再谈图腾柱驱动电路之一、之二、之三汇总

一、驱动电路之一

由于本人最近接触才saber，仿真能力有限，本想仿真，但实在是由于有关saber的基础东西还很多不会呢，所以只能请教大家了

1、问：

（1）在下面电路中，VCC的选择和哪些因素有关系？VCC和后级的mos管的Vgs电压相等吗？

（2) NPN、PNP管子的选取的依据？三极管的电流Ic要满足什么样的条件才能驱动后端的mos？在下帖http://www.21dianyuan.com/bbs/2169.html

15楼胡庄主曾提到“

1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？MOS的Rg 有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。

2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。

3)得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。”

针对上边的内容我有些疑问：

1、MOS属于单级型电压驱动器件，是栅极电压来控制漏极电流的，如果从表面理解的话，是不是只要保证栅极的电压达到Vgs就可以？和电流没有关系？？

2、MOS管的门极电容是怎么确定的？是下图这些参数吗？

二、驱动电路之二

问：1、图中的C18的作用？二极管D是否有必要加？要加的话，起作用？

2、R15、R16加与不加？

R15、R16在一般电路中，是并接在mos的GS端，起消除Cgs累计电荷的作用，防止mos处于开始处于导通或者状态不明确的情况。在这里，采用了，脉变驱动。变压器绕组可以起到放电作用,所以即使不加GS电阻,在驱动没有的情况下,管子也不会自己导通。

请有经验的朋友们，说下，在这个时候R15和R16加与不加？影响如何？

三、驱动电路之三

问：1、各电阻的作用？D1、D2的作用？

2、Q1、Q3构成的图腾柱与Q2、Q4构成的图腾柱，为何相反？为什么用两级？难道是为了增强驱动能力？

Q1、Q3的选择和Q2、Q4的选择上是否不同？

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电源网-娜娜姐

LV.10

2010-09-01 12:17

lgdyl1983 看不到图啊，你是不是直接从word上粘过来的？

要把图存在电脑上然后传上来才行呢~

sxjnice

LV.8

2010-09-01 13:11

最下面的那个totem有意思，为什么要那样呢？

电源网-娜娜姐

LV.10

2010-09-01 13:12

@sxjnice

最下面的那个totem有意思，为什么要那样呢？

呵呵，因为这个现象很可能是直接粘过来引起的，问就是想确认下~

让你记得我的好

LV.10

2010-09-01 13:13

我来尝试回答你：

第一个：

1，VCC就是你要的MOS的驱动电压，和后面MOS的VGS只有很小的电压差。

2，管子的选取依据，速度、电流一个都不能少。Ic的指标，特别是可重复峰值电流的指标，要大于VCC/R?这个值。当然还要注意功耗的问题。

3，你理解的没错，只要栅极电压达到VGS就可以了，和电流没有关系。但是因为你给栅极充电的过程中是需要电流的，这个电流的大小直接影响你的栅极电压上升速度，也就是影响你的MOS的开通的速度，进而就是影响你的电源的工作频率，所以，对这个电流还是有要求的。而且，MOS开关速度太慢，会产生很高的开关损耗。

4，门极电容就是Ciss，但是实际工作中，Crss也会影响开关速度。具体原因，你可以看水蜘蛛和sometimes大侠的帖子。

第二个：

我认为你图中有错误。

1，C18是隔直电容。防止偏磁。但D的用法很奇怪。无法理解。可能要结合整个电路的原理才能想的明白了。

2，R15，R16我认为加了更安全。但Z1，Z2用法有问题。你的两个驱动是反相的，Z1，Z2互相箝位对方的电压，是MOS栅极电压都限制在很低的水平上。Z1、Z2应该是双向TVS才对。

第三个：

1，各电阻的作用？这个就不说那么细了吧？三极管工作总要提供一些偏置啊、驱动啊，逻辑上也需要有上拉什么的。

D1是防止Q1、Q3自锁的。D2是防止Q1、Q3共通的。

2，两个图腾为何要反相？这要问你，也许是功能上的需求要反相。为什么用两级，因为要反相，所以要加一级反相。当然，驱动能力也增强了。

Q1、Q3的功率不用很大，能有效驱动后面一级就可以了。后一级的驱动就要看负载了。

sxjnice

LV.8

2010-09-01 13:15

@电源网-娜娜姐

呵呵，因为这个现象很可能是直接粘过来引起的，问就是想确认下~

Nana主编，您误会了，刚才说那话不是说您的，而是说LZ的，呵呵……后觉得不妥，我已经改了！

电源网-娜娜姐

LV.10

2010-09-01 13:17

@sxjnice

Nana主编，您误会了，刚才说那话不是说您的，而是说LZ的，呵呵……后觉得不妥，我已经改了！[图片]

