通过计算吸收电容要有du/dt > 1000v/us。
手上的CDE 941C12W1K 的只有640V/us
想用2个或3个并联可以提高这个速度吗？ 谢谢。
很纳闷，不知道到底能不能并，这个值会提高吗？
可以用！
是这样子，就从电容本身来说，电压上升速度没有变。但容量大了，你实际电路的电压上升速度降低了，所以可以用。但并不是提高了电容的du/dt。
这样子的啊，那么我防止IGBT 被尖峰击穿，多用几个电容并联就可以了，对吗？
要看你的吸收电路具体怎么做。并的电容太多了，开通损耗大，开通电流尖峰也大。
我是用在半桥2端的吸收电容，起到桥电路在翻转的时候由于布局产生的尖峰脉冲。这个是不是理论弄大一些好，还是必须采购性能好的CDE 电容呢？
