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【原创】电源效率讨论系列一:次级整流二极管的损耗

经常听到很多的工程师说自己做的电源效率很高,符合全世界所有的标准。

听到这些话之后,我心里在想:作为工程师,技术参数永远是我们追求的目标,但是我们更关注的是产品的成本,本公司的生产工艺水平,生产操作方便性,参数性能的一致性等等的问题,因为只有这样,我们开发出来的产品采用更有竞争力。

扯远了,回到正题;电源效率一直是我心中的痛,相信很多的工程师也比较纠结。论坛里面也有过讨论,但是都不深入,我想在本帖里面作一次比较深入的讨论。

我们可以从各个方面来讨论,请大家畅所欲言

后续的讨论:

电源效率讨论系列二:磁性元件的损耗

电源效率讨论系列三:变压器绕制工艺

 

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2010-07-29 09:58

我先来抛个砖,希望能引到玉。

大功率电源与小功率电源中,次级整流二极管的损耗都是提高效率的一个瓶颈(在此不讨论同步整流,因为同步整流要提高成本),我们如何将整流二极管的损耗降低到一个可接受范围?

大家自然想到加吸收电路,那么问题就来了:

1、什么情况下要加吸收

2、加什么样的吸收?增加电容,增加RC吸收,整流二极管套磁珠,整流电路上串饱和电感

3、什么情况下,吸收才是比较理想的,怎么判断?

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2010-07-29 10:27
@心中有冰
我先来抛个砖,希望能引到玉。大功率电源与小功率电源中,次级整流二极管的损耗都是提高效率的一个瓶颈(在此不讨论同步整流,因为同步整流要提高成本),我们如何将整流二极管的损耗降低到一个可接受范围?大家自然想到加吸收电路,那么问题就来了:1、什么情况下要加吸收2、加什么样的吸收?增加电容,增加RC吸收,整流二极管套磁珠,整流电路上串饱和电感3、什么情况下,吸收才是比较理想的,怎么判断?

那好吧,首先问个问题,二极管的RC sunbber,应该怎么计算设计?

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2010-07-29 10:37

我先说说我的观点:

1,个人认为效率不是绝对的。我刚开始进入电源这个行业的时候,最在乎的就是效率这个指标了。但时间长了,对效率开始变得比较迟钝了。我觉得要从电源的整体指标去看了。电磁兼容、稳定与可靠更重要。特别是对小功率电源来说,效率似乎更不是那么重要。

2,次级整流二极管的损耗主要体现在两个方面,一是导通损耗,二是反向恢复。从导通损耗的角度来看,耐压比较低的二极管,导通压降也比较低。也就是说,选择二极管的时候,耐压在保证够用的情况下,不要选的过高。另外,PN结随着温度上升,压降会降低,那么是不是意味着,在保证二极管结温安全的前提下,不妨让结温维持在比较高的温度,散热不要做的过分的好?二极管开关时,反向电流有两个来源,一是结电容电流,二是反向恢复电流。有时候,为了选择导通损耗低的二极管,过分选择大电流的二极管,反而因为二极管的结电容大,结果二极管反向恢复时,结电容流过的电流也大,从而得不偿失。从PN结的反向恢复来说,当然是选择反向恢复速度快,恢复特性软的二极管比较好。

3,恢复特性造成二极管上有尖峰电压。尖峰电压会导致二极管损坏或EMC不好过。所以有时候是必须加吸收电路的。同样,为了提高效率,尽量用损耗低的电路。

4,从整体来说,小功率场合用的反激电路,就尽量设计在DCM模式,避免反向恢复问题,就可以不加RC了。还有,能用肖特基就不要用快恢复。

5,从变压器设计的角度来看,如果输出电流很大,电压较低,那么用全波整流效率会比用桥式要合理一些。

先谈这些吧。

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2010-07-29 10:55
@sometimes
那好吧,首先问个问题,二极管的RCsunbber,应该怎么计算设计?

