我用OB2203做了一款准谐振电源,输出19V/3A,高压输入,效率只有87%,变压器用PQ2620,匝比为35:7 然后我在同一块电源板上接一个反击电路,发现2个线路的效率没区别,这是怎么回事呢?不是说准谐振的效率会比纯反击的高2个百分点吗?我的效率为什么会做不高呢?为提高效率,我调了半个月了,仍然无结果.
所以特来请大家帮我想想办法的,谢谢!!
如何提高准谐振电源效率?
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@洪七公
准谐振的效率会比纯反击的高2个百分点?————————这你都相信?QR不带PFC在高压输入能提升1%算不错了,低压输入基本是和普通反激是差不多的.你想想QR节省的就是那点开关损耗,这损耗究有占那么大比率吗?何况QR满载是的峰值电流比普通反激的CCM下的峰值电流都大,频率又低,占空比开得又大,这在变压器的损耗,和mosfet的导通损耗也可以比较一下.其实你把QR里面用的19V/3A的mosfet和变压器用在普通反激里面,把用QR加的钱用在普通反激里面选点好的器件你估计更郁闷.我们客户用我们的1043+10N60+RM10磁芯做的纯反激的做19V/65W板边效率全电压输入都有89-90%了,成本比QR要低吧?.
我自己认为也应该不会达到那么多,但OB2202做的65W效率高压的确有90%,我的就是达不到,只有88%,我认为用准谐振做无非就是EMI好过一点,其他的地方不比反击站优势,但大家都说是会比反击的高,而且我想开关损耗包括MOS和次级整流管,没有实际测过,也不知道怎样测,所以评估这些,我也不知道是不是真的会高2个百分点.
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准谐振的效率会比纯反击的高2个百分点?
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这你都相信?QR不带PFC 在高压输入能提升1%算不错了,低压输入基本是和普通反激是差不多的.你想想QR节省的就是那点开关损耗,这损耗究有占那么大比率吗?何况QR满载是的峰值电流比普通反激的CCM下的峰值电流都大,频率又低,占空比开得又大,这在变压器的损耗,和mosfet的导通损耗也可以比较一下.
其实你把QR里面用的19V/3A的mosfet和变压器用在普通反激里面,把用QR加的钱用在普通反激里面选点好的器件你估计更郁闷.
我们客户用我们的1043+10N60+RM10磁芯做的纯反激的做19V/65W 板边效率全电压输入都有89-90%了,成本比QR要低吧?.
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这你都相信?QR不带PFC 在高压输入能提升1%算不错了,低压输入基本是和普通反激是差不多的.你想想QR节省的就是那点开关损耗,这损耗究有占那么大比率吗?何况QR满载是的峰值电流比普通反激的CCM下的峰值电流都大,频率又低,占空比开得又大,这在变压器的损耗,和mosfet的导通损耗也可以比较一下.
其实你把QR里面用的19V/3A的mosfet和变压器用在普通反激里面,把用QR加的钱用在普通反激里面选点好的器件你估计更郁闷.
我们客户用我们的1043+10N60+RM10磁芯做的纯反激的做19V/65W 板边效率全电压输入都有89-90%了,成本比QR要低吧?.
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@洪七公
准谐振的效率会比纯反击的高2个百分点?————————这你都相信?QR不带PFC在高压输入能提升1%算不错了,低压输入基本是和普通反激是差不多的.你想想QR节省的就是那点开关损耗,这损耗究有占那么大比率吗?何况QR满载是的峰值电流比普通反激的CCM下的峰值电流都大,频率又低,占空比开得又大,这在变压器的损耗,和mosfet的导通损耗也可以比较一下.其实你把QR里面用的19V/3A的mosfet和变压器用在普通反激里面,把用QR加的钱用在普通反激里面选点好的器件你估计更郁闷.我们客户用我们的1043+10N60+RM10磁芯做的纯反激的做19V/65W板边效率全电压输入都有89-90%了,成本比QR要低吧?.
当然会高!两部分损耗:初级mosfet开通的容性损耗,次级diode关断的关断损耗.高压部分不太明显是因为高压时恰好工作在DCM模式,类似于准谐振.要提高效率,在匝比选定的情况下,可以考虑选用导通电阻和输出电容比较低的mosfet,并适当增大变压器电感(要考虑最低工作频率哦),理由:由于在DCM模式工作,电流峰值大,选用小电阻mosfet可以减小这部份增加的导通损耗;由于准谐振的主要作用是使开关在较低电压下开通,故大电感和小电容可以使谐振峰的谷值更低,且大电感可以使工作频率降低(相同输入电压输出功率和匝比确定的情况下,两者成反比,且电流峰值不变),降低开关损耗.澄清一下,人家可以做到89-90%的效率不是因为你们的IC,而是因为10N60对65W来说足够,且最重要的是采用了RM10的变压器,可以做到小size(磁芯小,匝数少,从而低磁损低铜损),小漏感(漏磁少,当然这部分损耗小啦).
