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无桥PFC的原理方面的谈论(之前是所要资料 呵呵 )

我想了解下无桥PFC的原理,之前看了一个演讲稿上的,很简略,像好好分析一下原理,不知道那位有资料,麻烦传一些,谢谢了。要是有懂的给发帖讲一下更好了,
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2010-08-20 17:14
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holyfaith
LV.8
3
2010-08-20 17:16
@让你记得我的好
[图片]A 
谢谢您  
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holyfaith
LV.8
4
2010-08-20 17:50
刚才看到这个,觉得无桥PFC的话,还是有几个二极管,二极管上压降很大的。全桥PFC,就是整流桥用4个MOSFET代替那种,该导通的时候让MOSFET导通,这样损耗不就小了嘛,类似于同步整流那种。怎么人们不研究这种呢?谁能告诉我下,我刚接触这个,要是闹笑话了,还请见谅。
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2010-08-20 17:53
@holyfaith
刚才看到这个,觉得无桥PFC的话,还是有几个二极管,二极管上压降很大的。全桥PFC,就是整流桥用4个MOSFET代替那种,该导通的时候让MOSFET导通,这样损耗不就小了嘛,类似于同步整流那种。怎么人们不研究这种呢?谁能告诉我下,我刚接触这个,要是闹笑话了,还请见谅。

你整流桥用4个MOSFET,那PFC不还要用MOSFET和二极管吗?无桥PFC是不用整流桥的,两个PFC构成整流和功率因数的功能。

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2010-08-20 17:54
@holyfaith
刚才看到这个,觉得无桥PFC的话,还是有几个二极管,二极管上压降很大的。全桥PFC,就是整流桥用4个MOSFET代替那种,该导通的时候让MOSFET导通,这样损耗不就小了嘛,类似于同步整流那种。怎么人们不研究这种呢?谁能告诉我下,我刚接触这个,要是闹笑话了,还请见谅。

嗯,你的想法是不错的。

我想原因可能有几个吧:

1,驱动问题,因为占空比变化很大。上管的驱动是个麻烦事。需要用光耦隔离配合辅助电源驱动,或者用专用的电平转移芯片来驱动。可靠性、成本、电路复杂度都不好。

2,器件本身的一些特性。比如MOS的体二级管的反向恢复时间很长。对于CCM模式的BOOST电路来说,这是个致命的问题。

其他原因,我还没细想。

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2010-08-20 17:59
@让你记得我的好
嗯,你的想法是不错的。我想原因可能有几个吧:1,驱动问题,因为占空比变化很大。上管的驱动是个麻烦事。需要用光耦隔离配合辅助电源驱动,或者用专用的电平转移芯片来驱动。可靠性、成本、电路复杂度都不好。2,器件本身的一些特性。比如MOS的体二级管的反向恢复时间很长。对于CCM模式的BOOST电路来说,这是个致命的问题。其他原因,我还没细想。
对的,如果用MOSFET来做PFC的二极管的话,优势不是很明显。因为这个地方的器件耐压需要600V,MOSFET的损耗不一定比二极管小。还有就是如果用MOSFET的话,要想办法屏蔽掉内部的寄生二极管。
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2010-08-20 18:08
@fly
对的,如果用MOSFET来做PFC的二极管的话,优势不是很明显。因为这个地方的器件耐压需要600V,MOSFET的损耗不一定比二极管小。还有就是如果用MOSFET的话,要想办法屏蔽掉内部的寄生二极管。
要屏蔽MOS体二极管,那搞大了。。。。。。。还不如老老实实用二极管。
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2010-08-20 18:11
@让你记得我的好
要屏蔽MOS体二极管,那搞大了。。。。。。。还不如老老实实用二极管。

是啊,所以我还没有见到用MOSFET来替代那个二极管的。

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林建良
LV.7
10
2010-08-20 18:18
@fly
对的,如果用MOSFET来做PFC的二极管的话,优势不是很明显。因为这个地方的器件耐压需要600V,MOSFET的损耗不一定比二极管小。还有就是如果用MOSFET的话,要想办法屏蔽掉内部的寄生二极管。

一般橋式二極管除了溫度效率外,常遇到的問題還有Inruch Current; Surge; ESD等等問題

由於這類二極體速度慢,也成了Inruch current耐衝擊強達200A,耐壓1KV

但是MOSFET若使用到那麼大的規格,MOSFET製造商就頭疼了

ST在6年前到台灣高效來Promotion時當場也只有回答我,他們會再研究看看什麼MOSFET有辦法通過Surge 6KV與Inruch current 200A的開機電流

我當時的想法沒跟他說: EMI前端使用Relay以及水泥電阻檔掉Inruch current,而突波吸收器檔Surge是基本常識,這個資深經理不該不曉得,應該是不想講開來說這款IC只能用在高檔貨哈哈哈!