个人认为RC吸收的本质是转移损耗

由于电容两端的电压不能突变,故可以抑制电压尖峰,而电阻纯粹是一个阻尼振荡的作用

对于计算业界一直不推荐,大都是采用测试法,因为计算出来的跟实际的还是有差异

调试方法记得CMG以前说过,先测量振荡波形,读出振荡频率,然后加C,使振荡频率减半,再计算电路的寄生电容、电感,最后根据振荡电路的特征参数来确定串联电阻的大小,或直接接电阻试验,直到振荡基本消失为准

 

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2010-07-29 11:02
@让你记得我的好
我先说说我的观点:1,个人认为效率不是绝对的。我刚开始进入电源这个行业的时候,最在乎的就是效率这个指标了。但时间长了,对效率开始变得比较迟钝了。我觉得要从电源的整体指标去看了。电磁兼容、稳定与可靠更重要。特别是对小功率电源来说,效率似乎更不是那么重要。2,次级整流二极管的损耗主要体现在两个方面,一是导通损耗,二是反向恢复。从导通损耗的角度来看,耐压比较低的二极管,导通压降也比较低。也就是说,选择二极管的时候,耐压在保证够用的情况下,不要选的过高。另外,PN结随着温度上升,压降会降低,那么是不是意味着,在保证二极管结温安全的前提下,不妨让结温维持在比较高的温度,散热不要做的过分的好?二极管开关时,反向电流有两个来源,一是结电容电流,二是反向恢复电流。有时候,为了选择导通损耗低的二极管,过分选择大电流的二极管,反而因为二极管的结电容大,结果二极管反向恢复时,结电容流过的电流也大,从而得不偿失。从PN结的反向恢复来说,当然是选择反向恢复速度快,恢复特性软的二极管比较好。3,恢复特性造成二极管上有尖峰电压。尖峰电压会导致二极管损坏或EMC不好过。所以有时候是必须加吸收电路的。同样,为了提高效率,尽量用损耗低的电路。4,从整体来说,小功率场合用的反激电路,就尽量设计在DCM模式,避免反向恢复问题,就可以不加RC了。还有,能用肖特基就不要用快恢复。5,从变压器设计的角度来看,如果输出电流很大,电压较低,那么用全波整流效率会比用桥式要合理一些。先谈这些吧。

说得好,果然引来了美玉

提高效率,不是等到产生了尖峰,才考虑怎样去吸收它,而是在设计之初就从各方面去考虑让电路尽量少产生di/dt与du/dt的干扰

当然由于器件本身特性引起的干扰,我们还是有必要去限制

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2010-07-29 11:03
@心中有冰
个人认为RC吸收的本质是转移损耗由于电容两端的电压不能突变,故可以抑制电压尖峰,而电阻纯粹是一个阻尼振荡的作用对于计算业界一直不推荐,大都是采用测试法,因为计算出来的跟实际的还是有差异调试方法记得CMG以前说过,先测量振荡波形,读出振荡频率,然后加C,使振荡频率减半,再计算电路的寄生电容、电感,最后根据振荡电路的特征参数来确定串联电阻的大小,或直接接电阻试验,直到振荡基本消失为准 

是的,是有类似的计算方法,基本还算合理。

不过对于RC是否是纯粹的转移效率,我为此作过一次实验,RC参数不合理能降低效率,但是合理的RC反而能提升效率。

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2010-07-29 11:07
@sometimes
是的,是有类似的计算方法,基本还算合理。不过对于RC是否是纯粹的转移效率,我为此作过一次实验,RC参数不合理能降低效率,但是合理的RC反而能提升效率。
版主可否说明下,在不合理的RC情况下,到底是C还是R选取不合理?
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2010-07-29 11:16
@心中有冰
版主可否说明下,在不合理的RC情况下,到底是C还是R选取不合理?

C越大,会带来越大的损耗,而且当R阻尼不够时,反而会引起严重震荡。但是C太小,吸收尖峰的能力却不够。我翻遍了网上的文章,基本确定方式,就是你上面所说的,测量加计算,再调试的办法。是个折中的选择。

比较通用简单的设计办法是:在没有加吸收之前,测试震荡频率,假如频率是f,那么开始并电容,并了电容震荡频率自然下降,那么并多少电容呢?并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半,就是0.5f。

这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数,电感L。最后取R=(L/C)开根号。

关于RC是否能提升效率,我以前也认为不行,但偶尔有次看了一篇论文,说RC能提高效率。为此,专门找了台电源,做实验,在使用了很多RC参数发现,在某些RC参数下,电源效率确实提高了一丁点。反复实验,证实了这一点,但这参数,并不和上面的方法确定的参数完全吻合。