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@t.q.c
当然会高!两部分损耗:初级mosfet开通的容性损耗,次级diode关断的关断损耗.高压部分不太明显是因为高压时恰好工作在DCM模式,类似于准谐振.要提高效率,在匝比选定的情况下,可以考虑选用导通电阻和输出电容比较低的mosfet,并适当增大变压器电感(要考虑最低工作频率哦),理由:由于在DCM模式工作,电流峰值大,选用小电阻mosfet可以减小这部份增加的导通损耗;由于准谐振的主要作用是使开关在较低电压下开通,故大电感和小电容可以使谐振峰的谷值更低,且大电感可以使工作频率降低(相同输入电压输出功率和匝比确定的情况下,两者成反比,且电流峰值不变),降低开关损耗.澄清一下,人家可以做到89-90%的效率不是因为你们的IC,而是因为10N60对65W来说足够,且最重要的是采用了RM10的变压器,可以做到小size(磁芯小,匝数少,从而低磁损低铜损),小漏感(漏磁少,当然这部分损耗小啦).
很简单,如果变压器都用RM10, mosfet依然用10N60,19V/65W,QR究竟能够能做多少效率呢?QR做到89-89%的效率是否要加钱或成本相等或更便宜,如果成本更低或者相等用QR是有价值的,如果增加成本,那如果把这增加的成本放到普通反激里面选用更好的mosfet,更好的整流二极管,是否同样可以提高普通反激的效率呢?如果QR用了一个更大规格,更好的变压器那这个变压器用在普通反激里面,考虑早点进入连续模式是否也同样可提高效率呢?
19V3A用QR提升2%的效率能不能把这比较用的QR和普通反激做的原材料BOM来看一下就知道是不是在同等条件下的比较了.如果一个20块钱做的 ,一个用30块钱做的,这比较就价值很小了.同样的30块钱成本来比较效率才知道方案价值.
在频率低的时候初级mosfet那么小的结电容和并不高的频率能有多大的开关损耗?次级二极管能有多大的开关损耗?2%的效率提升可要减少大约1.3W的损耗,有那么大吗?何况同样的mosfet 和整流二极管QR的导通损耗还要大点.当然一个假如用普通mosfet,另一个用coolmos这是没有比较基础的(极限推理,不要当真,只是说明分析思路,因为不可能用coolmos的).
我想这就是性价比的简单比较.
我并不讨论我们方案怎么样,这误会了,我知识比较QR和普通反激的差异,比如普通反激如果用的是10N60,QR用比10N60更差的mosfet来做能更高效率,那QR更有价值;如果普通反激用RM10,QR用比RM10更差的变压器能做出更高效率,那也是QR更有价值.呵呵,是不是这样的?
另外高压时工作与DCM不太懂,因为这可能上好早以前的设计方法,现在我看见的客户是高低压都进入CCM 的,唯一不同的是进入的深度不同而已.
19V3A用QR提升2%的效率能不能把这比较用的QR和普通反激做的原材料BOM来看一下就知道是不是在同等条件下的比较了.如果一个20块钱做的 ,一个用30块钱做的,这比较就价值很小了.同样的30块钱成本来比较效率才知道方案价值.
在频率低的时候初级mosfet那么小的结电容和并不高的频率能有多大的开关损耗?次级二极管能有多大的开关损耗?2%的效率提升可要减少大约1.3W的损耗,有那么大吗?何况同样的mosfet 和整流二极管QR的导通损耗还要大点.当然一个假如用普通mosfet,另一个用coolmos这是没有比较基础的(极限推理,不要当真,只是说明分析思路,因为不可能用coolmos的).
我想这就是性价比的简单比较.
我并不讨论我们方案怎么样,这误会了,我知识比较QR和普通反激的差异,比如普通反激如果用的是10N60,QR用比10N60更差的mosfet来做能更高效率,那QR更有价值;如果普通反激用RM10,QR用比RM10更差的变压器能做出更高效率,那也是QR更有价值.呵呵,是不是这样的?
另外高压时工作与DCM不太懂,因为这可能上好早以前的设计方法,现在我看见的客户是高低压都进入CCM 的,唯一不同的是进入的深度不同而已.
