• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

三明治绕法绕变压器真的很适合反激吗?

三明治绕法绕变压器真的很适合反激吗?
全部回复(25)
正序查看
倒序查看
jerry_ch
LV.5
2
2010-06-26 09:38

你有更好的方法吗,贴出来大家学习学习.

0
回复
powerants
LV.6
3
2010-06-26 10:02

反激用三明冶,漏感好控制,绕组临近效应比集中绕的也要低

0
回复
2010-06-26 10:34
@powerants
反激用三明冶,漏感好控制,绕组临近效应比集中绕的也要低

最近调试几台反激电源,发现


三明治绕法,给IC供电的绕组供电电压普片偏高,18--25V,  


而用普通的单层绕法,电压基本都在12-14V,  电感量磁性材料总匝比都一样;


三明治绕法IC供电电压偏高的机,空载很难稳压,电压跳动,假负载要很重才稳定,带满载波形不好,老化还有部分炸机;


 而普通绕法的机,假负载很小都很稳定,带载波形也好 无坏机

0
回复
powerants
LV.6
5
2010-06-26 11:23
@xuyongjiang
最近调试几台反激电源,发现三明治绕法,给IC供电的绕组供电电压普片偏高,18--25V,  而用普通的单层绕法,电压基本都在12-14V, 电感量磁性材料总匝比都一样;三明治绕法IC供电电压偏高的机,空载很难稳压,电压跳动,假负载要很重才稳定,带满载波形不好,老化还有部分炸机; 而普通绕法的机,假负载很小都很稳定,带载波形也好无坏机

那是因为辅助供电绕组与次级的漏感不如集中绕组.这个电压可以接受一定程度的波动,也是有办法抑制的.注意不能因哽废食.

0
回复
lcflry
LV.5
6
2010-06-29 16:42
@powerants
那是因为辅助供电绕组与次级的漏感不如集中绕组.这个电压可以接受一定程度的波动,也是有办法抑制的.注意不能因哽废食.
漏感是低了,但好象温升就比较高,难以控制,对铁芯要求较高。
0
回复
2010-06-30 09:26
@lcflry
漏感是低了,但好象温升就比较高,难以控制,对铁芯要求较高。

反正反激的电源,我现在基本不用三明治绕法了

1
回复
2010-07-01 11:08
@xuyongjiang
反正反激的电源,我现在基本不用三明治绕法了
不用三明治绕法,有什么更好的结构调高效率吗?
0
回复
lwp1975
LV.7
9
2010-07-01 11:18
@xuyongjiang
最近调试几台反激电源,发现三明治绕法,给IC供电的绕组供电电压普片偏高,18--25V,  而用普通的单层绕法,电压基本都在12-14V, 电感量磁性材料总匝比都一样;三明治绕法IC供电电压偏高的机,空载很难稳压,电压跳动,假负载要很重才稳定,带满载波形不好,老化还有部分炸机; 而普通绕法的机,假负载很小都很稳定,带载波形也好无坏机
你可以调整分层的结构,这样会得到不同的实验结果。
0
回复
rich2005
LV.6
10
2010-07-01 11:56
@xuyongjiang
最近调试几台反激电源,发现三明治绕法,给IC供电的绕组供电电压普片偏高,18--25V,  而用普通的单层绕法,电压基本都在12-14V, 电感量磁性材料总匝比都一样;三明治绕法IC供电电压偏高的机,空载很难稳压,电压跳动,假负载要很重才稳定,带满载波形不好,老化还有部分炸机; 而普通绕法的机,假负载很小都很稳定,带载波形也好无坏机

三明治绕法对MOS反压这方面会好些,用RCD吸收回路时。

0
回复
luobiao168
LV.6
11
2010-07-02 17:50
@rich2005
三明治绕法对MOS反压这方面会好些,用RCD吸收回路时。
VCC偏高。是工艺不好造成的。
0
回复
quiqhui
LV.3
12
2010-07-07 22:12
**此帖已被管理员删除**
0
回复
yuyan
LV.9
13
2010-07-08 21:23
@quiqhui
**此帖已被管理员删除**
学习
0
回复
powerants
LV.6
14
2010-07-08 22:16
@quiqhui
**此帖已被管理员删除**