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2010-07-29 12:04
@sometimes
C越大,会带来越大的损耗,而且当R阻尼不够时,反而会引起严重震荡。但是C太小,吸收尖峰的能力却不够。我翻遍了网上的文章,基本确定方式,就是你上面所说的,测量加计算,再调试的办法。是个折中的选择。比较通用简单的设计办法是:在没有加吸收之前,测试震荡频率,假如频率是f,那么开始并电容,并了电容震荡频率自然下降,那么并多少电容呢?并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半,就是0.5f。这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数,电感L。最后取R=(L/C)开根号。关于RC是否能提升效率,我以前也认为不行,但偶尔有次看了一篇论文,说RC能提高效率。为此,专门找了台电源,做实验,在使用了很多RC参数发现,在某些RC参数下,电源效率确实提高了一丁点。反复实验,证实了这一点,但这参数,并不和上面的方法确定的参数完全吻合。

佩服你对技术的认真态度!

其实我也有过测试,发现把振荡完全压制效率不是最高的,让波形稍微有点振荡,对效率反而有好处

 

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bode
LV.9
11
2010-07-29 14:36
@让你记得我的好
我先说说我的观点:1,个人认为效率不是绝对的。我刚开始进入电源这个行业的时候,最在乎的就是效率这个指标了。但时间长了,对效率开始变得比较迟钝了。我觉得要从电源的整体指标去看了。电磁兼容、稳定与可靠更重要。特别是对小功率电源来说,效率似乎更不是那么重要。2,次级整流二极管的损耗主要体现在两个方面,一是导通损耗,二是反向恢复。从导通损耗的角度来看,耐压比较低的二极管,导通压降也比较低。也就是说,选择二极管的时候,耐压在保证够用的情况下,不要选的过高。另外,PN结随着温度上升,压降会降低,那么是不是意味着,在保证二极管结温安全的前提下,不妨让结温维持在比较高的温度,散热不要做的过分的好?二极管开关时,反向电流有两个来源,一是结电容电流,二是反向恢复电流。有时候,为了选择导通损耗低的二极管,过分选择大电流的二极管,反而因为二极管的结电容大,结果二极管反向恢复时,结电容流过的电流也大,从而得不偿失。从PN结的反向恢复来说,当然是选择反向恢复速度快,恢复特性软的二极管比较好。3,恢复特性造成二极管上有尖峰电压。尖峰电压会导致二极管损坏或EMC不好过。所以有时候是必须加吸收电路的。同样,为了提高效率,尽量用损耗低的电路。4,从整体来说,小功率场合用的反激电路,就尽量设计在DCM模式,避免反向恢复问题,就可以不加RC了。还有,能用肖特基就不要用快恢复。5,从变压器设计的角度来看,如果输出电流很大,电压较低,那么用全波整流效率会比用桥式要合理一些。先谈这些吧。

一群旅团长在这讨论的好热烈啊,小小不才,也来凑凑热闹。

就关于 让你记得我的好 大师的观点逐条提出几点疑问(话说你这ID 真长)。

1、效率和功率密度,永远都是衡量一个公司研发水平和工艺水平的一个标杆,无论功率大小。即使小功率,也可以采用调频控制的单管准谐振,对电磁兼容大大好处。

 

2、第二条是疑问比较多的。按照斑竹的意思,二极管的反向电流有两个:一个是结电容电流,一个是反向恢复电流。那么反向恢复电流从何而来?是因为二极管导电是多子和少子共同参与的,当从整偏转向负偏时,少子要复位。这本身就是内部寄生电场的充放电过程,就因为内部存在寄生电场,所以才会有结电容存在。所以我认为,结电容电流和反向恢复电流,其实是同一个电流。

 

3、反向恢复特性会造成二极管上有反向的恢复尖峰电流,至于会不会形成尖峰电压,有待讨论。就是说,这个尖峰电压,到底是由变压器次级漏感引起,还是由反向恢复引起?按照斑竹的意思,不存在反向恢复,就不会存在这个反向尖峰。那么,肖特基不存在反向恢复,但这个尖峰电压依然存在。

