经常听到很多的工程师说自己做的电源效率很高,符合全世界所有的标准。
听到这些话之后,我心里在想:作为工程师,技术参数永远是我们追求的目标,但是我们更关注的是产品的成本,本公司的生产工艺水平,生产操作方便性,参数性能的一致性等等的问题,因为只有这样,我们开发出来的产品采用更有竞争力。
扯远了,回到正题;电源效率一直是我心中的痛,相信很多的工程师也比较纠结。论坛里面也有过讨论,但是都不深入,我想在本帖里面作一次比较深入的讨论。
我们可以从各个方面来讨论,请大家畅所欲言
后续的讨论:
经常听到很多的工程师说自己做的电源效率很高,符合全世界所有的标准。
听到这些话之后,我心里在想:作为工程师,技术参数永远是我们追求的目标,但是我们更关注的是产品的成本,本公司的生产工艺水平,生产操作方便性,参数性能的一致性等等的问题,因为只有这样,我们开发出来的产品采用更有竞争力。
扯远了,回到正题;电源效率一直是我心中的痛,相信很多的工程师也比较纠结。论坛里面也有过讨论,但是都不深入,我想在本帖里面作一次比较深入的讨论。
我们可以从各个方面来讨论,请大家畅所欲言
后续的讨论:
我先说说我的观点:
1,个人认为效率不是绝对的。我刚开始进入电源这个行业的时候,最在乎的就是效率这个指标了。但时间长了,对效率开始变得比较迟钝了。我觉得要从电源的整体指标去看了。电磁兼容、稳定与可靠更重要。特别是对小功率电源来说,效率似乎更不是那么重要。
2,次级整流二极管的损耗主要体现在两个方面,一是导通损耗,二是反向恢复。从导通损耗的角度来看,耐压比较低的二极管,导通压降也比较低。也就是说,选择二极管的时候,耐压在保证够用的情况下,不要选的过高。另外,PN结随着温度上升,压降会降低,那么是不是意味着,在保证二极管结温安全的前提下,不妨让结温维持在比较高的温度,散热不要做的过分的好?二极管开关时,反向电流有两个来源,一是结电容电流,二是反向恢复电流。有时候,为了选择导通损耗低的二极管,过分选择大电流的二极管,反而因为二极管的结电容大,结果二极管反向恢复时,结电容流过的电流也大,从而得不偿失。从PN结的反向恢复来说,当然是选择反向恢复速度快,恢复特性软的二极管比较好。
3,恢复特性造成二极管上有尖峰电压。尖峰电压会导致二极管损坏或EMC不好过。所以有时候是必须加吸收电路的。同样,为了提高效率,尽量用损耗低的电路。
4,从整体来说,小功率场合用的反激电路,就尽量设计在DCM模式,避免反向恢复问题,就可以不加RC了。还有,能用肖特基就不要用快恢复。
5,从变压器设计的角度来看,如果输出电流很大,电压较低,那么用全波整流效率会比用桥式要合理一些。
先谈这些吧。
说得好,果然引来了美玉
提高效率,不是等到产生了尖峰,才考虑怎样去吸收它,而是在设计之初就从各方面去考虑让电路尽量少产生di/dt与du/dt的干扰
当然由于器件本身特性引起的干扰,我们还是有必要去限制
C越大,会带来越大的损耗,而且当R阻尼不够时,反而会引起严重震荡。但是C太小,吸收尖峰的能力却不够。我翻遍了网上的文章,基本确定方式,就是你上面所说的,测量加计算,再调试的办法。是个折中的选择。
比较通用简单的设计办法是:在没有加吸收之前,测试震荡频率,假如频率是f,那么开始并电容,并了电容震荡频率自然下降,那么并多少电容呢?并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半,就是0.5f。
这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数,电感L。最后取R=(L/C)开根号。
关于RC是否能提升效率,我以前也认为不行,但偶尔有次看了一篇论文,说RC能提高效率。为此,专门找了台电源,做实验,在使用了很多RC参数发现,在某些RC参数下,电源效率确实提高了一丁点。反复实验,证实了这一点,但这参数,并不和上面的方法确定的参数完全吻合。
佩服你对技术的认真态度!
