如题,DCM、CCM均可。
以输入全电压,输出电压12V-20v,输出电流3A这个参数为例。或者也可以讨论一下在什么输出参数下才能做到。
如题,DCM、CCM均可。
以输入全电压,输出电压12V-20v,输出电流3A这个参数为例。或者也可以讨论一下在什么输出参数下才能做到。
这96+定得很高,实现有点困难。我先列出反激电源主要损耗点(从大到小排列)简要提出一些对策,供大家讨论:
1:变压器损耗 由于反激电源特殊性,变压器损耗比正激大
2.初级开关管损耗
对策:a采用临界工作模式(与RCC工作模式一样)并且把最小占空比设计为0.5,可实现初级ZVZCS开通,ZVS关闭;次级整流管zcs。
b选择低RdsMOS管,例如COOLMOSFET,降低导通损耗
3.次级整流管损耗
4.吸收电路损耗 不可采用RCD吸收电路 ,无源无损吸收电路是首选
5.控制电路损耗 选用BiCMOS工艺控制IC,仔细设计外围电路
效率达到90+目前能够实现,96+还有很长的路要走,降低变压器损耗需采用优质磁芯和复杂的绕线工艺,采用有源箝位正激可能是个更好的选择