【帮助】MOSFET,IGBT选择

大家好，我接触逆变还没有多久，有很多知识还不了解，想在这个论坛和大家学习。

1。在什么情况下，选择IGBT？在什么情况下，选择MOSFET？

2。MOSFET一般能达到的最大输出功率好大？

3。现在比较“流行”的驱动芯片有哪些？

简单的几个问题，希望大家帮小弟解决一下，在此谢谢！

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wuxiujiang20

LV.2

2010-01-29 09:36

大家帮我解决一下疑问吧！

wuxiujiang20

LV.2

2010-01-29 13:41

MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。