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三明治绕法绕变压器真的很适合反激吗？

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LV.5

2

2010-06-26 09:38

你有更好的方法吗,贴出来大家学习学习.

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LV.6

3

2010-06-26 10:02

反激用三明冶,漏感好控制,绕组临近效应比集中绕的也要低

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LV.6

4

2010-06-26 10:34

@powerants

反激用三明冶,漏感好控制,绕组临近效应比集中绕的也要低

最近调试几台反激电源，发现

三明治绕法，给IC供电的绕组供电电压普片偏高，18--25V,

而用普通的单层绕法，电压基本都在12-14V, 电感量磁性材料总匝比都一样；

三明治绕法IC供电电压偏高的机，空载很难稳压，电压跳动，假负载要很重才稳定，带满载波形不好，老化还有部分炸机；

而普通绕法的机，假负载很小都很稳定，带载波形也好无坏机

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LV.6

5

2010-06-26 11:23

@xuyongjiang

最近调试几台反激电源，发现三明治绕法，给IC供电的绕组供电电压普片偏高，18--25V, 而用普通的单层绕法，电压基本都在12-14V, 电感量磁性材料总匝比都一样；三明治绕法IC供电电压偏高的机，空载很难稳压，电压跳动，假负载要很重才稳定，带满载波形不好，老化还有部分炸机；而普通绕法的机，假负载很小都很稳定，带载波形也好无坏机

那是因为辅助供电绕组与次级的漏感不如集中绕组．这个电压可以接受一定程度的波动，也是有办法抑制的．注意不能因哽废食．

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LV.5

6

2010-06-29 16:42

@powerants

那是因为辅助供电绕组与次级的漏感不如集中绕组．这个电压可以接受一定程度的波动，也是有办法抑制的．注意不能因哽废食．

漏感是低了，但好象温升就比较高，难以控制，对铁芯要求较高。

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LV.6

7

2010-06-30 09:26

@lcflry

漏感是低了，但好象温升就比较高，难以控制，对铁芯要求较高。

反正反激的电源，我现在基本不用三明治绕法了

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8

2010-07-01 11:08

@xuyongjiang

反正反激的电源，我现在基本不用三明治绕法了

不用三明治绕法，有什么更好的结构调高效率吗？

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LV.7

9

2010-07-01 11:18

@xuyongjiang

最近调试几台反激电源，发现三明治绕法，给IC供电的绕组供电电压普片偏高，18--25V, 而用普通的单层绕法，电压基本都在12-14V, 电感量磁性材料总匝比都一样；三明治绕法IC供电电压偏高的机，空载很难稳压，电压跳动，假负载要很重才稳定，带满载波形不好，老化还有部分炸机；而普通绕法的机，假负载很小都很稳定，带载波形也好无坏机

你可以调整分层的结构，这样会得到不同的实验结果。

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LV.6

10

2010-07-01 11:56

@xuyongjiang

最近调试几台反激电源，发现三明治绕法，给IC供电的绕组供电电压普片偏高，18--25V, 而用普通的单层绕法，电压基本都在12-14V, 电感量磁性材料总匝比都一样；三明治绕法IC供电电压偏高的机，空载很难稳压，电压跳动，假负载要很重才稳定，带满载波形不好，老化还有部分炸机；而普通绕法的机，假负载很小都很稳定，带载波形也好无坏机

三明治绕法对MOS反压这方面会好些，用RCD吸收回路时。

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LV.6

11

2010-07-02 17:50

@rich2005

三明治绕法对MOS反压这方面会好些，用RCD吸收回路时。

VCC偏高。是工艺不好造成的。

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LV.3

12

2010-07-07 22:12

**此帖已被管理员删除**

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LV.9

13

2010-07-08 21:23

@quiqhui

**此帖已被管理员删除**

学习

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LV.6

14

2010-07-08 22:16

@quiqhui

**此帖已被管理员删除**

也不尽然，三明冶绕法，加铜箔屏幕，再用Y电容旁路漏网的共模，那也容易过。只是很烧钱，很少有厂家原意这样玩。

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LV.6

15

2010-07-08 22:19

@谢厚林

不用三明治绕法，有什么更好的结构调高效率吗？

用比损耗低的高频磁芯，可提高工作磁密，降低匝数，效率也就高了

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16

2010-07-08 22:46

@powerants

用比损耗低的高频磁芯，可提高工作磁密，降低匝数，效率也就高了

是的，现在一般控制IC工作频率才66Khz。PI的TOP26X是132Kzh。

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LV.6

17

2010-07-08 23:08

@谢厚林

是的，现在一般控制IC工作频率才66Khz。PI的TOP26X是132Kzh。

高频化只是减小了材料用量，主要目的不是为了提高效率

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LV.5

18

2010-07-09 15:42

@powerants

也不尽然，三明冶绕法，加铜箔屏幕，再用Y电容旁路漏网的共模，那也容易过。只是很烧钱，很少有厂家原意这样玩。

兄台真高手，我一客户就是这样，EE13的用三明治绕法加两层内屏蔽，再用Y来旁路。

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LV.5

19

2010-07-09 15:44

@powerants

也不尽然，三明冶绕法，加铜箔屏幕，再用Y电容旁路漏网的共模，那也容易过。只是很烧钱，很少有厂家原意这样玩。

可见一个好的工程对于电源设计是何等重要啊，能做到同样的效率而低成本，这样的工程不管什么老板都喜欢！

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LV.6

20

2010-07-09 16:28

@lcflry

兄台真高手，我一客户就是这样，EE13的用三明治绕法加两层内屏蔽，再用Y来旁路。

三明治绕法有利有弊，主要看折中点在什么地方，客户Care的是什么？

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21

2010-07-09 17:02

@lcflry

可见一个好的工程对于电源设计是何等重要啊，能做到同样的效率而低成本，这样的工程不管什么老板都喜欢！

老板喜欢，就是不喜欢加工资

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LV.5

22

2010-07-11 13:13

@谢厚林

老板喜欢，就是不喜欢加工资

这倒也是大实话！

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LV.1

23

2010-08-11 21:39

小弟刚入门，可否给我讲讲什么是三明治绕法吗，谢谢

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LV.6

24

2010-08-11 23:20

@LZQ604的

小弟刚入门，可否给我讲讲什么是三明治绕法吗，谢谢

网上搜去还有视频一起呢

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LV.2

25

2011-05-05 17:25

@xuyongjiang

最近调试几台反激电源，发现三明治绕法，给IC供电的绕组供电电压普片偏高，18--25V, 而用普通的单层绕法，电压基本都在12-14V, 电感量磁性材料总匝比都一样；三明治绕法IC供电电压偏高的机，空载很难稳压，电压跳动，假负载要很重才稳定，带满载波形不好，老化还有部分炸机；而普通绕法的机，假负载很小都很稳定，带载波形也好无坏机

我用相同的匝数方法

三明治绕法测得：Np:796uH Ns:54uH 辅助：31uH

普通绕法测得：Np:12mH Ns:854uH 辅助：462uH

相差怎么这么大的啊现在都不敢上电了

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LV.5

26

2011-05-05 17:32

@powerants

反激用三明冶,漏感好控制,绕组临近效应比集中绕的也要低

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