4、我觉得不能因为反向恢复问题,就采用DCM模式。DCM模式的初级电流尖峰大,造成的铜损大,变压器效率低。所以,一般CCM模式要比DCM模式效率高。鉴于本贴是要讨论效率问题,我觉得反激还是尽量工作在CCM模式比较好。如果是高压小电流输出,那就是DCM模式比较好。

5、低压大电流输出,就用同步整流好了。

 

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leowang2002
LV.4
12
2010-07-29 15:05
@bode
一群旅团长在这讨论的好热烈啊,小小不才,也来凑凑热闹。就关于让你记得我的好大师的观点逐条提出几点疑问(话说你这ID真长)。1、效率和功率密度,永远都是衡量一个公司研发水平和工艺水平的一个标杆,无论功率大小。即使小功率,也可以采用调频控制的单管准谐振,对电磁兼容大大好处。 2、第二条是疑问比较多的。按照斑竹的意思,二极管的反向电流有两个:一个是结电容电流,一个是反向恢复电流。那么反向恢复电流从何而来?是因为二极管导电是多子和少子共同参与的,当从整偏转向负偏时,少子要复位。这本身就是内部寄生电场的充放电过程,就因为内部存在寄生电场,所以才会有结电容存在。所以我认为,结电容电流和反向恢复电流,其实是同一个电流。 3、反向恢复特性会造成二极管上有反向的恢复尖峰电流,至于会不会形成尖峰电压,有待讨论。就是说,这个尖峰电压,到底是由变压器次级漏感引起,还是由反向恢复引起?按照斑竹的意思,不存在反向恢复,就不会存在这个反向尖峰。那么,肖特基不存在反向恢复,但这个尖峰电压依然存在。4、我觉得不能因为反向恢复问题,就采用DCM模式。DCM模式的初级电流尖峰大,造成的铜损大,变压器效率低。所以,一般CCM模式要比DCM模式效率高。鉴于本贴是要讨论效率问题,我觉得反激还是尽量工作在CCM模式比较好。如果是高压小电流输出,那就是DCM模式比较好。5、低压大电流输出,就用同步整流好了。 
效率永远是设计师不断讨论的热点,也是客户要求的重点。仅仅是二次Di的CR SUNNBER的讨论是不够的。当然增加CR SUNNBER必然会增加损耗。我想更应该根据客户要求,从选择合适的电路结构开始,结合变压器的设计,来实现高效率和稳定性好的电源。
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2010-07-29 16:29
@bode
一群旅团长在这讨论的好热烈啊,小小不才,也来凑凑热闹。就关于让你记得我的好大师的观点逐条提出几点疑问(话说你这ID真长)。1、效率和功率密度,永远都是衡量一个公司研发水平和工艺水平的一个标杆,无论功率大小。即使小功率,也可以采用调频控制的单管准谐振,对电磁兼容大大好处。 2、第二条是疑问比较多的。按照斑竹的意思,二极管的反向电流有两个:一个是结电容电流,一个是反向恢复电流。那么反向恢复电流从何而来?是因为二极管导电是多子和少子共同参与的,当从整偏转向负偏时,少子要复位。这本身就是内部寄生电场的充放电过程,就因为内部存在寄生电场,所以才会有结电容存在。所以我认为,结电容电流和反向恢复电流,其实是同一个电流。 3、反向恢复特性会造成二极管上有反向的恢复尖峰电流,至于会不会形成尖峰电压,有待讨论。就是说,这个尖峰电压,到底是由变压器次级漏感引起,还是由反向恢复引起?按照斑竹的意思,不存在反向恢复,就不会存在这个反向尖峰。那么,肖特基不存在反向恢复,但这个尖峰电压依然存在。4、我觉得不能因为反向恢复问题,就采用DCM模式。DCM模式的初级电流尖峰大,造成的铜损大,变压器效率低。所以,一般CCM模式要比DCM模式效率高。鉴于本贴是要讨论效率问题,我觉得反激还是尽量工作在CCM模式比较好。如果是高压小电流输出,那就是DCM模式比较好。5、低压大电流输出,就用同步整流好了。 

