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询问:RCD正激电路的Mosfet电压应力Vds计算

公式1:VDS=Uin+VSN+Vspike   VSN=Uin*D/(1-D), Vspike是漏感引起的尖峰电压

这个公式的是按照变压器伏秒平衡所得的,正向磁化Uin*D等于反向磁化VSN*(1-D),但是,反向磁化的时间一定等于(1-D)*T吗?实际在下一个周期Mosfet开通前就已经达到伏秒平衡了,那实际的反向磁化时间是小于(1-D)*T的。那上式中的VSN只是维持伏秒平衡所需的最小钳位电压。实际钳位电压如何计算呢?

 

公式2:VDS=2*Vin+Vspike

开关关断时,变压器原边线圈电压极性反转,且反转后电压不变。实际测量的波形似乎与此一致。

疑问:为什么变压器极性反转后,电压值不变?条件是什么?

 

非常感谢有朋友能帮助解答。

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cheng111
LV.11
2
2010-08-23 12:29

正激的与反激是的不同,VDS应该是与输出端无关的。输出绕着的电压是由输入电压决定,当关断是,绕组感应出相同的反向电压值。所以公式二实用。

在反激式中,开关管关断时,绕组两端的电压必须是稳定的(电压值由输出端稳压电路决定)。然后经过变压器映射到初级绕组,再加上输入电压与漏感尖峰值。

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2010-08-23 15:11
@cheng111
正激的与反激是的不同,VDS应该是与输出端无关的。输出绕着的电压是由输入电压决定,当关断是,绕组感应出相同的反向电压值。所以公式二实用。在反激式中,开关管关断时,绕组两端的电压必须是稳定的(电压值由输出端稳压电路决定)。然后经过变压器映射到初级绕组,再加上输入电压与漏感尖峰值。

谢谢回复。

公式1中没有用到输出来计算,只是用变压器伏秒平衡计算的。

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2010-08-23 18:11
@戎马书生
谢谢回复。公式1中没有用到输出来计算,只是用变压器伏秒平衡计算的。

正激与反激不一样,正激MOSFET关闭时,次级整流管也是关闭的,所以次级电压不能反射到初级来,所以应该不能用输出电压来计算的

供参考

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2010-08-26 10:51
@cheng111
正激的与反激是的不同,VDS应该是与输出端无关的。输出绕着的电压是由输入电压决定,当关断是,绕组感应出相同的反向电压值。所以公式二实用。在反激式中,开关管关断时,绕组两端的电压必须是稳定的(电压值由输出端稳压电路决定)。然后经过变压器映射到初级绕组,再加上输入电压与漏感尖峰值。

对公式2还有疑问: VDS=2*Vin+Vspike

为什么开关关断时,变压器原边线圈电压极性反转后电压不变?怎么计算出来的?

盼望高手解答

 

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2010-08-26 15:22
@戎马书生
对公式2还有疑问:VDS=2*Vin+Vspike为什么开关关断时,变压器原边线圈电压极性反转后电压不变?怎么计算出来的?盼望高手解答 

没人回应,说下自己的理解。

Mosfet导通时,变压器磁通密度由0升到Bm,电压为上正下负。

在Mosfet关断瞬间,Bm维持不变,根据楞次定律,变压器一次侧的感应电动势要阻止磁通密度的减小,所以变压器的一次侧电压为下负上正。但是此时,变压器一次侧的感应电动势的大小是如何计算的?

根据法拉利定律:V'=N1*Ae*dB/dt,但磁通密度下降的斜率又是怎么确定的呢?

哪位朋友可以帮忙解答一下,不胜感激!

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cheng111
LV.11
7
2010-08-26 15:37
@戎马书生
没人回应,说下自己的理解。Mosfet导通时,变压器磁通密度由0升到Bm,电压为上正下负。在Mosfet关断瞬间,Bm维持不变,根据楞次定律,变压器一次侧的感应电动势要阻止磁通密度的减小,所以变压器的一次侧电压为下负上正。但是此时,变压器一次侧的感应电动势的大小是如何计算的?根据法拉利定律:V'=N1*Ae*dB/dt,但磁通密度下降的斜率又是怎么确定的呢?哪位朋友可以帮忙解答一下,不胜感激!

恩,就是法拉利.....在正激中就是这样的....前提是正激哦

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2010-08-27 13:16
@cheng111
恩,就是法拉利.....在正激中就是这样的....前提是正激哦
但是RCD正激磁复位过程中,dB/dt又是由什么决定的呢?
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2011-07-26 23:36
@心中有冰
正激与反激不一样,正激MOSFET关闭时,次级整流管也是关闭的,所以次级电压不能反射到初级来,所以应该不能用输出电压来计算的供参考
我刚开始接触开关电源,想问下 单端正激式电路的那个续流二极管的电压应力是怎么计算的啊,是不是跟占空比有一定的关系啊,谢谢!
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15981904753
LV.5
10
2013-08-13 17:39
@戎马书生
但是RCD正激磁复位过程中,dB/dt又是由什么决定的呢?

有同样的问题,,希望楼主继续深究,,,

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