如今隔了6年,他IC也出來了,我也接觸了LED市場,一些無電解電容方案也順道省掉了Inruch current問題,那麼直接使用MOSFET在AC端操作的機會越來越近,大家加油

只是目前仍要小心Inruch & Surge

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holyfaith
LV.8
11
2010-08-20 20:47
@fly
你整流桥用4个MOSFET,那PFC不还要用MOSFET和二极管吗?无桥PFC是不用整流桥的,两个PFC构成整流和功率因数的功能。
我说的是拓扑类似于整流桥用4个MOSFET,在前面加电感,就是PWM整流器的拓扑。我的想法是将普通PFC的所有二极管都用MOSFET代替,压降小。损耗就小些
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holyfaith
LV.8
12
2010-08-20 20:50
@fly
是啊,所以我还没有见到用MOSFET来替代那个二极管的。
体二极管改导通的时候就让MOSFET导通,只要MOSFET一导通,体二极管就不会导通了,反向恢复问题也就解决了啊
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holyfaith
LV.8
13
2010-08-20 20:52
@林建良
一般橋式二極管除了溫度效率外,常遇到的問題還有InruchCurrent;Surge;ESD等等問題由於這類二極體速度慢,也成了Inruchcurrent耐衝擊強達200A,耐壓1KV但是MOSFET若使用到那麼大的規格,MOSFET製造商就頭疼了ST在6年前到台灣高效來Promotion時當場也只有回答我,他們會再研究看看什麼MOSFET有辦法通過Surge6KV與Inruchcurrent200A的開機電流我當時的想法沒跟他說:EMI前端使用Relay以及水泥電阻檔掉Inruchcurrent,而突波吸收器檔Surge是基本常識,這個資深經理不該不曉得,應該是不想講開來說這款IC只能用在高檔貨哈哈哈!如今隔了6年,他IC也出來了,我也接觸了LED市場,一些無電解電容方案也順道省掉了Inruchcurrent問題,那麼直接使用MOSFET在AC端操作的機會越來越近,大家加油只是目前仍要小心Inruch&Surge
那为什么PWM整流器就能实现AC-DC单位功率因数运行?
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2010-08-21 10:27
@holyfaith
体二极管改导通的时候就让MOSFET导通,只要MOSFET一导通,体二极管就不会导通了,反向恢复问题也就解决了啊
为了安全可靠,势必要在下管开通前,让上面的MOS提前关断,否则,容易出现共通态。上面的MOS先关断,电流势必要从体二极管流过去。所以反向恢复问题无法解决。
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holyfaith
LV.8
15
2010-08-21 13:54
@让你记得我的好
为了安全可靠,势必要在下管开通前,让上面的MOS提前关断,否则,容易出现共通态。上面的MOS先关断,电流势必要从体二极管流过去。所以反向恢复问题无法解决。

你说的是上下管会直通?

那PWM整流器的拓扑就是这样啊,这么说来PWM整流器也就存在这个问题了?

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2010-08-21 14:51
@holyfaith
你说的是上下管会直通?那PWM整流器的拓扑就是这样啊,这么说来PWM整流器也就存在这个问题了?
麻烦给个PWM整流器的图看看先。
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xy_k8299
LV.6
17
2010-08-21 15:11
@林建良
一般橋式二極管除了溫度效率外,常遇到的問題還有InruchCurrent;Surge;ESD等等問題由於這類二極體速度慢,也成了Inruchcurrent耐衝擊強達200A,耐壓1KV但是MOSFET若使用到那麼大的規格,MOSFET製造商就頭疼了ST在6年前到台灣高效來Promotion時當場也只有回答我,他們會再研究看看什麼MOSFET有辦法通過Surge6KV與Inruchcurrent200A的開機電流我當時的想法沒跟他說:EMI前端使用Relay以及水泥電阻檔掉Inruchcurrent,而突波吸收器檔Surge是基本常識,這個資深經理不該不曉得,應該是不想講開來說這款IC只能用在高檔貨哈哈哈!如今隔了6年,他IC也出來了,我也接觸了LED市場,一些無電解電容方案也順道省掉了Inruchcurrent問題,那麼直接使用MOSFET在AC端操作的機會越來越近,大家加油只是目前仍要小心Inruch&Surge

小老哥是台系企业的吧,繁体字+中式英语是标志

大功率要想再本质性的提高效率,无桥PFC是一个很好的方向,但是要真正商业化,还得期待IC技术的创新和器件的突破。

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holyfaith
LV.8
18
2010-08-21 16:49
@让你记得我的好
麻烦给个PWM整流器的图看看先。

 