兄弟的怀疑精神值得推崇,我越俎代庖一下,代 让你记得我的好 版主回答你的疑问

1、你的看法有点偏激,因为设计任何的产品都是一个矛盾的取舍过程,对于一个成熟有竞争力的电源来说,安规、EMC、尺寸、效率、输入输出参数、保护性能、寿命、可靠性、成本、元器件的通用性、生产的可操作行……,这些都是制约我们设计的因素,所以往往市场上卖得最好的产品,不是某项指标很好的产品,而是综合指标好的产品。你说的准谐振在小功率上应用往往受到成本的制约。

2、我保留意见,回去好好复习下二极管的反向恢复过程。

3、基本同意你的意见,但上面版主说的也没有错误,次级整流管上的反向恢复电压尖峰,跟二极管反向恢复电流有关,跟变压器次级漏感以及布线产生的杂散电感也有关

4、到底CCM与DCM的效率哪个高,这个问题曾经讨论过很多次,到现在都没有定论,我们的讨论要建立在同样的输入输出指标,同样的成本,同样的结构尺寸的基础上。我个人的经验,小功率DCM有优势,功率稍大就可以考虑CCM了。

5、请注意楼顶的条件,同步整流在这里不讨论

上面是个人见解,如有不对,请指教

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lianghongce
LV.5
14
2010-07-29 16:30
@leowang2002
效率永远是设计师不断讨论的热点,也是客户要求的重点。仅仅是二次Di的CRSUNNBER的讨论是不够的。当然增加CRSUNNBER必然会增加损耗。我想更应该根据客户要求,从选择合适的电路结构开始,结合变压器的设计,来实现高效率和稳定性好的电源。

好,学习一下。

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2010-07-29 16:31
@leowang2002
效率永远是设计师不断讨论的热点,也是客户要求的重点。仅仅是二次Di的CRSUNNBER的讨论是不够的。当然增加CRSUNNBER必然会增加损耗。我想更应该根据客户要求,从选择合适的电路结构开始,结合变压器的设计,来实现高效率和稳定性好的电源。
一步步来,争取把问题慢慢深入浅出,然后再铺开
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powercheng
LV.9
16
2010-07-29 16:38
@让你记得我的好
我先说说我的观点:1,个人认为效率不是绝对的。我刚开始进入电源这个行业的时候,最在乎的就是效率这个指标了。但时间长了,对效率开始变得比较迟钝了。我觉得要从电源的整体指标去看了。电磁兼容、稳定与可靠更重要。特别是对小功率电源来说,效率似乎更不是那么重要。2,次级整流二极管的损耗主要体现在两个方面,一是导通损耗,二是反向恢复。从导通损耗的角度来看,耐压比较低的二极管,导通压降也比较低。也就是说,选择二极管的时候,耐压在保证够用的情况下,不要选的过高。另外,PN结随着温度上升,压降会降低,那么是不是意味着,在保证二极管结温安全的前提下,不妨让结温维持在比较高的温度,散热不要做的过分的好?二极管开关时,反向电流有两个来源,一是结电容电流,二是反向恢复电流。有时候,为了选择导通损耗低的二极管,过分选择大电流的二极管,反而因为二极管的结电容大,结果二极管反向恢复时,结电容流过的电流也大,从而得不偿失。从PN结的反向恢复来说,当然是选择反向恢复速度快,恢复特性软的二极管比较好。3,恢复特性造成二极管上有尖峰电压。尖峰电压会导致二极管损坏或EMC不好过。所以有时候是必须加吸收电路的。同样,为了提高效率,尽量用损耗低的电路。4,从整体来说,小功率场合用的反激电路,就尽量设计在DCM模式,避免反向恢复问题,就可以不加RC了。还有,能用肖特基就不要用快恢复。5,从变压器设计的角度来看,如果输出电流很大,电压较低,那么用全波整流效率会比用桥式要合理一些。先谈这些吧。
总结的相当好。
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2010-07-29 16:45
@心中有冰
兄弟的怀疑精神值得推崇,我越俎代庖一下,代让你记得我的好版主回答你的疑问1、你的看法有点偏激,因为设计任何的产品都是一个矛盾的取舍过程,对于一个成熟有竞争力的电源来说,安规、EMC、尺寸、效率、输入输出参数、保护性能、寿命、可靠性、成本、元器件的通用性、生产的可操作行……,这些都是制约我们设计的因素,所以往往市场上卖得最好的产品,不是某项指标很好的产品,而是综合指标好的产品。你说的准谐振在小功率上应用往往受到成本的制约。2、我保留意见,回去好好复习下二极管的反向恢复过程。3、基本同意你的意见,但上面版主说的也没有错误,次级整流管上的反向恢复电压尖峰,跟二极管反向恢复电流有关,跟变压器次级漏感以及布线产生的杂散电感也有关4、到底CCM与DCM的效率哪个高,这个问题曾经讨论过很多次,到现在都没有定论,我们的讨论要建立在同样的输入输出指标,同样的成本,同样的结构尺寸的基础上。我个人的经验,小功率DCM有优势,功率稍大就可以考虑CCM了。5、请注意楼顶的条件,同步整流在这里不讨论上面是个人见解,如有不对,请指教

