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菜鸟求教MOSFET的问题~~

在一个降压电路中第一级BUCK降压使用IRFP460，输入电压170V，G接一个最高电压为15V的方波。但是MOSFET不能导通，S的对地电压为11V，奇怪的是就算不接输入电压，只要开驱动模块，S的对地电压也为11V。请问高手这是为什么啊，要怎么才能使MOSFET导通啊

 

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assault
LV.2
2
2010-10-18 17:17
S对地电压多高不重要啊，重要的是GS的压降
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tengcong1987
LV.4
3
2010-10-18 17:25
@assault
S对地电压多高不重要啊，重要的是GS的压降
是啊，书上说的是G高于S 10V左右的电压就可以导通了。开驱动时，G对S的波形也是10V以上的方波。
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xiaomi_li
LV.4
4
2010-10-18 17:44
@tengcong1987
是啊，书上说的是G高于S10V左右的电压就可以导通了。开驱动时，G对S的波形也是10V以上的方波。

是MOS管分布电容的影响, 你在GS之间加个对地电阻,就好了.

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earthworm
LV.4
5
2010-10-18 17:51

是不是跟你T3有关啊？你先把T3断开试试

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tengcong1987
LV.4
6
2010-10-18 18:30
@earthworm
是不是跟你T3有关啊？你先把T3断开试试
这个T3是隔离驱动线圈，断开不了。呵呵
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tengcong1987
LV.4
7
2010-10-18 18:38
@xiaomi_li
是MOS管分布电容的影响,你在GS之间加个对地电阻,就好了.
呃呃。。。弱弱的问句改怎么在GS之间加对地电阻呢
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ta7698
LV.9
8
2010-10-18 18:48
@tengcong1987
呃呃。。。弱弱的问句改怎么在GS之间加对地电阻呢
在D11上并一个10K的电阻
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tengcong1987
LV.4
9
2010-10-18 19:05
@ta7698
在D11上并一个10K的电阻

嗯嗯，是加了个4.7K的电阻的，这个是很早的图，忘记改了。但是现象依然如此~~

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xiaomi_li
LV.4
10
2010-10-18 20:24
@tengcong1987
呃呃。。。弱弱的问句改怎么在GS之间加对地电阻呢

怎么加？就在G极接一个1K电阻到地，目的是放掉电容的电荷。

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tengcong1987
LV.4
11
2010-10-18 21:05
@xiaomi_li
怎么加？就在G极接一个1K电阻到地，目的是放掉电容的电荷。

嗯嗯，是加了一个4.7K在GS之间的。由于是BUCK电路，S后面接二极管D12和电感。

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xiaomi_li
LV.4
12
2010-10-18 21:44
@tengcong1987
嗯嗯，是加了一个4.7K在GS之间的。由于是BUCK电路，S后面接二极管D12和电感。

GS间电阻你说你也加了，综合第5贴，断开T3，你说不能断，其实可以断，你先断开D11正极连接到Q3和L5之间的线，在测试下GS间电压。

还不行的话，那就不知道了。

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tengcong1987
LV.4
13
2010-10-18 22:03
@xiaomi_li
GS间电阻你说你也加了，综合第5贴，断开T3，你说不能断，其实可以断，你先断开D11正极连接到Q3和L5之间的线，在测试下GS间电压。还不行的话，那就不知道了。
嗯嗯。谢谢，我断开了T3，用另外一个网上买的隔离驱动模块接G和S，效果还是一样。。。悲剧啊。。。
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assault
LV.2
14
2010-10-19 10:59
@tengcong1987
嗯嗯。谢谢，我断开了T3，用另外一个网上买的隔离驱动模块接G和S，效果还是一样。。。悲剧啊。。。
你是自己绕的隔离变压器来驱动buck的mos啊，试试驱动芯片，像3120之类的
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tengcong1987
LV.4
15
2010-10-19 11:11
@assault
你是自己绕的隔离变压器来驱动buck的mos啊，试试驱动芯片，像3120之类的

就是不隔离，直接驱动是吧~~

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assault
LV.2
16
2010-10-20 10:08
@tengcong1987
就是不隔离，直接驱动是吧~~
肯定要隔离的啊，3120是光耦隔离的
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tengcong1987
LV.4
17
2010-10-20 13:47
@assault
肯定要隔离的啊，3120是光耦隔离的

我昨天想了想，觉得是不是因为MOSFET在高压侧，当MOSFET导通时，S极的电压迅速上升超过G极的15V，Vg

所以我想试试在G极加个自举电路，看行不行

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