目前专注于MOS半导体功率器件（沟槽型大功率MOS器件、超结MOS器件、NPT-IGBT）以及射频（微波）RF-LDMOS器件的设计、生产、测试与质量考核、销售与服务。拥有自主知识产权和“新功率”“NCE Power”品牌。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测试基地，并有完善的质量控制保证系统，保证产品品质的一致性和稳定性。
公司主要团队人员是由志同道合的业界精英融合而成，其中不乏有功底深厚的20多年来，一直潜心于功率半导体领域、先后在国内著名企业、新家坡和德国等国外机构研发和工作的海归“科技领军与创业人才”；也有一批近10年经验的年青功率半导体工艺和器件专家。曾首创两项中国第一，即最先设计并大规模商业化的大功率Trench-MOSFET（用于各种电动车控制器、ＵＰＳ、汽车电子等领域）；最先设计四块Masks并大规模商业化的中、小功率Trench-MOSFET（广泛用于便携数码产品）并取得多项中国发明专利。现正刻苦创新，填补多项国内空白，并引领中国功率半导体器件工艺流程、器件结构和性能的创新、创优。
NCE依托自身世界领先的设计技术并持续进步以及业界一流的芯片、封测技术的大力支持，够硬的产品应用能力，虔诚的服务态度和迅速的执行力，竭诚为客户提供优质、创新、低成本的功率半导体产品和应用系统。
公司以“诚信”对待、忠诚服务一路相伴走来的所有客户和合作者，建立合作共赢的长期协作关系。
目前本公司在逆变电源这块，已开发出10多款产品，从功率较小的200w到大功率均有覆盖。目前主要型号有：NCE7580（80V 80A）、NCE7578（80V 80A）、NCE0157（100V 57A）、NCE75H21（80V 210A）、NCE01H14（100V 140A）、NCE8098（80V 98A）、NCE55H11 （55V 110A）、NCE30H21（30V 210A）NCE1579（150V 79A)等。
均已实现量产，欢迎广大逆变电源行业内的朋友前来咨询合作。
NCE30H21 NCE55H11 NCE7580 NCE7578 NCE75H21T NCE8098 NCE01H14 NCE0157 NCE1579
公司在填补国家空白上也不断进取，目前公司超结产品已有近10款，如有用英飞凌（Infeone）Coolmos的朋友均可用我司的超结进行替代。如,NCE20N60可完美替代SPP20N60C3 （650V 20A 180mohm）。目前主要型号如下：
NCE14N50SJ NCE20N50SJ NCE15N60SJ NCE20N60SJ NCE13N60SJ NCE05N65SJ NCE08N65SJ NCE11N65SJ NCE20N65SJ NCE47N60SJ 等等。
NCE20N50 NCE20N50T NCE20N60 NCE04N65 NCE07N65 NCE11N65 NCE20N65 NCE20N65T
公司在IGBT上，也已实现样品产出，NCETG12010AA NCETG12015AA NCETG12020AA NCETG12025AA 。
NCE25G120T NCE20G120T NCE10G120
我们遵行：品质稳定、价格稳定、供货稳定！做性价比最高的逆变电源MOS管！
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无锡新洁能功率半导体有限公司
销售部：顾生、蔡生
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