ope8363744：
好斑竹，你好。我把你的这个反激变压器设计过程与一份仙童的反激变压器设计过程仔细对比了一下。发现前面的都是差不多的。（证明条条大路都是通罗马的），但是惟独最后的RCD吸收损耗这方面不一样。仙童的是P=0.5*Llk*(Idspeak)2*fs (其中：Llk 是初级侧漏感，Idspeak是原边峰值电流，fs 是开关频率 )我用你的方法算出来，一个50W的电路RCD上有7W的损耗，现在计算的100W的电源，损耗更是达到10W左右，我前面的参数在怎么调整，这个损耗都是差不多。（我计算的条件是：85VAC-265VAC 输出100W，输出电压35V，输出电流2.8A。MOS管耐压600V，开关频率66.5KHZ，效率80%，MOS电压应力比例我选择85%）不知道这个是不是正常的。