最新材料造就最新技术-----SiC(碳化硅)零恢复整流管
美国CREE利用其先进技术将碳和硅化合在一起,制成SiC(碳化硅),其硬度和导热性都仅次于钻石.后来他们将此技术应用于整流管和MOS,从而引领了半导体的一场革命:正反向恢复时间都为零,其耐压是同类型的Si(硅)的10倍;另外还有一特点是特性(正向压降和电阻)不受温度影响.它带来的好处是:1、可做成高电压大电流的肖特基整流管(电流可达20A,电压可达2400V),用MOS管可以代替IGBT;2、没有噪声功耗,大大提高效率,减少散热片.3、可通过提高电路的频率而减少磁性材料的大小,减少PCB的大小.
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