MOSFET的驱动为什么有“驱动电流的要求?”

RE
MOSFET的GS间存在一个电容,这个电容会影响驱动时栅极电压的上升率,同时在DS间存在miller电容,当MOSFET开通时,此电容会放电,从驱动端索取电流,从而使栅极电压上升率降低.如果驱动电流不够,导致MOS管从关断到导通的过渡状态时间太长,会加大MOS管的损耗.关断时,如果驱动电流不够,导致栅极电压下降速度慢,也会加大MOS的损耗.

同意!确实是这样的!
很多MOSFET的资料上都说了这一点!

good, a good question
确实,如good所描述的,如果我们在设计的时候没有把握好所采用的MOSFET的控制参数,选用的参数不当,会出现“驱动电流不够”或“需要增大驱动电流!”等现象,所以,我建议,勤笔免思,多做试验,多记录,及时总结

哈哈,看见高手了吧
所以你在设计电源之间,要考虑好什么样的驱动芯片,看能力来选择MOSFET,不能觉得Ron小就好,往往她的输入端电容比较大,反而不理想.所以设计电源也要用到折衷的原理.

RON小和输入电容大是两方面事,应分别解决.经济承受了用RON小的,与输入电容无关.

本来就是
做开关电源考虑的是全局最优

leon说的结果是对的.
Ron小的管子其输出电容和上升和下降时间都长,结果是开通和关断损耗都变大,确实需要综合考虑.当Ron减小时减小的损耗大于其输出电容增加和上升和下降时间延长增加的损耗时,再用Ron再小的管子就不经济了.那你可能问:为什么厂家把Ron做的越来越低?这要看其应用范围,在低压应用和开关频率不高时Ron小是有其巨大优势的.

补充一下.
大家可能都看到MOS驱动波形上升和下降沿都有一个小台阶,这就是miller电容引起的,上升时:当驱动电压上升到台阶时,MOS开始导通,D-S间电压迅速下降,miller电容快速放电,向楼上所说,从驱动端索取电流,所以电压会下降一点,当miller电容放完电后电压再上升.驱动波形下降沿是同样的道理,不再重复.

加一节驱动(互补射随)
驱动芯片的能力总是有限的,在不足够的情况下,可以加一节互补射随来驱动,以增加驱动能力.
MOS管的选择应该根据管子的在电路中要求承受的耐压和电流.

能具体点吗?
你讲的是针对什么芯片,驱动什么样的MOSFET还是IGBT啊?

驱动较大功率的MOSFET和IGBT的时候
芯片:基本上多可以,常用的3842,494,3525,3875等多可以.

非常感谢各位的解答!只是-----------
如何确定驱动电流和GS间分布电容的关系?比如,40PF的电容,用多大驱动电流?

根据G极电压上升时间决定,或者说根据开关的速度要求决定.
就是电容充电到一定电压所需要的时间.来决定充电电流的大小.

久仰老兄大名,是不是这样?
用恒流给电容充电,根据需要的电容电压.计算上升时间.

大概可以这么估算.
但我们的驱动一般是恒压.要考虑MILLER电容的放电.

请问:如果我在mos珊源极两端并上一个电容,对驱动有什么影响呢
如果我在mos珊源极两端并上一个电容,对驱动有什么影响?

通常情况会延缓驱动,增大开通损耗
但你的情况好象是驱动电流过大所致,看你的下降时间过长,最好加一级泻放.

我最大时电容加到10万pf
驱动时间也没有什么明显的变化,只是驱动840很烫.
后来去掉了840,直接用lt1680驱动,电容我也加到,16000pf,也没什么变化.

那能不能这样认为
驱动波形两边的小台阶就是MOS管的上升时间和下降时间呢?

那能不能这样认为
驱动波形两边的小台阶就是MOS管的MILLER电容放电时间和充电时间呢?