go,go,go!

继续讨论为啥,反向恢复电流会引起电压尖峰呢~~~~~~

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machi518
LV.4
18
2010-07-29 19:08
@bode
一群旅团长在这讨论的好热烈啊,小小不才,也来凑凑热闹。就关于让你记得我的好大师的观点逐条提出几点疑问(话说你这ID真长)。1、效率和功率密度,永远都是衡量一个公司研发水平和工艺水平的一个标杆,无论功率大小。即使小功率,也可以采用调频控制的单管准谐振,对电磁兼容大大好处。 2、第二条是疑问比较多的。按照斑竹的意思,二极管的反向电流有两个:一个是结电容电流,一个是反向恢复电流。那么反向恢复电流从何而来?是因为二极管导电是多子和少子共同参与的,当从整偏转向负偏时,少子要复位。这本身就是内部寄生电场的充放电过程,就因为内部存在寄生电场,所以才会有结电容存在。所以我认为,结电容电流和反向恢复电流,其实是同一个电流。 3、反向恢复特性会造成二极管上有反向的恢复尖峰电流,至于会不会形成尖峰电压,有待讨论。就是说,这个尖峰电压,到底是由变压器次级漏感引起,还是由反向恢复引起?按照斑竹的意思,不存在反向恢复,就不会存在这个反向尖峰。那么,肖特基不存在反向恢复,但这个尖峰电压依然存在。4、我觉得不能因为反向恢复问题,就采用DCM模式。DCM模式的初级电流尖峰大,造成的铜损大,变压器效率低。所以,一般CCM模式要比DCM模式效率高。鉴于本贴是要讨论效率问题,我觉得反激还是尽量工作在CCM模式比较好。如果是高压小电流输出,那就是DCM模式比较好。5、低压大电流输出,就用同步整流好了。 
说的不错哦!
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林建良
LV.7
19
2010-07-30 02:15
@sometimes
C越大,会带来越大的损耗,而且当R阻尼不够时,反而会引起严重震荡。但是C太小,吸收尖峰的能力却不够。我翻遍了网上的文章,基本确定方式,就是你上面所说的,测量加计算,再调试的办法。是个折中的选择。比较通用简单的设计办法是:在没有加吸收之前,测试震荡频率,假如频率是f,那么开始并电容,并了电容震荡频率自然下降,那么并多少电容呢?并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半,就是0.5f。这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数,电感L。最后取R=(L/C)开根号。关于RC是否能提升效率,我以前也认为不行,但偶尔有次看了一篇论文,说RC能提高效率。为此,专门找了台电源,做实验,在使用了很多RC参数发现,在某些RC参数下,电源效率确实提高了一丁点。反复实验,证实了这一点,但这参数,并不和上面的方法确定的参数完全吻合。

我實際上遇到的狀況供大家參考

1. 變壓器設計太爛時,漏感太大,再重的Snubber都收不了

2. Snubber提高效率只針對輕載或空載,畢竟那麼小的東西所佔比例有限

3. 收掉Diode上振鈴是一回事, EMI Radiation又是另一回事,有一次R=10 ~22 ohm在振鈴上差異不大,因為Diode耐壓很足,心想算了隨便放吧,後來EMI Radiation發現22 ohm效果比我使用10 ohm再串Bead Core好多了

