关于高压电解

我的最大500u

关断呢？是否单硅

我是说关断你上了多少，我上了12UF

请大家分析一下为什么电解容量过大单硅很难关短的原因！

要加大关断电感才能关断。

我也是这样弄的

这样电感体积很庞大

一个知识普及：

必须讲到单硅的原理，

1，触发：后级触发电容充电（关断电容也没歇菜也在充电，为他的工作开始铺垫），触发电容两端电压开始上升，到30V左右（DB3的导通阈值），DB3导通，可控硅控制极得到触发电流，可控硅导通。

2，失触：由于DB3对可控硅的放电，触发电容端电压迅速下降，直到低于DB3截止阈值，DB3截止，可控硅失去触发电流，但可控硅一旦触发，不可自行逆转，仍然傻瓜一样导通，除非电流过零。，使可控硅过零只有2个方案：1，掉电，就是断开可控硅，2，给可控硅施加1个相反方向的电流。

3，关断：触发电容充电同时，关断电容也在充电，可控硅一旦导通，相当于使LC关断电路短路，关断电容正程对电感放电，在电感两端产生一个逆程电流，既然叫“逆程”电流，说明此时在LC回路中流过的电流和充电电流是相反方向的，这个反向电流最终反向施加到可控硅，强行对冲可控硅流过的电流，使电流过零，粗暴而强制的截止可控硅。

LC串联的所谓关断电路，在别的应用中叫：“移相” “倒相”电路，顾名思义：就是这玩意可以让电流反向。比如：单向电动机，副饶组和电容串联就是起到移相作用，风扇，洗衣机才会转起来嘛！

主题思想：

     单硅有个毛病，效率低了点，为什么？就怪LC关断电路！他消耗了很多的能源，他要充电的啊？他要放电的哦，放出去的电又没有去到网抄，只是施加到可控硅使那SB关断而已！一个方向性的建议：宁可电感大点，电容小点，这样效率高点，电容容量越大，需要的充电电流越大，导致JJ的消耗越大，做的无用功更多，保证脉宽和可靠关断前提下，建议你最好配1UF的电容+5MH的电感，而不是5UF的电容+1MH的电感，当然：这是个方向性的指导，这些数字不能当真，总之，为了效率，宁可L大C小，不为L小C大。

咱普及下知识，没对上楼主的上联，跑题了

电容用的大小还要取决于前级的频率

学习了，经验啊