IGBT参数中Cies、Coes、Cres疑惑

回答你的问题，MOS管或IGBT有三个电容，GS间，GD间，DS间

1、输入电容是GS间电容并上GD串DS。开启时，要把输入电容充满。输入电容越大，开启电流就要越大。还有一个指标叫Qg，也就是要开启需要转移的电荷数，这个更能直观得表示。开启时先转移Qgs，从波形上看会到miller时间，然后转移Qgd，到达十伏，这时表示管子才真正开启了。

2、输出电容是DS间并上GD与GS串。也就相当于在DS两端并联一个电容。在管子开启时要先把这个电容上的电放掉，关断时要先把这个电容上电放掉，所以有时候都不用在DS间关联吸收电容，自身电容已经够用。在硬关断时，电容越大，DS两端电压上升较慢，与电流交叉点会变低，可以减小关断损耗。

3、Cres是反向电容，就是GD间的电容，在开启时必须把这个电容也充满，也就是要把Qgd转移掉，这样才能完全开启，否则在DS间电流较大时会出现驱动能力不够的情况，增加导通损耗。

反向电容会影响开关速度，因为要多转移掉上面的电量，而且必须转移掉。Cies与Cres的大小会影响开关速度，越大在同等驱动电流的情况下就越慢，会增加开关损耗，但太快会产生振荡，会造成DS间电压峰值很高，反而增加损耗，得取个合适的值。一般来说，管子的Id越大，三个电容都会越大，Qg也会越大，要提供的驱动能力就越强。