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@洪七公
很简单,如果变压器都用RM10, mosfet依然用10N60,19V/65W,QR究竟能够能做多少效率呢?QR做到89-89%的效率是否要加钱或成本相等或更便宜,如果成本更低或者相等用QR是有价值的,如果增加成本,那如果把这增加的成本放到普通反激里面选用更好的mosfet,更好的整流二极管,是否同样可以提高普通反激的效率呢?如果QR用了一个更大规格,更好的变压器那这个变压器用在普通反激里面,考虑早点进入连续模式是否也同样可提高效率呢?19V3A用QR提升2%的效率能不能把这比较用的QR和普通反激做的原材料BOM来看一下就知道是不是在同等条件下的比较了.如果一个20块钱做的,一个用30块钱做的,这比较就价值很小了.同样的30块钱成本来比较效率才知道方案价值.在频率低的时候初级mosfet那么小的结电容和并不高的频率能有多大的开关损耗?次级二极管能有多大的开关损耗?2%的效率提升可要减少大约1.3W的损耗,有那么大吗?何况同样的mosfet和整流二极管QR的导通损耗还要大点.当然一个假如用普通mosfet,另一个用coolmos这是没有比较基础的(极限推理,不要当真,只是说明分析思路,因为不可能用coolmos的).我想这就是性价比的简单比较.我并不讨论我们方案怎么样,这误会了,我知识比较QR和普通反激的差异,比如普通反激如果用的是10N60,QR用比10N60更差的mosfet来做能更高效率,那QR更有价值;如果普通反激用RM10,QR用比RM10更差的变压器能做出更高效率,那也是QR更有价值.呵呵,是不是这样的?另外高压时工作与DCM不太懂,因为这可能上好早以前的设计方法,现在我看见的客户是高低压都进入CCM的,唯一不同的是进入的深度不同而已.
谢谢2位的解答,我改天有时间再去调试一下,然后告诉2位结果,对于"七公",我想说你说现在高压低压都进入连续模式,但是如果进入连续模式,保证低压不饱和,那摸磁心相对DCM模式的务必要大一号吧,这样才能保证温度再高,BMAX仍有余量,也就是相当于用大一号的磁心来减少IPEAK值,从而提高工作效率了吧?
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@nightyjl11
谢谢2位的解答,我改天有时间再去调试一下,然后告诉2位结果,对于"七公",我想说你说现在高压低压都进入连续模式,但是如果进入连续模式,保证低压不饱和,那摸磁心相对DCM模式的务必要大一号吧,这样才能保证温度再高,BMAX仍有余量,也就是相当于用大一号的磁心来减少IPEAK值,从而提高工作效率了吧?
现在很多都是很早就进入CCM,占空比开得比原来大了.至于是否要大一号,看情况.你综合评估一下总体成本就选择就可以了.这个世界又要马儿跑得好,又要马儿不吃草的事情是没有的,唯一能做的是,马儿跑得好,尽量让他少吃草.
如果觉得原来的老方式都能做好,那尽量用.但通常来说现在的工程师做技术久了都快成人精了,如果老方法能用,他们一般不会轻易改新方法的.就象原来做12V/5A很多都用7N60,现在很多都开始用10N60了,但还是没有用coolmos,因为估计是评估下来换个10N60马儿跑得比原来好,但草吃得较少的缘故.在可接受的范围内增加合适成本,而不是增加过高成本.
我们那客户65W的adaptor装在40多W的壳子里,安规依然过,一是因为效率比原来高点,而是因为他频率取的是100KHz,这样变压器出功率足点,但频率高可能带来开关损耗的增加,但其实初级mosfet的结电容很小的,一般就几百PF,开关损耗并没有多大,估计0.3W就顶撑了,估计的啊,自己可以计算一下,因为我们也做同步整流的,如果客户频率低于150KHz,我们估算开关损耗是不大的,所以都在他选择mosfet的时候让他不要考虑开关损耗的影响,主要考虑导通损耗的影响,这样选个一般的mosfet就可以了,不用搞个天价mosfet,省点钱.同步整流的mosfet的结电容可动不动就是4000PF以上,有的10000PF了,是初级mosfet的结电容的N倍了.所以自己可以考虑下在增加的开关损耗和减少的其他损耗之间做出一个平衡来看究竟是否划算.