基本原理就是这样,这里的MOSFET当然也有体二极管。谢谢您的指点

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holyfaith
LV.8
19
2010-08-21 16:50
@holyfaith
[图片] 基本原理就是这样,这里的MOSFET当然也有体二极管。谢谢您的指点
其实这个也可以看成是双boost PFC,该通的时候都用MOS通,损耗应该会更小
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holyfaith
LV.8
20
2010-08-21 16:51
@xy_k8299
小老哥是台系企业的吧,繁体字+中式英语是标志大功率要想再本质性的提高效率,无桥PFC是一个很好的方向,但是要真正商业化,还得期待IC技术的创新和器件的突破。
看杜拉拉升职记的,是外企,老是喜欢中文夹杂着英语,呵呵
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2010-08-21 17:02
@holyfaith
其实这个也可以看成是双boostPFC,该通的时候都用MOS通,损耗应该会更小

这个图,抛开驱动的麻烦不说,我觉得最大问题就是如何避免上下管共通与MOS体二极管反向恢复慢的矛盾。

为了避免上下管共通,上管必定要在下管开通前关断,那么电流就必然会从起体二极管流过。下管开通时,由于上管体二级管反向恢复速度慢,那个损耗就大了。

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holyfaith
LV.8
22
2010-08-21 17:07
@让你记得我的好
这个图,抛开驱动的麻烦不说,我觉得最大问题就是如何避免上下管共通与MOS体二极管反向恢复慢的矛盾。为了避免上下管共通,上管必定要在下管开通前关断,那么电流就必然会从起体二极管流过。下管开通时,由于上管体二级管反向恢复速度慢,那个损耗就大了。
这么说来,这个是没有无桥PFC的效果好了?
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林建良
LV.7
23
2010-08-22 00:05
@holyfaith
看杜拉拉升职记的,是外企,老是喜欢中文夹杂着英语,呵呵
快别这么说,时代进步的快,连翻译都使用Google可以整段翻译成中文简体了唷
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holyfaith
LV.8
24
2010-08-22 09:11
@林建良
快别这么说,时代进步的快,连翻译都使用Google可以整段翻译成中文简体了唷
没准这个中英夹杂是与世界接轨的标志哦
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戈卫东
LV.5
25
2010-08-22 13:02
@林建良
一般橋式二極管除了溫度效率外,常遇到的問題還有InruchCurrent;Surge;ESD等等問題由於這類二極體速度慢,也成了Inruchcurrent耐衝擊強達200A,耐壓1KV但是MOSFET若使用到那麼大的規格,MOSFET製造商就頭疼了ST在6年前到台灣高效來Promotion時當場也只有回答我,他們會再研究看看什麼MOSFET有辦法通過Surge6KV與Inruchcurrent200A的開機電流我當時的想法沒跟他說:EMI前端使用Relay以及水泥電阻檔掉Inruchcurrent,而突波吸收器檔Surge是基本常識,這個資深經理不該不曉得,應該是不想講開來說這款IC只能用在高檔貨哈哈哈!如今隔了6年,他IC也出來了,我也接觸了LED市場,一些無電解電容方案也順道省掉了Inruchcurrent問題,那麼直接使用MOSFET在AC端操作的機會越來越近,大家加油只是目前仍要小心Inruch&Surge
Inruch是什么?我要简体中文
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holyfaith
LV.8
26
2010-08-22 15:43
@戈卫东
Inruch是什么?[图片]我要简体中文
启动时的那个瞬时值
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fly
27
2010-08-22 18:17
@holyfaith
这么说来,这个是没有无桥PFC的效果好了?

你这个图是有源桥吗?在几年前曾经有过这个提法,当时infineon也推过这个,把他们几个MOSFET集成在一个集成块里当整流桥用,效果的确比普通整流桥好。但和无桥PFC不是一回事。它的MOSFET开关频率都是工频的。

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gongbin2008
LV.2
28
2010-08-22 22:47
@holyfaith
[图片] 基本原理就是这样,这里的MOSFET当然也有体二极管。谢谢您的指点
如果做成交错式无桥PFC,是不是可以满足你的想法呢?
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林建良
LV.7
29
2010-08-23 10:13
@holyfaith
启动时的那个瞬时值
冲击电流,来自AC输入在90度角时,374Vpeak对电解电容充电,会经过保险丝与桥堆,所以Fuse要注意I^2 x T,而桥堆規格也有寫IFM
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eugene.he
LV.5
30
2010-08-23 18:23
@holyfaith
没准这个中英夹杂是与世界接轨的标志哦

台资,港资和欧美企业的员工说话都是这个样,有时候发音不准,你要运量大半天才能回过神来。

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eugene.he
LV.5
31
2010-08-23 18:23
@戈卫东
Inruch是什么?[图片]我要简体中文
浪涌电流
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