各位高手大家有多少在用coolmos的，COOLMOS出现10多年来一直是国外的品牌，国内没人做的出来
小弟目前使用国内的工艺和自主技术开发了500V，600V，650V的coolmos产品，目前有20A的样品，产品交直流参数，持续电流温升等项目和Infineon，STM，Toshiba等厂家产品对比，至少不比他们的差；
哪个XD正在使用coolmos，MDmesh，DTmos，并且有兴趣试用国内产品，可以和小弟联系一下
QQ：48373934 或 10923054
大家一定要顶啊！
国产coolmos 愿意试用的进
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@gbxs1984
单从芯片上来看，由与采用了特殊技术，主要优点有：1.超结mosfet的导通电阻仅相当与相同电压电流规格的常规MOSFET的50%左右，因此导通损耗低，发热小，效率高；2.相同电流电压规格情况下，超结mosfet的芯片面积会会比常规的mosfet小接近50%，因此Qg要小，开关速度快，开关损耗小；3.由于超结MOSFET芯片面积小，相同电流级别的产品可以使用更小的封装，比如：20A600V的常规mosfet一般只能封装在T0247或T0-3P的封装里，而超结MOSFET可以封装在TO-220的封装中，可以有效缩小产品体积4.由于芯片工艺过程良率限制和封装体积限制，超结MOSFET可以把电流做的比较大，47A，52A等，常规MOSFET很难实现。主要优点差不多就这么多，主要缺点是：1.由于管芯面积小，超结MOSFET的Eas会比常规的MOSFET略差，在有较大感性负载的电路中的耐冲击能力比常规MOSFET略弱；2.价格会比常规的MOSFET略贵20%～50%；临时总结了这么多，不知道全不全，欢迎高手补充。
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@gbxs1984
单从芯片上来看，由与采用了特殊技术，主要优点有：1.超结mosfet的导通电阻仅相当与相同电压电流规格的常规MOSFET的50%左右，因此导通损耗低，发热小，效率高；2.相同电流电压规格情况下，超结mosfet的芯片面积会会比常规的mosfet小接近50%，因此Qg要小，开关速度快，开关损耗小；3.由于超结MOSFET芯片面积小，相同电流级别的产品可以使用更小的封装，比如：20A600V的常规mosfet一般只能封装在T0247或T0-3P的封装里，而超结MOSFET可以封装在TO-220的封装中，可以有效缩小产品体积4.由于芯片工艺过程良率限制和封装体积限制，超结MOSFET可以把电流做的比较大，47A，52A等，常规MOSFET很难实现。主要优点差不多就这么多，主要缺点是：1.由于管芯面积小，超结MOSFET的Eas会比常规的MOSFET略差，在有较大感性负载的电路中的耐冲击能力比常规MOSFET略弱；2.价格会比常规的MOSFET略贵20%～50%；临时总结了这么多，不知道全不全，欢迎高手补充。
有些电源的短路保护是靠Isense电阻和MOS的配合来实现的，直接用COOLMOS代换，后果很严重。建议保护做的好的电源和性能指标高的电源使用 0
