET:RF功率MOSFET的ARF系列是被优化用于要求频率高达150MHz,工作电压高达400V应用的产品.RF功率MOSFET历来局限于50V或低于50V的应用.MICROSEMI通过将其高电压MOSFET工艺技术与RF特定的芯片图形相结合,打破了这一限制.
2驱动器和驱动器-RF MOSFET混合集成电路:RF MOSFET的性能被所选用的驱动器严格和精确的限制着.MICROSEMI针对RF功率MOSFET设计了专门的驱动器和驱动器-RF MOSFET混合集成电路.
3高频RF MOSFET:RF MOSFET的VRF系列是工业标准RF晶体管的改进型替代器件,其BVDSS从工业标准的125V提高至170V,大大提高了VRF系列产品的耐用性.
四、微波功率器件分为下面两大类
1微波二极管:包含PIN二极管、限幅二极管、肖特基二极管、变容二极管、噪声发生二极管以及芯片电容等,其工作频率范围从100Hz到毫米波.产品按照工作频率、工作电压及结构形式的不同,形成了多系列产品.产品主要用于衰减器、调谐器、检波器、开关和混频等应用.
2微波功率管:包括双极型晶体管、LDMOS和VDMOS .
主要应用于雷达、通信和电子对抗作功率放大器,其工作波段可从1MHz到3.5GHz,工作电压从几伏到400伏,尤其在雷达和航空电子中应用的脉冲功率管,具有当前世界最高产品水平.(如1200~1400MHz输出功率370W,1030~1090MHz输出功率1100W,2900~3100MHz输出功率150W等)
五、分立功率器件分为以下几类:
1MOSFET: MOSFET包括MOS5、MOS7、MOS8 和COOLMOS 等系列产品.
MOS5是市场公认的高性价比产品,一致性好,易并联,具有高的雪崩能量和高可靠性;
MOS7具有更低的开关损耗和导通损耗,可以实现更高的开关频率;
MOS8为最新推广的的低成本高性能MOSFET;
COOLMOS具有很低的导通电阻,可以大大降低导通损耗;
2IGBT:IGBT 主要包括GP/GA、GN、GT、GF和GS系列产品.
GT/GS/GN/GF系列产品均容易并联;
GP/GA系列IGBT分别是在MOS7/MOS8工艺基础上形成的PT型IGBT,具有很高的开关频率,频率可达到100KHz,但是这两种系列的IGBT不容易并联使用.
GN系列为利用场终止+沟槽栅技术形成的IGBT,具有很低的导通压降;
GT系列为NPT工艺技术IGBT,短路能力额定,适合20-60KHz应用;
GS系列是在GT工艺基础上改进的IGBT,更适合更高频率开关应用,频率可达到100KHz;
GF系列为NPT技术IGBT,具有低导通损耗和高可靠性,易并联;
3FRED:FRED主要有D、DQ、DL和肖特基等系列产品.
D系列产品为美国宇航局指定产品,具有很好的正向和反向特性,适合于输出整流和续流等应用;
DQ系列具有更软的恢复特性和高的额的雪崩能量,适合于PFC、续流和高频整流应用;
DL系列具有很低的正向压降,25度/600V FRED正向压降只有1.25V,非常适合输出整流应用;
肖特基产品耐压可达到200V.
