为了活跃本板快的技术学习氛围 本人征得阳刚大师兴许 对答对者的前十名 将赠送600W数显混频机 以鼓励参与者
注 ： 必须是物理方式和化学方式两种答案
锗二极管和硅二极管的正向压降为什么分别是0。3V 和 0。7V
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还有一个原因是有人在它的两端接了电压表造成的
我是答对问题的第0.5名，所以楼主已经把特奖给我了，剩下的只有小奖了……@wang640909-1
留个空位看看！[图片][图片][图片]
首先对楼主提问指出几点自己的看法：
（1）除了楼主的说明刚阳大师应该出面再发个前言帖！另外机子的外形，内部图片也得让大家看看，以确认奖品是那种具体种类！得奖者收鱼机细节的邮费谁出？机子难免在使用中出问题，应给图纸以便使用者维修等这些细节扼要说明。
（2）严格说这个问法很不准确，因为普通二极管即使正向导通这个端电压只是近似的常温状况几乎工作于线性区域时的导通电压，而二级管这个所说的0.3V和0.7V电压即和材料有关又和温度，电流有关，当这些参数不同时它本身就是变动的，U本身是温度，参杂浓度，电流的综合函数。
（3）应书名常温，普通二极管情况。因为二极管的类型很多，不仅仅是整流检波类等，还有比如压敏磁敏等元器件，所以必须特别说明常温条件（即大约300K）普通使用的硅，锗二极管。
(4)必须有时间限制几月几号到几月几号。
（5）如果只有三个人得，是不是每人平均三台？
楼主莫怪真诚指出，错误请批评。先说到这。
<一>要讲清楚这个问题只能简略的做一描述，
要说的很详细上面问题虽然简单但需要的篇幅较长才能说得很清楚，但也没必要，所以下面解说部分我做了较大幅度的删减！要弄清楚这个问题首先要明白以下几个感念性的东西：
（1）半导体，导体，绝缘体
主要说一下半导体，半导体是指导电能力处于导体和绝缘体之间的一类物质，通常电阻率在（10-3 ---109 ）欧姆*厘米
我们在此所说的半导体主要指化学周期表中中间竖列的硅锗系及其处于上面电阻之间的相关半导体化合物。
（2）多晶，单晶
经过提纯的硅锗晶体局部虽然为规则排列，但整块取向杂乱该类为多晶体；
经工艺加工晶粒取向一致整块晶体院子按一定规则整齐排列即成为单晶体
（3）化学键，载流子，能量，电离能
硅系原子核外电子排列按一定轨道有秩序的排列，硅为14序列号，按排列规则最内层两个，次轨道8个，都为最稳定的排列结构，内部10个一般不参加化学反应，为饱和相对稳定状态，最外层剩余4个为不饱和相对不稳定的机构，可与外来元素组成相对稳定的最低数量的化学键（力健），硅单晶体里面的每个原子分别与相邻的四个硅原子公用四个电子个字组成稳定结构的立体网状力结构形成整体.物质内部能运载电荷的粒子称为载流子，没有任何外界能量介入的情况下，公电子对是不能挣脱化学键的收缩力的，只有当外界能量输入，比如关照，磁场等条件时满足统计分布规律的高能电子才可能首先成为可以参与导电的载流子常温时硅晶体中的价电子必须获得E=1.1eV，锗必须获得EG=0.72eV外界能量才能摆脱原子收缩成为参与导电的粒子。
（4）本征半导体
（5）参杂
（6）P性半导体，N型半导体
(抽时间再说)
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乱说话，改了