如果觉得原来的老方式都能做好,那尽量用.但通常来说现在的工程师做技术久了都快成人精了,如果老方法能用,他们一般不会轻易改新方法的.就象原来做12V/5A很多都用7N60,现在很多都开始用10N60了,但还是没有用coolmos,因为估计是评估下来换个10N60马儿跑得比原来好,但草吃得较少的缘故.在可接受的范围内增加合适成本,而不是增加过高成本.
我们那客户65W的adaptor装在40多W的壳子里,安规依然过,一是因为效率比原来高点,而是因为他频率取的是100KHz,这样变压器出功率足点,但频率高可能带来开关损耗的增加,但其实初级mosfet的结电容很小的,一般就几百PF,开关损耗并没有多大,估计0.3W就顶撑了,估计的啊,自己可以计算一下,因为我们也做同步整流的,如果客户频率低于150KHz,我们估算开关损耗是不大的,所以都在他选择mosfet的时候让他不要考虑开关损耗的影响,主要考虑导通损耗的影响,这样选个一般的mosfet就可以了,不用搞个天价mosfet,省点钱.同步整流的mosfet的结电容可动不动就是4000PF以上,有的10000PF了,是初级mosfet的结电容的N倍了.所以自己可以考虑下在增加的开关损耗和减少的其他损耗之间做出一个平衡来看究竟是否划算.
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@洪七公
现在很多都是很早就进入CCM,占空比开得比原来大了.至于是否要大一号,看情况.你综合评估一下总体成本就选择就可以了.这个世界又要马儿跑得好,又要马儿不吃草的事情是没有的,唯一能做的是,马儿跑得好,尽量让他少吃草.如果觉得原来的老方式都能做好,那尽量用.但通常来说现在的工程师做技术久了都快成人精了,如果老方法能用,他们一般不会轻易改新方法的.就象原来做12V/5A很多都用7N60,现在很多都开始用10N60了,但还是没有用coolmos,因为估计是评估下来换个10N60马儿跑得比原来好,但草吃得较少的缘故.在可接受的范围内增加合适成本,而不是增加过高成本.我们那客户65W的adaptor装在40多W的壳子里,安规依然过,一是因为效率比原来高点,而是因为他频率取的是100KHz,这样变压器出功率足点,但频率高可能带来开关损耗的增加,但其实初级mosfet的结电容很小的,一般就几百PF,开关损耗并没有多大,估计0.3W就顶撑了,估计的啊,自己可以计算一下,因为我们也做同步整流的,如果客户频率低于150KHz,我们估算开关损耗是不大的,所以都在他选择mosfet的时候让他不要考虑开关损耗的影响,主要考虑导通损耗的影响,这样选个一般的mosfet就可以了,不用搞个天价mosfet,省点钱.同步整流的mosfet的结电容可动不动就是4000PF以上,有的10000PF了,是初级mosfet的结电容的N倍了.所以自己可以考虑下在增加的开关损耗和减少的其他损耗之间做出一个平衡来看究竟是否划算.
洪生，说得很对，请教一下，我现在想让我的马不要一直在吃草，怎么办才好
我现在在做65W的也放在40WCASE里，用的是OB2202现在变压器（PQ2620）温度好高，在低压输入时，有130度了，在环温的时候，
有可能是因为低压输入的时候频率太低，现在在INPUT 90VAC时，频率才40几K。
洪生，你们用的是哪个方案，有什么好点子让我的适配器温度低下来。
我现在在做65W的也放在40WCASE里，用的是OB2202现在变压器（PQ2620）温度好高，在低压输入时，有130度了，在环温的时候，
有可能是因为低压输入的时候频率太低，现在在INPUT 90VAC时，频率才40几K。
洪生，你们用的是哪个方案，有什么好点子让我的适配器温度低下来。
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@nightyjl11
谢谢2位的解答,我改天有时间再去调试一下,然后告诉2位结果,对于"七公",我想说你说现在高压低压都进入连续模式,但是如果进入连续模式,保证低压不饱和,那摸磁心相对DCM模式的务必要大一号吧,这样才能保证温度再高,BMAX仍有余量,也就是相当于用大一号的磁心来减少IPEAK值,从而提高工作效率了吧?
板主好，我现在也在用OB2202，能否请教一下，我现在做的65W在INPUT低压转高压时，输出电压，会下降个0。1V左右。，，不知道是哪出现了问题，2）现在变压器温度好高，我的也是PQ2620的，改什么地方可以提高频率，我想提高频率试一下（因为我现在90V输入时，频率才40多K，还有什么地方可以改的吗，这颗IC，还有些什么要注意的，兄台是用OB2202的前辈，小弟特在这请教，谢谢，
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