也不尽然,三明冶绕法,加铜箔屏幕,再用Y电容旁路漏网的共模,那也容易过。只是很烧钱,很少有厂家原意这样玩。

0
回复
powerants
LV.6
15
2010-07-08 22:19
@谢厚林
不用三明治绕法,有什么更好的结构调高效率吗?
用比损耗低的高频磁芯,可提高工作磁密,降低匝数,效率也就高了
0
回复
2010-07-08 22:46
@powerants
用比损耗低的高频磁芯,可提高工作磁密,降低匝数,效率也就高了
是的,现在一般控制IC工作频率才66Khz。PI的TOP26X是132Kzh。
0
回复
powerants
LV.6
17
2010-07-08 23:08
@谢厚林
是的,现在一般控制IC工作频率才66Khz。PI的TOP26X是132Kzh。
高频化只是减小了材料用量,主要目的不是为了提高效率
0
回复
lcflry
LV.5
18
2010-07-09 15:42
@powerants
也不尽然,三明冶绕法,加铜箔屏幕,再用Y电容旁路漏网的共模,那也容易过。只是很烧钱,很少有厂家原意这样玩。

兄台真高手,我一客户就是这样,EE13的用三明治绕法加两层内屏蔽,再用Y来旁路。

0
回复
lcflry
LV.5
19
2010-07-09 15:44
@powerants
也不尽然,三明冶绕法,加铜箔屏幕,再用Y电容旁路漏网的共模,那也容易过。只是很烧钱,很少有厂家原意这样玩。
可见一个好的工程对于电源设计是何等重要啊,能做到同样的效率而低成本,这样的工程不管什么老板都喜欢!
0
回复
rich2005
LV.6
20
2010-07-09 16:28
@lcflry
兄台真高手,我一客户就是这样,EE13的用三明治绕法加两层内屏蔽,再用Y来旁路。

三明治绕法有利有弊,主要看折中点在什么地方,客户Care的是什么?

0
回复
2010-07-09 17:02
@lcflry
可见一个好的工程对于电源设计是何等重要啊,能做到同样的效率而低成本,这样的工程不管什么老板都喜欢!
老板喜欢,就是不喜欢加工资
0
回复
lcflry
LV.5
22
2010-07-11 13:13
@谢厚林
老板喜欢,就是不喜欢加工资
这倒也是大实话!
0
回复
LZQ604的
LV.1
23
2010-08-11 21:39

小弟刚入门,可否给我讲讲什么是三明治绕法吗,谢谢

0
回复
NATE007
LV.6
24
2010-08-11 23:20
@LZQ604的
小弟刚入门,可否给我讲讲什么是三明治绕法吗,谢谢
网上搜去    还有视频一起呢
0
回复
2011-05-05 17:25
@xuyongjiang
最近调试几台反激电源,发现三明治绕法,给IC供电的绕组供电电压普片偏高,18--25V,  而用普通的单层绕法,电压基本都在12-14V, 电感量磁性材料总匝比都一样;三明治绕法IC供电电压偏高的机,空载很难稳压,电压跳动,假负载要很重才稳定,带满载波形不好,老化还有部分炸机; 而普通绕法的机,假负载很小都很稳定,带载波形也好无坏机

我用 相同的匝数  方法 

三明治绕法 测得:Np:796uH Ns:54uH 辅助:31uH

普通绕法     测得:Np:12mH Ns:854uH 辅助:462uH

相差怎么这么大的啊  现在都不敢上电了

0
回复
mujian123
LV.5
26
2011-05-05 17:32
@powerants
反激用三明冶,漏感好控制,绕组临近效应比集中绕的也要低
0
回复