请高手讲解一下IGBT和MOS差异

最近新机型用到IGBT，对IGBT“性情”不太了解，调试中烧坏了10多只IGBT。请路过的高手讲解讲解。目前有几个疑问：

1、IGBT的Icm值通常有备注：脉冲能量不能超出最大结温，可是IGBT的PDF里好像没有标出这参数。

2、MOS电流过载能力是不是比IGBT要强？