哦嘿嘿~~

lgdyl1983

LV.2

2010-09-01 13:32

@电源网-娜娜姐

lgdyl1983看不到图啊，你是不是直接从word上粘过来的？要把图存在电脑上然后传上来才行呢~

你好，图都看不到吗？

电源网-娜娜姐

LV.10

2010-09-01 13:36

@lgdyl1983

你好，图都看不到吗？

看到啦~~

lgdyl1983

LV.2

2010-09-01 14:20

@让你记得我的好

我来尝试回答你：第一个：1，VCC就是你要的MOS的驱动电压，和后面MOS的VGS只有很小的电压差。2，管子的选取依据，速度、电流一个都不能少。Ic的指标，特别是可重复峰值电流的指标，要大于VCC/R?这个值。当然还要注意功耗的问题。3，你理解的没错，只要栅极电压达到VGS就可以了，和电流没有关系。但是因为你给栅极充电的过程中是需要电流的，这个电流的大小直接影响你的栅极电压上升速度，也就是影响你的MOS的开通的速度，进而就是影响你的电源的工作频率，所以，对这个电流还是有要求的。而且，MOS开关速度太慢，会产生很高的开关损耗。4，门极电容就是Ciss，但是实际工作中，Crss也会影响开关速度。具体原因，你可以看水蜘蛛和sometimes大侠的帖子。第二个：我认为你图中有错误。1，C18是隔直电容。防止偏磁。但D的用法很奇怪。无法理解。可能要结合整个电路的原理才能想的明白了。2，R15，R16我认为加了更安全。但Z1，Z2用法有问题。你的两个驱动是反相的，Z1，Z2互相箝位对方的电压，是MOS栅极电压都限制在很低的水平上。Z1、Z2应该是双向TVS才对。第三个：1，各电阻的作用？这个就不说那么细了吧？三极管工作总要提供一些偏置啊、驱动啊，逻辑上也需要有上拉什么的。D1是防止Q1、Q3自锁的。D2是防止Q1、Q3共通的。2，两个图腾为何要反相？这要问你，也许是功能上的需求要反相。为什么用两级，因为要反相，所以要加一级反相。当然，驱动能力也增强了。Q1、Q3的功率不用很大，能有效驱动后面一级就可以了。后一级的驱动就要看负载了。

你好,谢谢你的回答。我还想问你几个问题：

1、图腾柱可以增加驱动能力，我想问下，所谓的增加驱动能力，是在哪一方面增加了？电流？电压？？两级图腾柱比一级图腾柱驱动能力强表现在什么地方？电流or电压？在图腾柱中，三极管处于什么状态？放大还是饱和导通？

2、能不能在稍详细一点介绍D1如何防止自锁，以及D2D2是如何防止Q1、Q3共通的？谢谢了

让你记得我的好

LV.10

2010-09-01 14:30

@lgdyl1983

你好,谢谢你的回答。我还想问你几个问题：1、图腾柱可以增加驱动能力，我想问下，所谓的增加驱动能力，是在哪一方面增加了？电流？电压？？两级图腾柱比一级图腾柱驱动能力强表现在什么地方？电流or电压？在图腾柱中，三极管处于什么状态？放大还是饱和导通？2、能不能在稍详细一点介绍D1如何防止自锁，以及D2D2是如何防止Q1、Q3共通的？谢谢了

1，驱动能力一般都是指电流。因为驱动电压一般都是12V~18V之间的。是受MOS的栅极耐压限制的。两级比一级强也是表现在驱动电流的能力上。图腾柱中，三级管处于饱和导通。

2，如果没有D1，电流会从VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND，流过，结果就是Q1和Q3同时都导通了。电流会和大。而损坏Q1，Q3。我上面说自锁，应该不合适。

如果没有D2，那么在PWM-A的信号处于过渡状态的时候，比如6V，假如VCC是12V，那么，因为输入信号有6V，那么Q3导通。因为输入信号只有6V，所以Q1还无法关断。那么Q1和Q3就共通了。

fly

2010-09-01 16:04

@让你记得我的好

不错，mark再慢慢看

cheng111

LV.11

2010-09-01 18:53

@fly

不错，mark再慢慢看

让你记得我的好版主，强啊，顶一下....

zhanghaipeng

LV.1

2011-04-21 14:26

@让你记得我的好

1，驱动能力一般都是指电流。因为驱动电压一般都是12V~18V之间的。是受MOS的栅极耐压限制的。两级比一级强也是表现在驱动电流的能力上。图腾柱中，三级管处于饱和导通。2，如果没有D1，电流会从VCC->Q1E->Q1C->R3->D2->Q3B->Q3E->GND，流过，结果就是Q1和Q3同时都导通了。电流会和大。而损坏Q1，Q3。我上面说自锁，应该不合适。如果没有D2，那么在PWM-A的信号处于过渡状态的时候，比如6V，假如VCC是12V，那么，因为输入信号有6V，那么Q3导通。因为输入信号只有6V，所以Q1还无法关断。那么Q1和Q3就共通了。

请教一下，图3 （LZ问题3）中Q3 如何导通，Q3的b极有TVS在，何时会有电压？