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hsym_101584
LV.5
20
2010-07-30 08:35
@powercheng
[图片]总结的相当好。
学习
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xiangyi
LV.7
21
2010-07-30 08:49
@心中有冰
兄弟的怀疑精神值得推崇,我越俎代庖一下,代让你记得我的好版主回答你的疑问1、你的看法有点偏激,因为设计任何的产品都是一个矛盾的取舍过程,对于一个成熟有竞争力的电源来说,安规、EMC、尺寸、效率、输入输出参数、保护性能、寿命、可靠性、成本、元器件的通用性、生产的可操作行……,这些都是制约我们设计的因素,所以往往市场上卖得最好的产品,不是某项指标很好的产品,而是综合指标好的产品。你说的准谐振在小功率上应用往往受到成本的制约。2、我保留意见,回去好好复习下二极管的反向恢复过程。3、基本同意你的意见,但上面版主说的也没有错误,次级整流管上的反向恢复电压尖峰,跟二极管反向恢复电流有关,跟变压器次级漏感以及布线产生的杂散电感也有关4、到底CCM与DCM的效率哪个高,这个问题曾经讨论过很多次,到现在都没有定论,我们的讨论要建立在同样的输入输出指标,同样的成本,同样的结构尺寸的基础上。我个人的经验,小功率DCM有优势,功率稍大就可以考虑CCM了。5、请注意楼顶的条件,同步整流在这里不讨论上面是个人见解,如有不对,请指教
讲得不错。
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2010-07-30 08:58
@林建良
我實際上遇到的狀況供大家參考1.變壓器設計太爛時,漏感太大,再重的Snubber都收不了2.Snubber提高效率只針對輕載或空載,畢竟那麼小的東西所佔比例有限3.收掉Diode上振鈴是一回事,EMIRadiation又是另一回事,有一次R=10~22ohm在振鈴上差異不大,因為Diode耐壓很足,心想算了隨便放吧,後來EMIRadiation發現22ohm效果比我使用10ohm再串BeadCore好多了

是的,有时计算只具有普遍的指导意义,参数还是要以实际调试与测试为准

不过话说回来,在中大功率的电源中,Snubber电路确实有不可替代的作用,因为大功率的电源中di/dt较大,电路的分布电感会让波形产生许多毛刺与尖峰,这个时候加吸收电路就显得非常有必要了。特别是EMI方面,有时调整下RC参数,会收到意想不到的效果。

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2010-07-30 09:04
@sometimes
go,go,go!继续讨论为啥,反向恢复电流会引起电压尖峰呢~~~~~~

这个问题问得好,其实以前我也没有认真考虑过,只是觉得有反向恢复电流,就肯定会有反向尖峰电压的.

既然版主提出了这个问题,那么下面我们就来好好的讨论一番。

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2010-07-30 09:12
@心中有冰
这个问题问得好,其实以前我也没有认真考虑过,只是觉得有反向恢复电流,就肯定会有反向尖峰电压的.既然版主提出了这个问题,那么下面我们就来好好的讨论一番。

 

上图是实际二极管的等效电路模型(图片来源于蔡喧三与张占松的《开关电源原理与设计》),其中D为理想二极管,L为引线电感,Cj为二极管的节电容,Rp为并联电阻(作用表现为二极管的反向漏电流),RS为引线电阻

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2010-07-30 09:25
@心中有冰
这个问题问得好,其实以前我也没有认真考虑过,只是觉得有反向恢复电流,就肯定会有反向尖峰电压的.既然版主提出了这个问题,那么下面我们就来好好的讨论一番。

 

这个图纸是二极管的反向恢复过程二极管的电压电流变化图纸,其中IF为二极管的正向平均电流,IRm为二极管的反向恢复最大电流,VDF为二极管的正向导通压降,VRm为反向最大电压,VR为稳态反向电压,trr为反向恢复时间

