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求助 正激电路输入电流缓慢增加

Vin 16—32V DC
Vout 8V 2A
正激拓扑,用的TDKPC40磁芯,开关频率360KHz,匝比8:9,电感感量17uH,由于模块体积限制,变压器漆包线线径选用偏细,模块温升较大,最大占空比65%左右,各部分波形正常,
效率80%,就是输入电流缓慢增加,请教各位大侠什么原因?是不是电感在缓慢饱和?
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deep_thought
LV.7
2
2009-12-07 08:18
热机效率变低, 检查下磁复位电路.MOSFET内阻也是正温度系数的.
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egwang
LV.4
3
2009-12-07 21:07
@deep_thought
热机效率变低,检查下磁复位电路.MOSFET内阻也是正温度系数的.
我没加磁复位电路,我有一个疑惑了好久的问题,书上说正激拓扑必须要加磁复位电路,可是我们单位好多工程师都省掉这部分,模块正常工作,变压器没有饱和.变压器的剩磁通过哪里泄放掉了?
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楚天?
LV.8
4
2009-12-07 22:52
@egwang
我没加磁复位电路,我有一个疑惑了好久的问题,书上说正激拓扑必须要加磁复位电路,可是我们单位好多工程师都省掉这部分,模块正常工作,变压器没有饱和.变压器的剩磁通过哪里泄放掉了?
mos的ds间电容.
这并不奇怪,想象很多测量直流脉冲电流的互感器,副边就一个二极管和一个取样电阻,怎么复位的?
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egwang
LV.4
5
2009-12-08 22:12
@楚天?
mos的ds间电容.这并不奇怪,想象很多测量直流脉冲电流的互感器,副边就一个二极管和一个取样电阻,怎么复位的?
茅塞顿开啊,那也就是说对于低压输入的模块,是要用足够高耐压的MOS管,磁芯就可以复位,
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egwang
LV.4
6
2009-12-08 22:36
@egwang
茅塞顿开啊,那也就是说对于低压输入的模块,是要用足够高耐压的MOS管,磁芯就可以复位,
在问一个相当弱智的问题,加上复位绕组之后为什么MOS管的电压就钳位到2Uin了呢,是不是应为辅助绕组一般情况下都和初级有相同的匝比呢?发现自己好多问题都是只知其然,不知其所以然啊,惭愧.
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楚天?
LV.8
7
2009-12-11 23:55
@egwang
在问一个相当弱智的问题,加上复位绕组之后为什么MOS管的电压就钳位到2Uin了呢,是不是应为辅助绕组一般情况下都和初级有相同的匝比呢?发现自己好多问题都是只知其然,不知其所以然啊,惭愧.
的确是匝比的关系,所以,正激电源的占空比也可以超过50%的,只要有足够的复位伏秒即可.
匝比相同是因为需要双线并绕,双线并绕是因为需要提高耦合,提高耦合是因为需要减少漏感,减少漏感是因为…………
zvs正激就是利用mos的ds电容复位.
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suile97
LV.6
8
2009-12-16 08:22
@egwang
我没加磁复位电路,我有一个疑惑了好久的问题,书上说正激拓扑必须要加磁复位电路,可是我们单位好多工程师都省掉这部分,模块正常工作,变压器没有饱和.变压器的剩磁通过哪里泄放掉了?
小功率的正激模块,可以不加磁复位!
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