其实我也有过测试,发现把振荡完全压制效率不是最高的,让波形稍微有点振荡,对效率反而有好处
一群旅团长在这讨论的好热烈啊,小小不才,也来凑凑热闹。
就关于 让你记得我的好 大师的观点逐条提出几点疑问(话说你这ID 真长)。
1、效率和功率密度,永远都是衡量一个公司研发水平和工艺水平的一个标杆,无论功率大小。即使小功率,也可以采用调频控制的单管准谐振,对电磁兼容大大好处。
2、第二条是疑问比较多的。按照斑竹的意思,二极管的反向电流有两个:一个是结电容电流,一个是反向恢复电流。那么反向恢复电流从何而来?是因为二极管导电是多子和少子共同参与的,当从整偏转向负偏时,少子要复位。这本身就是内部寄生电场的充放电过程,就因为内部存在寄生电场,所以才会有结电容存在。所以我认为,结电容电流和反向恢复电流,其实是同一个电流。
3、反向恢复特性会造成二极管上有反向的恢复尖峰电流,至于会不会形成尖峰电压,有待讨论。就是说,这个尖峰电压,到底是由变压器次级漏感引起,还是由反向恢复引起?按照斑竹的意思,不存在反向恢复,就不会存在这个反向尖峰。那么,肖特基不存在反向恢复,但这个尖峰电压依然存在。
4、我觉得不能因为反向恢复问题,就采用DCM模式。DCM模式的初级电流尖峰大,造成的铜损大,变压器效率低。所以,一般CCM模式要比DCM模式效率高。鉴于本贴是要讨论效率问题,我觉得反激还是尽量工作在CCM模式比较好。如果是高压小电流输出,那就是DCM模式比较好。
5、低压大电流输出,就用同步整流好了。
兄弟的怀疑精神值得推崇,我越俎代庖一下,代 让你记得我的好 版主回答你的疑问
1、你的看法有点偏激,因为设计任何的产品都是一个矛盾的取舍过程,对于一个成熟有竞争力的电源来说,安规、EMC、尺寸、效率、输入输出参数、保护性能、寿命、可靠性、成本、元器件的通用性、生产的可操作行……,这些都是制约我们设计的因素,所以往往市场上卖得最好的产品,不是某项指标很好的产品,而是综合指标好的产品。你说的准谐振在小功率上应用往往受到成本的制约。
2、我保留意见,回去好好复习下二极管的反向恢复过程。
3、基本同意你的意见,但上面版主说的也没有错误,次级整流管上的反向恢复电压尖峰,跟二极管反向恢复电流有关,跟变压器次级漏感以及布线产生的杂散电感也有关
4、到底CCM与DCM的效率哪个高,这个问题曾经讨论过很多次,到现在都没有定论,我们的讨论要建立在同样的输入输出指标,同样的成本,同样的结构尺寸的基础上。我个人的经验,小功率DCM有优势,功率稍大就可以考虑CCM了。
5、请注意楼顶的条件,同步整流在这里不讨论
上面是个人见解,如有不对,请指教
go,go,go!
继续讨论为啥,反向恢复电流会引起电压尖峰呢~~~~~~
我實際上遇到的狀況供大家參考
1. 變壓器設計太爛時,漏感太大,再重的Snubber都收不了
2. Snubber提高效率只針對輕載或空載,畢竟那麼小的東西所佔比例有限
3. 收掉Diode上振鈴是一回事, EMI Radiation又是另一回事,有一次R=10 ~22 ohm在振鈴上差異不大,因為Diode耐壓很足,心想算了隨便放吧,後來EMI Radiation發現22 ohm效果比我使用10 ohm再串Bead Core好多了
是的,有时计算只具有普遍的指导意义,参数还是要以实际调试与测试为准
不过话说回来,在中大功率的电源中,Snubber电路确实有不可替代的作用,因为大功率的电源中di/dt较大,电路的分布电感会让波形产生许多毛刺与尖峰,这个时候加吸收电路就显得非常有必要了。特别是EMI方面,有时调整下RC参数,会收到意想不到的效果。
就我所知,在小功率3W手機市場,的確看到些產品往諧振方向達到無初級DRC SNUBBER,無Photo,無TL431...等等的設計,而且已經開始往12W甚至18W設計
總成本已經接近USD:1.0的BOM Cose (含Case Cable 包裝唷)
从上面的图纸我们可以看到,在反向恢复完成之后,二极管的反向电压达到最大
我们知道影响二极管反向恢复的主要参数的是反向恢复电荷Qrr,Qrr主要包含两部分:a、储存电荷(正向导通时储存在高阻区的少数载流子);b、剩余电荷(正向电流终止后多余的多数及少数载流子)
在上图中,Qrr的计算式为
可以看出,Qrr其实就是trr与时间轴包围的面积。
Qrr还跟结温及结电容有关,结温越高,结电容越大,Qrr也越大
而对于确定的一个二极管来说,结电容就固定了,那么二极管结电容两端的反向电压就为
U=Qrr/Cj
将Qrr=trr*IRm/2代入上式,就得到
U=(trr*IRm)/(2Cj)
由上式我们可以看出,反向恢复电压尖峰与恢复的电流是有关系的,而且这个电压是叠加在变压器初级通过匝比折射过来的电压上的
以上纯粹是个人理解,不对之处请大家指出来