大家可以好好的看下这两个图纸,仔细的思考下反向恢复的过程,然后把自己的理解写出来。

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林建良
LV.7
26
2010-07-30 12:15
@心中有冰
兄弟的怀疑精神值得推崇,我越俎代庖一下,代让你记得我的好版主回答你的疑问1、你的看法有点偏激,因为设计任何的产品都是一个矛盾的取舍过程,对于一个成熟有竞争力的电源来说,安规、EMC、尺寸、效率、输入输出参数、保护性能、寿命、可靠性、成本、元器件的通用性、生产的可操作行……,这些都是制约我们设计的因素,所以往往市场上卖得最好的产品,不是某项指标很好的产品,而是综合指标好的产品。你说的准谐振在小功率上应用往往受到成本的制约。2、我保留意见,回去好好复习下二极管的反向恢复过程。3、基本同意你的意见,但上面版主说的也没有错误,次级整流管上的反向恢复电压尖峰,跟二极管反向恢复电流有关,跟变压器次级漏感以及布线产生的杂散电感也有关4、到底CCM与DCM的效率哪个高,这个问题曾经讨论过很多次,到现在都没有定论,我们的讨论要建立在同样的输入输出指标,同样的成本,同样的结构尺寸的基础上。我个人的经验,小功率DCM有优势,功率稍大就可以考虑CCM了。5、请注意楼顶的条件,同步整流在这里不讨论上面是个人见解,如有不对,请指教

就我所知,在小功率3W手機市場,的確看到些產品往諧振方向達到無初級DRC SNUBBER,無Photo,無TL431...等等的設計,而且已經開始往12W甚至18W設計

總成本已經接近USD:1.0的BOM Cose (含Case Cable 包裝唷)

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2010-07-31 09:33
@心中有冰
[图片] 这个图纸是二极管的反向恢复过程二极管的电压电流变化图纸,其中IF为二极管的正向平均电流,IRm为二极管的反向恢复最大电流,VDF为二极管的正向导通压降,VRm为反向最大电压,VR为稳态反向电压,trr为反向恢复时间大家可以好好的看下这两个图纸,仔细的思考下反向恢复的过程,然后把自己的理解写出来。

从上面的图纸我们可以看到,在反向恢复完成之后,二极管的反向电压达到最大

我们知道影响二极管反向恢复的主要参数的是反向恢复电荷Qrr,Qrr主要包含两部分:a、储存电荷(正向导通时储存在高阻区的少数载流子);b、剩余电荷(正向电流终止后多余的多数及少数载流子)

在上图中,Qrr的计算式为

 

可以看出,Qrr其实就是trr与时间轴包围的面积。

Qrr还跟结温及结电容有关,结温越高,结电容越大,Qrr也越大

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2010-07-31 09:47
@心中有冰
从上面的图纸我们可以看到,在反向恢复完成之后,二极管的反向电压达到最大我们知道影响二极管反向恢复的主要参数的是反向恢复电荷Qrr,Qrr主要包含两部分:a、储存电荷(正向导通时储存在高阻区的少数载流子);b、剩余电荷(正向电流终止后多余的多数及少数载流子)在上图中,Qrr的计算式为[图片] 可以看出,Qrr其实就是trr与时间轴包围的面积。Qrr还跟结温及结电容有关,结温越高,结电容越大,Qrr也越大

而对于确定的一个二极管来说,结电容就固定了,那么二极管结电容两端的反向电压就为

U=Qrr/Cj

将Qrr=trr*IRm/2代入上式,就得到

U=(trr*IRm)/(2Cj)

由上式我们可以看出,反向恢复电压尖峰与恢复的电流是有关系的,而且这个电压是叠加在变压器初级通过匝比折射过来的电压上的

以上纯粹是个人理解,不对之处请大家指出来

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胡庄主
LV.7
29
2010-07-31 15:01
好东西
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bode
LV.9
30
2010-07-31 15:39
@心中有冰
而对于确定的一个二极管来说,结电容就固定了,那么二极管结电容两端的反向电压就为U=Qrr/Cj将Qrr=trr*IRm/2代入上式,就得到U=(trr*IRm)/(2Cj)由上式我们可以看出,反向恢复电压尖峰与恢复的电流是有关系的,而且这个电压是叠加在变压器初级通过匝比折射过来的电压上的以上纯粹是个人理解,不对之处请大家指出来

老兄的意思是, 这个反向电压 的尖峰,等于Qrr/Cj?

有待高人来验证

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dreamyou
LV.3
31
2010-07-31 17:17

嗯,我不是在灌水,只是为了日后方便查找

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