电路结构是这样的，3525推挽升压，后面全桥逆变。
电路参数如下，
电路的前级吸收RC吸收，在两个IGBT的ce间分别加20欧姆金属膜电阻加332安规电容。
观察波形，发现一头一尾毛刺很高。
接着在它的基础上，电路的后级在每个整流二极管上加RC钳位，都并联的20欧姆金属膜电阻加332安规电容，发现波形开通时有向下的小缺口，其他变化倒是不大。
当时低压直流输入电压是3.8v，升压输出是25v
一图1通道是ce波形，2通道是对应的驱动波形
二图是两管对应的波形。
有以下问题想请教高手：
1.为啥本管关闭时有这么大毛刺呀？和前级、后级的吸收钳位有关系吗？这个吸收钳位值如何来选取比较合适呢？
2.再后级吸收每个二极管上加rc后出现向下的小缺口，这个什么原因呢？
谢谢高手。
